植物种子微孔结构的正电子湮没研究

以植物干种子芸豆和花生为生物体材料,采用正电子湮没技术(PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱(PAL)。测量结果表明,在芸豆和花生内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径分别为0.48nm和0.7nm。植物种子的这类特殊的微孔结构是低能离子注入生物效应机理的基础。测量了注入200keV低能V离子的花生样品的PAL谱, 并与未经离子注入的花生样品的PAL谱作了比较。

离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱，比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐｓ。

低能V^(+)注入花生种子引起生物体的微结构变化及其机理

以植物干种子花生为生物体材料 ,注入 2 0 0keV的低能V+离子 .采用正电子湮没技术(PAT)测定了经离子注入和未经离子注入的 2类花生生物样品的正电子湮没寿命谱 (PAL) .实验结果表明 ,在花生种子生物体内存在着大量微小的孔洞 ,孔洞的直径为 0 .7nm .经低能离子注入以后 ,这些孔洞的大小会有所变化 .

用正电子湮没技术研究掺杂粉末β-C_2S的缺陷

对硅酸二钙(Ca_2SiO_4简写为C_2S)掺杂,可以影响它的微观结构、多晶转变、烧成速度等。硅酸二钙是干燥的坚硬粉末,不易压制成型。我们采用垂直放置闪烁探头的测量方法,测量了β-C_2S粉末的正电子湮没寿命谱。结果表明,中间寿命τ_2(约470ps)组分,相应于正电子在钙空位处束缚态湮没。I_2随Na掺量增大而减小,随P掺量增加而增大,表明Na进入Ca位置并产生阴离子空位,P^(5+)进入Si位置并产生Ca^(2+)空位。

约束条件抽样方法简介

本文着重介绍按约束条件抽样的Monte Carlo方法。在此基础上计算了正负电子三光子湮没的光子角分布。结果与量子电动力学(QED)的预言一致。

低能离子注入引起的植物种子微结构的变化

以植物干种子芸豆和花生为生物体材料 ,采用正电子湮没技术 (PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱 (PAL) .测量结果表明 ,在芸豆和花生生物体内存在着大量微小的孔洞 ,孔洞的直径分别为 0 4 8nm和0 7nm .植物种子的这类特殊的微孔结构是低能离子注入生物效应机理的基础 .对注入 2 0 0keV低能V离子的花生样品也测量了它的PAL谱 ,并与未经离子注入的花生样品的PAL谱作了比较 .

离子辐照样品的表面处理方法研究

离子辐照实验已广泛应用于评价反应堆压力容器钢的辐照损伤效应,这对样品表面状态提出了苛刻的要求。分别采用机械抛光、振动抛光、电化学抛光与真空退火的方法对RPV钢样品表面进行了处理,采用慢束正电子湮没-多普勒展宽谱实验表征了样品表面的损伤层状态,采用纳米压痕测试表征了样品表面的应力状态。实验结果表明:对于RPV钢离子辐照样品,建议优先采用机械抛光+真空退火处理的方法处理样品表面,其次可采用电化学抛光处理方法。同时指出了该结论也适用于材料化学成分、强度与韧性等力学性能及热处理状态等相近的其他低合金钢离子辐照样品的表面处理。