乙醇辅助低温水热法生长TiO_(2)纳米棒阵列

本文采用乙醇作为添加剂,通过低温水热法在透明导电玻璃衬底上制备晶化良好的金红石相TiO_(2)纳米棒阵列。对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等结构形貌表征和光电化学性能测试。实验发现乙醇加入有利于前驱物水解缩聚反应,同时提高水热反应压力,促进TiO_(2)晶粒低温成核和生长,从而实现70℃直接在基底表面生长出TiO_(2)纳米棒阵列。通过调控水热反应温度、时间以及乙醇添加量等参数可有效调控TiO_(2)纳米棒阵列的形貌,改善其光电化学性能。同时低温水热制备工艺也降低了对衬底材料的限制,拓展了TiO_(2)纳米棒阵列的应用领域,表现出良好的应用前景。

某型相控阵雷达技术准备流程优化研究

为满足相控阵雷达的实际运用需求,分析了某型相控阵雷达技术准备流程操作时序,构建了技术准备流程网络图模型;采用关键路线法对模型进行了分析,并提出了技术准备流程的优化方法.优化分析表明,该方法能有效简化相控阵雷达的技术准备流程,提高装备运用的准备效率.

无电金属沉积法硅纳米线阵列的制备研究

采用无电金属沉积法在硅衬底上制备出了大面积规整的硅纳米线阵列,并对其形貌控制的影响因素和形成机理进行了研究。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对硅纳米线阵列和相应银枝晶的形貌和结构进行了表征。结果表明,硅纳米线阵列的形貌受水热体系中溶液配比、温度和时间的影响,在温度为50℃、HF和AgNO3浓度分别为4.6和0.02mol/L的条件下,容易得到大面积排列规整的硅纳米线阵列,并且硅纳米线的长度为30～50μm,直径为200nm左右。无电金属沉积法为硅纳米线及其阵列的制备提供了一种设备简单、条件温和的制备方法。

硫化镉量子线及其阵列制备方法的评述

一维CdS半导体纳米材料(量子线)因其在磁学、电学及非线性光学等方面具有CdS体材料所不具备的特殊性质而倍受关注。在过去的几十年里,人们在CdS量子线的制备和应用方面进行了大量的研究。本文在总结硫化镉量子线及其阵列的制备方法基础上,对CdS量子线的发展趋势进行了讨论。

多孔阳极氧化铝模板合成纳米点阵列的研究进展

多孔阳极氧化铝具有耐高温、成本低、空洞分布均匀有序且大小可控等优点,是制备高度有序纳米材料的理想模板。介绍了多孔阳极氧化铝模板的制备和以多孔阳极氧化铝为模板采用常规方法制备高度有序纳米点阵列材料的最新研究进展,以及纳米点阵列的应用前景。

二氧化钛一维纳米阵列的制备方法研究进展

功能半导体纳米材料的设计、合成及晶面调控是目前光催化以及光电转换研究领域的重点。作为半导体家族中的重要一员,二氧化钛是一种环境友好、价格低廉的宽带隙n-型半导体材料。本文总结了二氧化钛一维纳米阵列制备方法的最新研究进展,为进一步优化二氧化钛纳米结构的电荷传输速率,提高其光电性质提供参考。

阵列微结构表面技术的研究进展

阵列微结构表面技术可以有效改善金属表面的力学性能,已逐渐在工程机械、现代交通、现代化工等领域得到广泛应用。对阵列微结构表面的典型形貌,制备方法和技术应用这三个方面进行了论述。面向更高的技术需求,探索具有优质高效特点的阵列微结构表面多物理场复合制备方法;寻找更宽领域的应用,并尝试将各种不同的微结构根据其自身性质分别应用于同一对象的多处局部表面,使应用对象整体性能达到最佳,将是今后阵列微结构表面技术的研究重点。

钒氧化物纳米片(球)阵列的制备方法及其在离子电池中的应用进展

钒氧化物纳米片(球)阵列具有独特的三维结构,这种结构结合了基底和氧化钒纳米片的优点,提高了电极材料的稳定性。钒氧化物纳米阵列克服了氧化钒比容量较低、循环性和倍率性能不佳等缺陷,增强了基底材料的电子运输能力、电解质的可及性以及电容性能,在锂离子、钠离子电池中有着广泛的应用。介绍了钒氧化物纳米阵列的主要制备方法及其在锂离子、钠离子电池中的应用情况。

Co_3O_4纳米片阵列的制备方法及其在超级电容器中的应用研究进展

氧化钴(Co_3O_4)纳米片阵列具有比表面积大、环境友好以及成本低等优点,同时具备比电容高、循环稳定性好、电容量大等电化学性能,是应用前景广阔的超级电容器材料。综述了Co_3O_4纳米片阵列的制备方法及其在超级电容器中的研究进展,并对其未来发展进行了展望。

SnO2纳米片阵列的制备及其在新能源器件领域的研究

SnO2纳米片阵列作为一种具有独特介孔结构的三维纳米材料,不仅具备SnO2纳米片具有大的比表面积,规则有序的孔道结构,狭窄的孔径分布特点,其三维立体结构也提高了材料的电化学性能,具有极好的导电、氧化和催化性能,是理想的储能电池电极材料和生物传感器的检测材料。综述以各种制备高质量,大比表面积SnO2纳米片阵列的方法及其在新型能源器件方面的应用现状为主,并对其未来发展趋势进行了展望。

TiO_(2)纳米管阵列的阳极氧化法制备及其改性研究进展

TiO_(2)纳米管(TiO_(2)NTs)阵列作为一种新型的三维立体纳米材料,凭借其独特、规整有序的空心管状结构和优异的光电化学性能受到越来越广泛的关注。对TiO_(2)NTs阵列的阳极氧化法制备及其原理进行了介绍。针对TiO_(2)NTs对可见光响应范围窄、光生电子-空穴对复合率高的问题,总结了TiO_(2)NTs阵列的掺杂、复合以及表面酸修饰等改性方法。阐述了当前TiO_(2)NTs阵列的研究现状,对今后的研究重点和方向提出了展望。

ZnO纳米片阵列的制备及其在生物传感器中的应用

ZnO纳米片阵列具有优异的光学性能、压电性能和电化学性能,广泛应用于传感器、超级电容器和锂电池等各领域。为了获得高质量的ZnO纳米片阵列,介绍并分析了目前ZnO纳米片阵列的主要制备方法,包括水热法、电化学沉积法、气相法和回流法。良好的分子识别能力和生物相容性使得ZnO纳米片阵列在电化学生物传感器领域展现出巨大的优势,并有潜力应用于临床研究,目前已实现精确检测DNA、尿酸和多溴联苯醚等生物分子。今后研究的重点和发展方向为,提高ZnO纳米片阵列的性能,增强检测生物分子的响应性、提高生物检测的灵敏度。

NiO纳米片阵列的制备方法及应用进展

NiO纳米片阵列具有优异的电化学、物理和机械性能,已经成为锂离子电池、超级电容器、传感器和催化等领域的热点材料之一。综述了NiO纳米片阵列的基本特性、制备方法及其在锂离子电池和超级电容器中的研究进展,并对其应用前景进行了展望。

MnO_2纳米片阵列的制备方法和应用现状

综述了MnO_2纳米片阵列的基本特性、制备方法及其在锂离子电池和超级电容器中的研究进展。

一维钨纳米结构阵列的可控制备

采用金属催化法结合化学气相沉积法制备一维W纳米结构阵列,对一维W纳米结构阵列可控制备进行系统的研究。结果表明:一维W纳米结构阵列的直径主要受到催化剂和N_2流量的影响,随着催化剂颗粒尺寸的减小或者N_2流量的减小,催化生长后W纳米线直径的尺寸也相应变小;一维W纳米结构阵列的长度主要受到生长时间的影响,生长时间的延长会使W纳米线阵列的长度也相应的增加,有利于超长W纳米线阵列的合成;一维W纳米结构阵列的密度主要受到催化剂和WO_3粉末粒径的影响,随着催化剂颗粒的密度的增加或者WO_3粒径的减小,W纳米线阵列的密度也相应增加;一维W纳米结构阵列的形貌主要受到生长温度和基片材料的影响。

ZnO纳米线/棒阵列的水热法制备及应用研究进展

氧化锌(ZnO)纳米线/棒阵列的质量决定了所构建光电器件的性能.为了制备出比表面积更大、垂直性更好以及无根部融合的高质量ZnO纳米线/棒阵列,本文概述了近几年两步水热法可控制备ZnO纳米线/棒阵列的研究进展,分别探讨了种子层、生长液和生长方法对纳米线/棒阵列形貌的影响,详细分析了氨水、六次甲基四胺和聚乙烯亚胺对于促进纳米线/棒阵列生长的作用机理,提出了通过微流控技术可控制备ZnO纳米线阵列提高纳米线生长效率的方法.最后介绍了ZnO纳米线/棒阵列的形貌对于提高染料敏化太阳能电池、纳米发电机、气体传感器和场发射器件性能的重要作用,并对未来两步水热法制备ZnO纳米线/棒阵列的发展趋势进行了展望.

嵌段共聚物模板法制备CoFe_2O_4纳米有序点阵列

嵌段共聚物PS-b-PMMA经离心涂膜,在丙酮蒸汽熏蒸条件下发生微相分离自组装,选择性刻蚀后制备了具有有序阵列纳米孔洞的嵌段共聚物模板。然后使用溶胶凝胶法在嵌段共聚物模板上沉积CoFe2O4前驱体,通过热处理去除交联的聚苯乙烯以及使CoFe2O4结晶化,从而制备了CoFe2O4纳米点阵列。扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射仪(XRD)被用于研究嵌段共聚物模板以及CoFe2O4磁性纳米点阵列的形貌、结构与磁性能。结果显示制备的CoFe2O4纳米点阵列中的纳米点为反尖晶石型CoFe2O4相,直径15~20nm左右、点间距100nm左右。同时,VSM测试显示CoFe2O4纳米点阵列呈铁磁性,矫顽力约为1350×79.6A/m,无明显磁性各向异性。