爆裂玉米胚乳数量性状的遗传研究

采用三倍体胚乳种子遗传模型及其分析方法,研究了4个爆裂玉米膨爆特性的胚乳直接效应、母体效应和细胞质效应.结果表明,百粒重、膨化体积的遗传同时由3套遗传体系所控制,百粒重的细胞质、膨化体积的母体和细胞质遗传率较高.爆花率和膨化倍数受胚乳和母体2套遗传体系的影响,且遗传率相近.爆花率和膨化倍数的直接和母体杂种优势均为负值.要组配出优良爆裂玉米杂交种,必须首先选育出膨爆特性突出的自交系,同时还要注意不同自交系的恰当组配.在6个供试自交糸中, P3,P4适宜用作母本,P5则适宜作父本.

普×爆后代3个膨爆特性的遗传分析

采用三倍体胚乳种子性状遗传模型及其分析方法对5个普通玉米自交系与4个爆裂玉米自交系间20个杂交组合8个世代进行研究。结果表明:3个膨爆特性指标同时受直接、母体和细胞质效应3种遗传体系控制,且以加性效应为主,非加性效应也起着非常重要的作用;普通玉米自交系会显著降低普×爆后代的膨爆特性,爆裂玉米自交系的作用相反,不同自交系的各类遗传效应不完全一致。

爆裂玉米膨化倍数QTL分析及其环境稳定性(英文)

膨化倍数是爆裂玉米最重要的品质指标。以普通玉米自交系丹232和爆裂玉米自交系N04杂交构建的259个F2:3家系为定位群体,采用完全随机区组设计在郑州春播和夏播条件下测定了膨化倍数。利用覆盖玉米10条染色体的183对多态性分子标记构建连锁图,采用复合区间作图法(CIM)进行QTL定位分析,采用多区间作图法(MIM)分析定位QTL间的互作效应。共检测出22个QTLs,单个QTL的贡献率为3.07%～12.84%,累计贡献率为66.46%和51.90%。其中5个QTLs在两种环境条件下均检测到,3个QTLs(qPF-6-1、qPF-8-1和qPF-1-3)的贡献率大于10%。大多数QTLs的加性效应值大于显性效应,表现为加性、部分显性、显性和超显性基因作用方式的QTLs数目在两种环境下分别为4、5、0、2和2、5、2、2。仅6对(占2.60%)QTLs或标记区间存在显著互作效应,表现为AA、DA或DD互作方式。

爆裂玉米产量及膨爆特性遗传效应分析

以12个爆裂玉米自交系间杂交F1为材料,采用三倍体胚乳模型对子粒膨爆特性及穗粒重、百粒重的3类遗传效应研究结果表明,3项膨爆特性指标同时受到直接效应和母体效应2种遗传体系所控制,百粒重和穗粒重由3套遗传体系所决定。穗粒重、百粒重、爆花率和膨化体积以普通直接遗传率为最主要分量,膨化倍数的普通母体遗传率最高。各自交系的直接加性效应和母体加性效应的显著性不同,要注意不同自交系的恰当组配。

不同油爆条件对不同类型爆裂玉米爆花特性影响

为研究不同油爆条件对不同类型爆裂玉米爆花特性影响,选取蝶型和球型两类爆裂玉米,分析不同加油量和处理温度对其特性的影响。研究表明,对于膨爆倍数,加油量和处理温度对不同类型爆裂玉米的影响不显著,而膨爆倍数在40%~50%的加油量时为最佳,等体积下的蝶型需油量更多,蝶型的适宜处理温度低于球型。爆花温度受加油量影响明显且呈显著正相关,而处理温度影响不明显,不同加油量和处理温度下,蝶型平均爆花温度高于球型。爆花起始和总时间受加油量影响并呈显著负相关,处理温度影响不显著,但随处理温度增加呈下降趋势。由此可见,油爆时爆花温度和时间主要受加油量影响,而蝶型和球型爆裂玉米适宜处理温度不同。

爆裂玉米的膨爆机理、影响因子及高产育种的研究进展

对爆裂玉米的膨爆机理、膨爆特性、影响膨爆的因素及高产育种进行了综述。爆裂玉米的膨爆关键取决于籽粒内部高压的形成 ,果皮和胚乳的致密结构是籽粒内部高压形成的重要保证 ;适宜的水分含量是籽粒内部产生高压水汽的物质基础 ,而导致这种高压水汽产生的外部动力则是来自于加热温度。此外 ,品种特性和籽粒性状等对爆裂玉米的膨爆特性也有一定的影响。爆裂玉米的品质特性与选育高产品种之间似无很大矛盾 ,可以单独进行改良。而且营养丰富 。

爆裂玉米淀粉含量主基因+多基因遗传效应分析

【目的】研究爆裂玉米淀粉含量的遗传方式,为爆裂玉米育种和分子标记辅助选择(MAS)提供理论基础。【方法】以爆裂玉米杂交组合吉爆902(吉812×吉704)的P1、F1、P2、B1∶2、B2∶2和F2∶36个家系世代群体为材料,应用植物数量性状主基因+多基因混合遗传模型,对其淀粉含量进行多世代联合分析。【结果】爆裂玉米淀粉含量由1对加性主基因+加性-显性多基因控制遗传。该杂交组合的B1∶2、B2∶2和F2∶3群体淀粉含量的主基因遗传率为13.86%～82.55%,多基因遗传率为2.91%～70.51%。主基因的加性效应为-10.0643,多基因的加性效应为8.6371,显性效应为-5.1797。【结论】爆裂玉米在早代可以加强淀粉含量的选择。

塑封器件分层失效实例分析

微电子塑封器件常用的环氧树脂塑封料,因其极易吸收周围环境里的水汽而严重影响塑封器件的可靠性。通过一个实例分析,分别从故障定位、机理讨论以及改进措施3个方面对塑封器件分层失效进行详细的论述,从而有效而快速地提升塑封器件可靠性。

SOT23系列产品MSL1封装工艺研究

近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速,尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要/关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素,寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验,最终确定了可以稳定通过MSL1的方案,其主要做法是:在粘片后采用分段烘烤,在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

一种非密封型金属-陶瓷封装集成电路失效机理研究

本文对型号研制过程中出现的某柱栅阵列(CGA)封装集成电路失效案例进行了分析。基于电性分析和材料分析的结果,提出非密封型金属-半导体封装存在类似于塑封器件“爆米花效应”的失效机理。通过高加速应力试验发现失效模式与实际情况高度吻合,从而验证了假设的正确性。

宇航用塑封器件质量保证方案研究

随着技术的进步和国外对高等级器件的禁运,低等级塑封器件在宇航产品中的使用比例逐年地增加。由于低等级塑封器件不是为宇航用产品所设计的,故其在宇航产品中运用时存在诸如密封、分层、吸湿和挥发等问题。低等级塑封器件在应用于宇航产品之前必须对其进行质量保证,制定相应的质量保证方案以确保所有的、应用于宇航产品上的元器件在额定条件下的失效率达到10^(-9)/h的水平。

PCB板高温高湿偏置试验后的失效分析

针对PCB板在高温高湿偏置试验后的失效问题进行了分析。详细地介绍了分析的过程和手段,包括形貌观察、电参数测试、声学扫描检测、扫描电镜、能谱分析和离子色谱分析等分析手段,获得了导致PCB板漏电失效的原因是由于Cl^(-)的电化学腐蚀和电化学迁移,内部芯片存在分层现象,使得水汽进入芯片内部,发生爆米花效应,内键合线拉脱,芯片电连接不良而失效。

玉米F_1、F_2代穗粒性状的遗传效应分析和适宜群体筛选

利用2个优良爆裂玉米自交系与6个Reid类群普通玉米自交系杂交组配12个杂交组合,研究穗长、穗粗、穗行数、行粒数、百粒重、穗重、穗粒重和出籽率8个穗粒性状的F1表现、杂种优势和F2群体表现、分离特征及其与亲本的相关性。结果表明,不同组合F1表现、中亲优势(MH)、超高亲优势(HH)和F2群体的平均值(F2M)、变幅、变异系数、优势衰退(HDR)等均存在不同程度差异,各穗粒性状杂交早代的遗传背景效应突出;F2群体各性状均呈连续正态分布,存在超双亲分离,为多基因控制的复杂数量性状;杂种优势较小的穗行数、出籽率和穗粗可以根据两类亲本或其均值初步预测其组合F1和F2M值的表现,对于杂种优势较大的穗重、穗粒重和百粒重不宜进行预测;除穗行数和出籽率外,其余性状F1表现与F2M、MH和HH以及F2M、MH、HH间多呈显著或极显著正相关,HDR与F1、F2M、MH和HH均呈显著或极显著负相关;R2×N04、R4×N10和R5×N10组合为进一步开展遗传作图和改良爆裂玉米自交系穗粒性状的最佳群体。