差热分析曲线的影响因素

以纯铝和纯铟两种材料为研究对象,通过差热分析试验系统研究了影响这两种材料DTA曲线的主要因素。结果表明:升温速率、试样用量、气氛和气体流量等因素对这两种材料的DTA曲线有着不同程度的影响;试验时要根据具体的试样特性,选择合适的试验参数。

超纯铟的制备

以电解法生产的99.995%(4N5)高纯铟为原料,采用真空蒸馏脱镉、铊,然后在氢气气氛中进一步进行区熔提纯,并对重要技术参数进行了优化。结果表明,采用该工艺可以制备6N超高纯铟,产品直收率大于72%。

等离子发射光谱法测定精铟中的痕量杂质元素

研究了等离子发射光谱法对精铟中9种杂质元素的连续测定。以HCl-HNO3溶解样品，讨论了分析谱线及溶液酸度的选择，并用等效浓度差减法消除了基体的影响。对仪器的功率和工作气体流量等分析条件进行了优化。结果表明，杂质元素的检出限为0．0005～0．0107mg／L，相关系数r≥0．9994，回收率为96.45％～103．13％，相对标准偏差不大于2．05％。

电感耦合等离子体质谱法测定纯铟中镁铬锰钴镍锆钼锑

纯金属分析时为了消除基体效应的影响,通常需要先分离基体,再对其痕量元素进行测定,这不仅前处理过程较为复杂,还易造成样品污染。实验以硝酸(1+1)溶解样品,采用基体匹配法配制标准溶液系列以绘制校准曲线,最终实现了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对纯铟中镁、铬、锰、钴、镍、锆、钼、锑8种元素的测定。通过选择合适的同位素消除了质谱干扰;采用10ng/mL钪对元素镁、铬、锰和镍进行校正,采用10ng/mL铑对钴、钼、锑和锆进行校正,克服了基体效应和信号漂移的影响。实验表明,各元素的质量浓度在1.00~50.0ng/mL范围内与其信号强度呈一定的线性关系,相关系数均大于0.999。方法的检出限为0.09~0.78ng/mL。将实验方法应用于纯铟实际样品中镁、铬、锰、钴、镍、锆、钼、锑8种元素的测定,相对标准偏差(RSD,n=7)不大于10.2%,加标回收率为88%~114%。

塞曼火焰原子吸收法直接测定精铟中的微量铋

文章提出了在不分离主体铟的情况下于5％的硝酸介质中，采用塞曼火焰原子吸收光谱仪于223.1nm处直接测定精铟中微量铋的吸光度。方法灵敏度高、重现性好、扣背景能力强、测定结果准确可靠，适用于精铟中铋（0．0001％-0.008％）的测定。

超高纯铟的实验研究

介绍超高纯铟的用途,探讨超高纯铟的制备方法,进行小试和扩大试验研究,试验表明,经过一次电解、真空蒸馏精炼、二次电解精炼等联合提纯工艺可产出99.9999%的超高纯铟,铟直收率在99%以上.流程所用设备简单,操作简便,适用于工业化生产.

电感耦合等离子体质谱法测定精铟中的杂质元素

研究建立了不分离基体元素，直接采用电感耦合等离子体质谱法测定精铟中的杂质元素的方法。通过采用标准加入法，有效地校正了基体效应干扰。方法的检测限为0．005—0．015ng／mL；精密度为3．1％～7．1％；回收率为91％～109％。本法可满足99．995％精钢中杂质元素测定的要求，方法快速，结果准确。

6N铟中锡的化学光谱测定—巯基棉富集分离

本文阐述了高纯铟中锡的化学光谱测定方法 ,确定了各种光谱测定条件 ,测定范围 0 .0 5 - 1 .6 ppm。

塞曼火焰原子吸收法直接测定精铟中的微量铊

文章提出在不分离主体铟的情况下于10％的盐酸介质中，采用塞曼火焰原子吸收光谱仪于276．78nm处直接测定精铟中微量铊的吸光度。方法灵敏度高、重现性好、扣背景能力强、测定结果准确可靠，适用于精铟中铊（0．000X％-0．00X％）的测定。

铟冶炼粗铟电解阴极采用纯钛板实验研究

通过铟冶炼粗铟电解阴极采用纯钛板生产实践，对日析出电解铟产量、阴阳极电压、分槽槽压等主要技术指标进行了对比评述，试验表明，粗铟电解阴极采用纯钛板可以显著降低生产成本。

真空蒸馏冷凝法提纯粗铟的实验研究

采用真空蒸馏冷凝法研究粗铟的分离提纯,通过分别控制蒸馏温度及冷凝温度,在蒸馏段脱除粗铟中难挥发杂质元素,而冷凝段使易挥发杂质元素分离,达到提纯金属铟的目的.实验表明:蒸馏温度为1300℃,保温时间40 min,真空压力5~15 Pa,冷凝区温度为830~1030℃时,可以获得纯度为99.99%的精铟,但Sn元素的含量没有达到4 N国家标准.在蒸馏温度和冷凝区温度分别为1188℃和830℃,保温时间240 min,真空压力5~15 Pa条件下,可以获得纯度为99.99%的精铟,且所有杂质元素的含量全部符合4 N铟的国家标准.

真空蒸馏法深度脱除精镉中Tl和In的研究

对真空蒸馏法深度脱除精镉中铊和铟进行了理论分析和实验研究,考察了蒸馏温度对Tl和In脱除效果的影响,并探讨了钢质材料中Fe元素对实验结果的影响。理论分析表明,在真空条件下,Tl和In与Cd均具有分离的可能性,且分离效果较好,即利用真空蒸馏法获得更高纯度的金属Cd是可行的。实验结果表明,随着蒸馏温度的升高,Cd的挥发率呈快速增加趋势,挥发物中的Tl含量增加迅速,Tl的脱除率减小幅度较大,挥发物中In含量增加缓慢且保持在较低水平,In的脱除率减小的幅度较小,挥发物中Fe含量一直保持在较低水平,含量始终保持在1×10^(-8)以下,说明利用钢质材料对提高精Cd纯度不会产生影响;当系统压力为2~5 Pa,蒸馏温度为643 K,保温时间为7 h条件下,精Cd的挥发率为16.21%,挥发产物中Tl含量为2.83×10^(-7),Tl的脱除率为99.76%,In的含量为2.327×10^(-7),In的脱除率为97.97%,可获得纯度为99.9999%的金属Cd。