铅试金加纯银富集-原子吸收光谱法测定铋渣中金含量

在铅试金方法中以加入适量纯银的方式富集金,从含有金的铋渣中提炼出金银合粒。合粒经稀硝酸溶解银后剩余金粒,分离后金粒经王水溶解定容,使用原子吸收光谱仪测定溶液中金量;同时用二次试金的结果进行补正,最终得到样品中金含量。讨论了样品中高含量铋对熔融、灰吹流程的影响,通过试验确定了试料的称样量及铅试金熔剂配料量;优化了二次试金的细节,提高了工作效率,并探讨了如何对一次试金的结果进行有效补正;通过加标回收的方式对分析方法的精密度和准确度进行了统计,该方法测定的金含量相对标准偏差为0.82%~1.69%;加标回收率为97.18%~102.84%。试验表明,本方法能快速准确地测定高铋物料中金的含量。

ICP-OES 法测定纯银中锡、铅、锑、铋的研究

纯银样品用硝酸溶解后,加入盐酸沉淀分离银基体,用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)进行测试,计算加标回收率和相对标准偏差,发现氯化银沉淀对于铅、铋吸附能力较强,对锡、锑吸附能力较弱,该方法无法准确检测样品中铅、铋。试验硫氰化钾沉淀法消除银基体干扰,可以准确检测铅、铋,加标回收率达85%以上。

对白银中杂质元素的测试条件探究

本文对银含量大于99.9%的白银样品的杂质元素检测的标准方法进行了归纳和方法探究,对人员、仪器设备、方法、物料等项目的有效运行进行了阐述,并探索出了实验室开展白银样品检测的质量控制要点。实验室可有效开展白银样品的杂质元素的检测活动并实现持续的质量控制。

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定纯银中痕量碲

建立了电感耦舍等离子体原子发射光谱法测定纯银中痕量碲的新方法。采用硝酸溶解样品，以叔-十二硫醇的甲苯溶液来液液萃取分离基体银，萃取率达99．7％以上，水相用于痕量碲的测定。通过正交试验，确定了仪器的最佳工作参数。讨论了不同酸度、萃取剂浓度、水相中银的浓度等对萃取率的影响，确定了苹取的最佳条件。该方法的检出限达到1．0／μg／L,工作曲线的线性范围为0～20mg／L，线性相关系数r=0．9998，测定1．3mg／L碲标准溶液的相对标准偏差为0.84％（n=11）。用于实际样品分析。加标回收率为94．0％～98．2％。

微量元素Al和Mn对银带材性能的影响

为解决银材自然时效软化的问题,在99.999%Ag中添加0.004%Al和0.003%Mn(按质量)制成纯度为99.99%的Ag材,实验表明,采用变形率为90.90%所制备的银材,在25℃温度下,自然时效365d,其强度b=370MPa,硬度HV=1030MPa保持稳定不变,有效地抑制了纯银材自然时效80d,其力学性能便大幅度下降的问题。

电感耦合等离子体发射光谱法测定纯银中的杂质元素

研究并建立了纯银样品经硝酸溶解,标准基体匹配,直接用电感耦合等离子体发射光谱测定纯银中铜、铁、铅、锑、铋、钯、硒、碲、锌杂质元素的方法.其检出限分别为0.003 9,0.003 3,0.015,0.015,0.007 3,0.024,0.008 0,0.004 2,0.003 0μg/ml;回收率均在97.2%～102.5%之间;相对标准偏差为0.76%～5.02%.

ICP-AES测纯银中杂质的综述

介绍了1986～2011年期间电感耦合等离子体原子发射光谱法测定纯银中杂质的方法,根据样品前处理方法的不同主要分为硝酸溶解直接测定、盐酸沉淀除去银基体后测定和其他方法,并对每种方法的优劣进行了评述。伴随着ICP-AES等先进检测技术手段的普及和提高,纯银中杂质元素含量的检测水平必会不断进步。

磁控溅射和电镀方法制备纯银镀层耐蚀性能分析

分别采用磁控溅射与电镀方法制备了纯银镀层,对比两种工艺下制备的纯银镀层的耐蚀性及耐蚀机理。首先通过SEM、XRD、激光共聚焦显微镜和蔡司显微镜对镀层微观形貌、物相组成、表面粗糙度及镀层孔隙率进行表征,其次采用中性盐雾腐蚀试验和电化学测试比较了两种方法制备出的纯银镀层的耐蚀性。研究结果表明:磁控溅射纯银镀层呈细小、紧密的颗粒状结构,具有更好的厚度均匀性且为柱状晶生长模式;电镀纯银镀层呈沟壑起伏分布的粗大结构且平整性较差,前者具有更好的结晶度。磁控溅射获得的纯银镀层粗糙度较电镀纯银镀层下降22.5%,孔隙率较电镀银镀层也显著降低,为0.26%。磁控溅射纯银镀层经过192 h的盐雾腐蚀,未见明显腐蚀痕迹,依旧呈现亮白色光泽;电镀纯银镀层在腐蚀24 h后可见明显腐蚀斑点。通过电化学测试发现磁控溅射纯银镀层的腐蚀电流密度较电镀纯银镀层下降了48.3%。两者耐蚀性的差异主要源于磁控溅射过程中高能粒子之间的相互碰撞,使得银粒子在基体表面更加紧密地堆积,一定程度上阻断了腐蚀通道。同时溅射粒子在沉积表面具有较强的迁移能力,更易形成低缺陷的晶体结构,且较低的粗糙度与孔隙率使得磁控溅射纯银镀层在腐蚀环境中与腐蚀介质的实际接触面积更小,因此磁控溅射纯银镀层比电镀纯银镀层的耐蚀性能更优。

用N_2O-C_2H_2原子吸收光谱法测定纯银中的铁

作者提出运用N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定银锌电池纯银中的铁含量。介绍了最佳测定条件以及呈良好线性范围的浓度。同时对样品的消化处理条件,测定中的干扰因素进行了综合考虑。方法的灵敏度好,其准确度与精密度更好的满足银锌电池研制工作的要求。测定样品铁含量相对标准偏差均<1.0%(测定次数n=6)。加标回收率均在97%～100%(n=6)。适用于银锌电池纯银中铁的测定。

硝酸银对雌性系黄瓜的诱雄效应

为黄瓜育种中利用雌性系黄瓜诱导产生雄花效应提供依据,选择黄瓜纯雌型1865株系为供试材料,研究不同苗龄期施用不同浓度硝酸银与施药次数对黄瓜诱雄效果的影响。结果表明:喷施时期越早,第1雄花节位越低;1叶一心期450mg/L硝酸银溶液喷施1次诱导的雄花数量最多,前20节雄花为27.0朵;但早期对植株的伤害也最大,萎蔫率达50%;2叶一心期400mg/L硝酸银溶液喷施5次的诱雄效果最佳,雄花为38.0朵,硝酸银处理黄瓜雌性系从喷药到出现第1朵雄花的时间差为18~21d。硝酸银对黄瓜雌性系诱雄有一定的持续时间,但增加喷药次数可以延长其作用时间、提高雄花出现的最高节位。

用杂银为原料生产高纯硝酸银工艺

对以杂银为原料经化学分离、提纯制成高纯银粉 ,再进一步生产出试剂级和高纯级硝酸银的工艺原理、方法、流程和经济效益进行了分析、探讨 。

空间砷化镓太阳电池焊接一致性量化研究

空间砷化镓太阳电池采用焊接的方式将互连材料连到电池上以引出电极。目前国内空间砷化镓太阳电池的焊接普遍采用平行间隙电阻焊技术,互连材料采用纯银箔。通过实验,找出了银箔的不同厚度、不同硬度与抗拉强度和伸长率的关系以及相应的焊接质量,确定了在一定的焊接模式和焊接参数下保证焊接一致性良好的银箔量化参数。

纯镁载银微弧氧化生物涂层的体外抗菌作用

镁基金属材料具有生物可降解性、优异的生物活性和一定抑制细菌能力。本文在超声微弧氧化电解液添加Ag NO3,获得载银生物涂层,不仅可以缓解镁基材料降解过快,而且可以预防植入前期的感染问题。本实验在电解液中添加0.03 g/L、0.05 g/L、0.08 g/L的Ag NO3为实验组,在纯镁表面制备含Ag量不同的涂层与大肠杆菌和金黄色葡萄球菌共同培养,检测抗菌性。结果表明:不添加银的微弧氧化涂层没有抗菌性,当电解液中Ag NO3添加量为0.03 g/L时获得的涂层有抗菌作用,当Ag NO3添加量超过0.05 g/L,获得的涂层对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌均具有强抗菌性能。

ICP-AES测定纯银中23种微量杂质元素

采用ICP-AES对纯银中23种杂质元素进行连续测定,以评价纯银的质量.分析讨论了谱线的选择、盐效应和酸效应等因素的影响,并对所建立的方法进行方法学验证.利用所建立的分析方法,采用工作曲线对试剂空白溶液进行了11次测定,结果显示23种杂质元素线性关系良好(r≥0.9994),检测限为0.0005~0.0108 mg.L^(-1),加标回收率在96.8%~104.6%之间,相对标准偏差(RSD n=10)在4.01%~7.85%之间.该方法简便易行、准确可靠、灵敏度高,能满足纯银中23种杂质元素的连续检测.

纯银含银量分析方法的误差及改进

本文研究现有分析方法的误差及改进方法．ＮａＣｌ溶液的加入量使用称重法．消除了移液管加液的偶然误差，用电位滴定法代替比浊法，原子吸收法消除了氯化银部分溶液造成的系统误差．新分析方法具有较高的精密度．

纯银首饰铸造气孔的形成及防治措施

气孔是铸造纯银首饰的主要缺陷之一,其根本原因是氢、氧等气体在熔融银液与固态银中巨大的溶解度差别而析出造成的。减少或避免纯银首饰中的气孔,熔炼铸造过程中必须采用适当的保护和除气措施,尽量减少进入金属液中的气体,并促使金属液中的气体在浇注前释放出来。实践证明,采用纯净干燥炉料、控制回用料比例、真空回充惰性气体保护、还原性火焰保护、液面覆盖木炭或脱水硼砂、吹氩脱气、多次冷凝和重熔等措施可有效降低气孔的产生。

纯银型材加工过程中的常见缺陷

纯银型材常用作冲压首饰生产的基础材料,其质量状况是获得优质产品的前提。该文对纯银型材加工过程的铸锭、冷变形、退火等关键工序进行了现场调查,采用体视显微镜等进行了分析,总结了几种常见缺陷及其产生的原因,旨在生产实践过程中采取改进措施,获得优质纯银型材。

发射光谱法测定高纯银中微量金、铂、钯、铑、铱、锑、铅、铋、铁、铜、镍、铬、铝和锌

本文研究了贵金属标准溶液除氯离子的有关问题，解决了高纯硝酸银中贵金属等杂质元素的标样配制，以硝酸银直接压样于普通电极中直流电弧激发，可测定９９．０～９９．９９％的高纯银，该方法简便、快速、准确。

超高纯银的制备研究

采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质成分进行了分析。结果表明,控制电解液中的银含量在500-540 g/L,电流密度600-1000 A/m^2,温度为30-40℃,同极极间距为10 cm,多孔钛网作阴极,可以得到总杂质含量小于1×10^-6的6N超高纯银。

CaO-MgO-SiO_2-B_2O_3低温助烧BaZrO_3微波介质陶瓷的性能

以CaO-MgO-SiO2-B2O(3CMSB)玻璃为烧结助剂,低温烧结制备了BaZrO3微波介质陶瓷,研究了CMSB加入量对BaZrO3陶瓷的烧结温度、结构及性能的影响。结果表明,CMSB的加入大幅度降低了BaZrO3陶瓷的烧结温度,当CMSB质量分数为33%时,所制陶瓷烧结温度降低到910℃,瓷体致密,密度为4.32g/cm3。1MHz频率下,Q值达4000,该陶瓷已用于批量生产高Q值的微波陶瓷电容器。