高分子辅助化学溶液沉积法制备La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/Si薄膜及电磁输运研究

利用高分子辅助化学溶液沉积法在Si(100)衬底上外延生长La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜。并利用X射线衍射仪结果、扫描电子显微镜结果和电阻率-温度曲线(ρ-T曲线)结果、磁电阻(MR)曲线结果对其晶体结构、表面形貌和电磁输运机制进行了研究。结果显示实验制备的La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜为赝立方钙钛矿多晶结构,薄膜表面均匀平滑,结晶性好,晶粒尺寸约为50~70 nm。随着温度降低,薄膜电输运机制从绝缘体行为向转变金属导电行为。金属绝缘转变转变点温度(T_(MI))随磁场的增加而升高,在0 T和1 T分别为T_(MI)=238K、246 K。电输运测试结果说明,低温(T<T_(MI))时,电子-电子的散射对薄膜的电导性能起主导作用,高温(T>T_(MI))时薄膜按照绝热近似的小极化子输运。

化学溶液沉积制备涂层导体Eu_(0.3)Ce_(0.7)O_(1.85-x)单一缓冲层

采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160nm的Eu0.3Ce0.7O1.85-x(ECO)单一缓冲层。制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹。同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度。在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(0T,77K)=0.4MA/cm2。本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法。

提拉法制备Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)单层缓冲层及其性能研究(英文)

在双轴织构的Ni-5%W合金基带上,采用高分子辅助化学溶液沉积法通过提拉涂敷法,制备了厚度达250nm的Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)(SCO)外延织构单层缓冲层。通过严格控制前驱溶液的浓度、提拉速度、成相温度和热处理时间,所获的SCO单层缓冲层涂层平整、无微裂纹、且具有较强的(200)c轴外延织构。在其他条件假设不变的情况下,主要研究不同提拉速度对SCO缓冲层薄膜性能的影响。在此基础上,采用化学溶液法在SCO/NiW缓冲层上制备了YBCO超导层,其具有高度的双轴织构和均匀的表面形貌。结果表明:用提拉法获得的SCO单层缓冲层在具有适度的厚度下,仍然具有很好的织构传递特性,为低层本制造YBCO涂层导体长带提供了一条可靠的路线。