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高压管汇材料疲劳性能测试及P-S-N模型曲线的拟合 被引量:1
1
作者 黄艳娟 周思柱 李宁 《长江大学学报(自然科学版)》 2024年第3期55-61,共7页
高压管汇作为压裂设备中的主要易损件之一,其失效危害较大。它的失效原因主要是疲劳、冲蚀、腐蚀或者材料缺陷引起的刺漏和爆裂,其中尤以疲劳失效最不可预估。目前,对于高压管汇材料的疲劳性能研究不够深入,为解决高压管汇材料疲劳寿命... 高压管汇作为压裂设备中的主要易损件之一,其失效危害较大。它的失效原因主要是疲劳、冲蚀、腐蚀或者材料缺陷引起的刺漏和爆裂,其中尤以疲劳失效最不可预估。目前,对于高压管汇材料的疲劳性能研究不够深入,为解决高压管汇材料疲劳寿命的准确描述问题,以某国产高压管汇材料为例,进行了一系列疲劳试验,并基于试验数据,采用多种分布模型和不同S-N模型进行拟合分析,得出综合评价拟合能力最强的P-S-N模型。结果表明,该材料在中长疲劳寿命区,Weibull三参数模型在7级应力水平下综合评价能力最好;在存活率分别为50%、90%、99%、99.9%时,指数S-N模型的拟合系数均大于0.98,拟合能力最好。得出的P-S-N模型曲线可以为高压管汇的疲劳寿命以及安全设计提供依据。 展开更多
关键词 高压管汇材料 正态分布模型 Weibull分布模型 p-S-n模型 幂函数S-n模型 指数S-n模型
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Study on Prediction Method of Structural Three-parameter Power Function P-S-N Curve
2
作者 LIU Yujie DAI Zongmiao 《International Journal of Plant Engineering and Management》 2018年第2期65-70,共6页
This paper applies weighted least square method to estimate the three-parameter power function equation of the fatigue life curve, and uses comprehensive fatigue life coefficient to correct the equation, and at the sa... This paper applies weighted least square method to estimate the three-parameter power function equation of the fatigue life curve, and uses comprehensive fatigue life coefficient to correct the equation, and at the same time combines probability statistics method to bring out the prediction method of structure's three- parameter power function P-S-N curve, finally applies the prediction method to a ship's frame-type elevate, based on the fatigue test data of it's material-SA06 aluminium alloy, to obtain it's structure's three-parameter power function P-S-N curve. Compared with the conventional least square method, the presented method can give 展开更多
关键词 p-S-n curve comprehensive fatigue life coefficient three-parameter power function fatigue life
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PIN管控制电路功率容量的确定 被引量:17
3
作者 顾颖言 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2005年第3期60-64,共5页
PIN管控制电路的功率容量是一个重要的电路参数,必须全面考虑PIN管本身的功率容量和电路结构形式、施加的反向偏置电压、射频信号的频率和形式以及电路在系统中的匹配状况、工作环境和可靠性要求等各项因素综合确定。分析了对影响电路... PIN管控制电路的功率容量是一个重要的电路参数,必须全面考虑PIN管本身的功率容量和电路结构形式、施加的反向偏置电压、射频信号的频率和形式以及电路在系统中的匹配状况、工作环境和可靠性要求等各项因素综合确定。分析了对影响电路功率容量确定的各种因素,介绍了在射频系统中PIN管控制电路功率容量确定的综合方法。 展开更多
关键词 pIn 功率容量 反向偏置电压
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一种双扩散p阱nMOS器件新结构
4
作者 秦祖新 曹广军 刘三清 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第4期17-21,共5页
本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理电路与衬底间的pn结隔离,并且隔离电压接近VDMOS管的... 本文介绍了一种适用于VDMOS功率集成电路的双扩散p阱nMOS器件新结构,该结构具有与VDMOS工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现nMOS处理电路与衬底间的pn结隔离,并且隔离电压接近VDMOS管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距,可以在小范围内调整nMOS管的阈值电压。这种双扩散nMOS器件结构,特别适合于制作单驱动器件的MOS功率集成电路。 展开更多
关键词 双扩散 MOS器件 结构 p
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关于p^k元域中的n方元素
5
作者 李振国 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期492-493,共2页
设 F为 pk元域 ,n为正整数 .本文建议 F中的 n方元素的概念 ,给出 n方元素的特征性质 .最后 ,给出
关键词 p^K元域 n方元素 n次方闭群 特征性质 交换群 循环群 陪集分解式
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P^+-N-N^+功率二极管零输入态反向电流峰值研究 被引量:1
6
作者 殷万军 刘玉奎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期547-550,共4页
从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系。根据误差函数与初等函数的近似关系,推出简约解析关系式:(IRM/IF)=a+b×ln(IF+1)。在检测电路中引入反向平衡电流源,利用... 从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系。根据误差函数与初等函数的近似关系,推出简约解析关系式:(IRM/IF)=a+b×ln(IF+1)。在检测电路中引入反向平衡电流源,利用仿真软件Silvaco-Atlas获得瞬态仿真实验数据。通过Matlab软件对实验数据进行拟合分析,并对简约式适用范围和相关结论进行了验证。研究结果对P+-N-N+功率二极管的应用和相应电路系统的可靠性具有指导意义。 展开更多
关键词 p%pLUS%-n-n%pLUS%功率二极管 零输入态 反向电流峰值 Atlas瞬态仿真
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高压非穿通P-i-N二极管等离子体抽取渡越振荡集总电路模型及封装抑制方法研究 被引量:1
7
作者 朱安康 包鑫康 +4 位作者 陈宇 周宇 罗皓泽 李武华 何湘宁 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期263-273,共11页
高压非穿通P-i-N二极管反向恢复阶段产生等离子抽取渡越时间(plasma extraction transit time,PETT)振荡,对功率模块的驱动电路和设备EMC性能造成严重干扰。文中根据二极管PETT振荡阶段载流子运行特征将器件内部分为等离子区、漂移区和... 高压非穿通P-i-N二极管反向恢复阶段产生等离子抽取渡越时间(plasma extraction transit time,PETT)振荡,对功率模块的驱动电路和设备EMC性能造成严重干扰。文中根据二极管PETT振荡阶段载流子运行特征将器件内部分为等离子区、漂移区和无源区3个区域并将各区域等效成电阻、电感和电容等集总电路参数,利用二极管等效电路与外围电路参数构建了PETT振荡集总电路模型。该模型可计算得到振荡阶段回路各阻抗的动态变化,复现PETT振荡失稳–自稳振荡现象。该集总电路模型表明PETT振荡出现根本原因是回路出现负阻,而负阻出现的原因是空穴渡越角位于π~2π之间,基于该模型解析得到回路寄生电感的优化范围,通过优化封装布局的方式可将空穴渡越角移出负阻出现的区间。最后,在模块内部通过优化绑定线布局将回路寄生电感调整至优化范围内,从而避免回路负阻以抑制PETT振荡的出现,实验证明了该封装抑制方法的有效性。 展开更多
关键词 焊接式模块 非穿通p-i-n二极管 等离子抽取渡越时间振荡 集总电路模型 封装抑制方法
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一种专用高频小功率n-p-n对管 被引量:1
8
作者 苏韧 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第2期28-29,36,共3页
本文叙述了X84高频小功率n-p-n对管的特点、性能指标及其应用,着重从工艺角度对管子的制作进行了分析研究,针对其难点提出了一些有效可行的控制方法。
关键词 n-p-n对管 高频小功率管
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一类p.n.p.矩阵的谱性质
9
作者 刘磊 李庆春 《吉林师范学院学报》 1996年第12期4-5,共2页
本文在[1]的基础上讨论了幂p.n.p.矩阵的谱性质。
关键词 p.n.p.矩阵 p.n.p.矩阵 不可约
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一类幂p. n. p.矩阵的谱性质
10
作者 刘磊 《吉林化工学院学报》 CAS 2008年第1期84-85,共2页
在[1]文中的基础上讨论了幂p. n. p.矩阵最大特征值m(A)的谱性质,在A的特征值为实数时给出了不可约幂p. n. p.矩阵的判定准则.
关键词 p. n. p.矩阵 p. n. p.矩阵 不可约
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Nonlinear Properties of an Inhomogeneous Diode Structure in a Strong Microwave Field
11
作者 Sanobar Reymbaeva Gulmurza Abdurakhmanov Aleksandra Orel 《World Journal of Condensed Matter Physics》 CAS 2023年第1期1-13,共13页
Results of experimental investigation of detection (rectification) of high power X-band microwave signal in diodes of various design (semiconductor p-n-junction, point-contact, Schottky, Metal-Isolator-Metal—MIM) are... Results of experimental investigation of detection (rectification) of high power X-band microwave signal in diodes of various design (semiconductor p-n-junction, point-contact, Schottky, Metal-Isolator-Metal—MIM) are reported. The maximum of the detected direct voltage V vs. power P of microwave signal and subsequent polarity reversal, previously found in MIM diodes in the optical and microwave bands, have found to be characteristic of all investigated diodes as well. After the reversal of polarity, this dependence comes linear, and the sign of the voltage corresponds to thermoEMF. In some diodes, the hysteresis on V(P) was observed. All 5 types of V(P) of MIM diodes (have made from different pairs of metals), reported earlier, were reproduced on same p-n-junction diode by variable external DC bias. These results joined with abnormal frequency cutoff forced to suggest that there is an unknown mechanism for direct flow of charge carriers (and for generate direct current) in the high-frequency electrical field, which differs from the conventional rectification. 展开更多
关键词 Quadratic Detection p-n-Junction point Contact Schottky Barrier High-power Microwave Signal polarity Reversal ThermoEMF HYSTERESIS
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刈割对滇西北退化高寒草甸植物化学计量特征的影响
12
作者 张勇 马燕丹 +6 位作者 郑秋竹 苏德荣 董世魁 梁克敏 吴凯婷 岳海涛 王晓蓉 《广西植物》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1565-1575,共11页
为探究环境干扰对退化高寒草甸植物化学计量特征的影响,该研究于2018—2020年对香格里拉市3个退化程度[轻度退化(LD)、中度退化(MD)、重度退化(SD)]的高寒草甸开展刈割试验,进而分析退化高寒草甸植物C、N、P含量、C∶N∶P和N-P幂函数关... 为探究环境干扰对退化高寒草甸植物化学计量特征的影响,该研究于2018—2020年对香格里拉市3个退化程度[轻度退化(LD)、中度退化(MD)、重度退化(SD)]的高寒草甸开展刈割试验,进而分析退化高寒草甸植物C、N、P含量、C∶N∶P和N-P幂函数关系在不同刈割年限(0、1、2 a)之间的差异。结果表明:(1)除莎草科P含量外,草甸植物群落、禾本科和杂类草的C、N、P含量在退化程度间无显著差异(P>0.05)。随着刈割年限的增加,退化草甸植物C、N、P含量呈先增后降的趋势(P<0.05)。(2)草甸植物C∶N和C∶P在退化程度间无差异(P>0.05)。从LD到SD,植物群落、莎草科和杂类草的N∶P比先小幅下降再显著上升(P<0.05),禾本科的N∶P未发生显著变化(P>0.05)。(3)随刈割年限增加,草甸植物的C∶N和C∶P呈先降后增、N∶P呈先增后降的趋势。刈割0 a时,莎草科的C∶P和N∶P显著高于杂类草(P<0.05),与植物群落和禾本科无差异(P>0.05);刈割1 a和2 a时,莎草科的C∶P和N∶P高于植物群落和其他功能群(P<0.05);在各刈割年限,植物群落和各功能群植物间的C∶N无差异(P>0.05)。(4)随刈割年限增加,退化草甸植物的N-P幂函数关系由弱变强、幂指数趋于稳定。莎草科的N-P幂指数(小于0.1)与植物群落、禾本科和杂类草的幂指数(稳定在0.19~0.22之间)明显不同。该研究发现,刈割干扰下退化高寒草甸植物生态化学计量特征在退化程度间差异不大,但其随刈割年限增加发生显著变化,这说明滇西北不同退化程度高寒草甸对刈割干扰可能具有相似的响应过程。 展开更多
关键词 高寒草甸 植物群落 退化程度 刈割年限 C∶np n-p幂函数关系
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康佳P2592N彩电保护电路维修技巧(一)
13
作者 于永军 《家电检修技术》 2011年第4期20-20,共1页
康佳P2592N彩电,采用了微处理器中断口保护技术与传统的过流、过压保护相结合的电路。当被检测电路发生故障时,微处理器的中断口引脚电压发生反转,微处理器据此判断被检测的电路发生故障,进入保护状态,POWER(电源开/关机)端口... 康佳P2592N彩电,采用了微处理器中断口保护技术与传统的过流、过压保护相结合的电路。当被检测电路发生故障时,微处理器的中断口引脚电压发生反转,微处理器据此判断被检测的电路发生故障,进入保护状态,POWER(电源开/关机)端口发出待机指令。 展开更多
关键词 康佳p2592n 保护电路 维修技巧 彩电 微处理器 检测电路 power 保护技术
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夏大豆亩产262.1kg生理指标研究 被引量:13
14
作者 卢增辉 常从云 +5 位作者 戴蜀珏 赵长军 赵俊杰 王柏叶 张桂英 许国政 《大豆科学》 CSCD 北大核心 1994年第3期185-192,共8页
研究了夏大豆中油-89D亩产262.1kg各项生理指标:叶面积系数,开花期、结荚期、鼓粒期分别为3.98、5.80、4.91;总光合势18.2万m ̄2·日,平均净光合生产率4.81g/m2·日;氮磷总积累量分... 研究了夏大豆中油-89D亩产262.1kg各项生理指标:叶面积系数,开花期、结荚期、鼓粒期分别为3.98、5.80、4.91;总光合势18.2万m ̄2·日,平均净光合生产率4.81g/m2·日;氮磷总积累量分别为22.28kg和3.13kg,每生产100kg籽粒需吸收氮8.50kg,磷1.19kg,总干物质积累876.47kg,粒茎比0.51,经济系数0.30。 展开更多
关键词 大豆 生理指标 叶面积系数
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基于多声学传感器融合的管道泄漏检测方法研究 被引量:4
15
作者 张立 侯迪波 +1 位作者 张光新 周泽魁 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1176-1179,共4页
针对单一类型传感器检测管道泄漏的局限性,本文提出了一种基于多声学传感器融合的管道泄漏检测方法.它将振动传感器和声音传感器相结合以获取泄漏点声波信号,通过对这两种声波信号提取某种特征量进行相应的融合计算推断出管道泄漏是否发... 针对单一类型传感器检测管道泄漏的局限性,本文提出了一种基于多声学传感器融合的管道泄漏检测方法.它将振动传感器和声音传感器相结合以获取泄漏点声波信号,通过对这两种声波信号提取某种特征量进行相应的融合计算推断出管道泄漏是否发生.实验结果表明,该种方法能有效地提高管道泄漏检测的准确性. 展开更多
关键词 管道泄漏 多声学传感器融合 n-p准则 小波包分解 能量特征提取
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水稻高产优质高效栽培的基础生理研究 被引量:19
16
作者 周阮宝 肖本如 +2 位作者 盛援纲 朱胜东 陈文质 《安徽农业科学》 CAS 1992年第2期109-113,共5页
本文对双季稻高产优质高效栽培途径与传统栽培法的生理基础进行了比较研究。结果表明,采用“双高一优”法栽培,水稻根系特别发达,对氮、磷、钾的吸收能力及根系过氧化物酶活力均明显优于对照;功能叶的碳氮同化协调,呼吸消耗少,谷粒灌浆... 本文对双季稻高产优质高效栽培途径与传统栽培法的生理基础进行了比较研究。结果表明,采用“双高一优”法栽培,水稻根系特别发达,对氮、磷、钾的吸收能力及根系过氧化物酶活力均明显优于对照;功能叶的碳氮同化协调,呼吸消耗少,谷粒灌浆启动快,速率大;尤以以下三方面的结果更具有意义。(1) 水稻每克鲜根的氧化力低于对照17.5%—36.1%。(2) 叶片的叶绿素b含量及叶绿素溶液在430nm附近的O.D值分别比对照高49%—68%,67%—106%,剑叶透光率较对照低22.2%。(3) 功能叶及根系的硝酸还原酶活力比对照低,表现出与高产耐肥品种一样的生理特性。此外,本文还对根系活力及其与土壤环境的关系,作物根系及田间杂草对改良土壤、提高地力的作用,提出了新的看法。 展开更多
关键词 水稻 高产 栽培 基础生理
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电源调制电路在T/R组件中的应用与分析 被引量:3
17
作者 葛园园 余振坤 +1 位作者 梁东东 罗川川 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2020年第2期71-74,共4页
简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在... 简述了电源调制电路在T/R组件中对抑制自激和应用在氮化镓(GaN)射频放大器中的重要作用,论述了p型金属氧化物-半导体(p-MOS)场效应晶体管和n型金属氧化物-半导体(n-MOS)场效应晶体管两种调制电路的原理,对两种电路特性进行比较,n-MOS在调制电压、电流和速度上优于p-MOS,但由于p-MOS电路简单,其在低功率应用中也被广泛使用。最后,对调制电路中出现阻尼振荡产生的原因进行分析,得到了通过调整外围参数进行优化的方法。 展开更多
关键词 电源调制 氮化镓 p-MOS调制 n-MOS调制 发射自激
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二极管非超突变结C-V幂律分析 被引量:1
18
作者 李潮锐 唐强 刘小伟 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期20-23,共4页
基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结(电)容—(电)压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从... 基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结(电)容—(电)压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从而获得二极管p-n结C-V幂律通式,而指数n=1/2或n=1/3仅是新模型的特例。运用合理的数据处理技术,由一系列实验结果说明该幂律分析方法更具普适性。 展开更多
关键词 p-n 杂质浓度 C-V幂律 泊松方程
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具有优良温度特性的大功率器件
19
作者 王界平 李秉忠 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第5期1-5,共5页
本文介绍了一种大功率器件,其耐压大于100V,I_(CM)>6A,P_(CM)>50W,f_T~200MHz,温度从-55℃变化到+150℃时,其共射极电流放大系数几乎不变。
关键词 功率器件 BSIT组合器件 半导体器件
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1300V/20A绝缘栅双极晶体管IGBT
20
作者 杨谟华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期620-624,共5页
基于理论概括与实验研究,已经在N^-/N^+/P^+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通... 基于理论概括与实验研究,已经在N^-/N^+/P^+外延基片上获得了1300V/20A高性能IGBT;并进而指出了实现该器件互相关联的关键技术。它们分别是:优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备,器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化,和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。 展开更多
关键词 双极晶体管 外延生长 功率器件
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