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基于超谐波注入锁定的低相噪QVCO的设计 被引量:2
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作者 许亚兰 江金光 刘江华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期182-187,204,共7页
对基于注入锁定的正交压控振荡器(QVCO)电路进行了研究和分析,设计了一个低相位噪声、低相位误差的QVCO电路,该电路由两个电感电容压控振荡器(LC VCO)在正交相位进行超谐波耦合,通过一个频率倍增器在交叉耦合对的共模信号点注入同步信... 对基于注入锁定的正交压控振荡器(QVCO)电路进行了研究和分析,设计了一个低相位噪声、低相位误差的QVCO电路,该电路由两个电感电容压控振荡器(LC VCO)在正交相位进行超谐波耦合,通过一个频率倍增器在交叉耦合对的共模信号点注入同步信号。通过对相位误差公式的推导,提出了降低相位误差的方法,由于该电路在共模点采用二倍频取样,抑制了尾电流的闪烁噪声,降低了相位噪声。电路基于TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现,测试结果表明,当谐振频率从4.5 GHz调谐到4.9 GHz时,在电源电压为1.8 V时,电路消耗功率为13 m W,1 MHz频偏处的单边带(SSB)相位噪声为-129.95 d Bc/Hz,与传统的QVCO相比,噪声性能得到了改善。 展开更多
关键词 正交压控振荡器(qvco) 注入锁定 倍频器 相位误差 相位噪声
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一种新型低相位噪声低功耗Colpitts QVCO设计 被引量:1
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作者 李相敏 贾亮 康壮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期664-668,共5页
设计了一种新型的低相位噪声低功耗Colpitts正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO采用电流开关技术降低相位噪声,采用跨导增强技术改善核心电路的起振条件,并基于器件重用技术实现电路的反向注入锁定。提出的Colpitts QVCO比交叉耦合LC VCO... 设计了一种新型的低相位噪声低功耗Colpitts正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO采用电流开关技术降低相位噪声,采用跨导增强技术改善核心电路的起振条件,并基于器件重用技术实现电路的反向注入锁定。提出的Colpitts QVCO比交叉耦合LC VCO的相位噪声更低,并且比传统QVCO的相位噪声、正交相位精度以及调谐范围的性能更优。最终基于0.18μm CMOS工艺流片实现的Colpitts QVCO在1.5 V工作电压下,功耗为0.9 m W,振荡频率为4.8-5.6 GHz,调谐范围高达15.4%,在中心振荡频率5.2 GHz处的相位噪声为-115.8 d Bc/Hz@1 MHz,正交相位误差为0.3°,此QVCO的芯片面积为0.5 mm×1 mm。 展开更多
关键词 Colpitts正交压控振荡器(qvco) 低功耗 低相位噪声 电流开关 跨导增强
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具有高线性调谐特性的1.2GHz CMOS频率综合器 被引量:4
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作者 李振荣 庄奕琪 龙强 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期853-858,共6页
基于0.18μmRF CMOS工艺实现了一个1.2GHz高线性低噪声正交输出频率综合器,该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪LC压控振荡器;降低了系统对锁相环中其他模块的要求;基于源板耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高... 基于0.18μmRF CMOS工艺实现了一个1.2GHz高线性低噪声正交输出频率综合器,该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪LC压控振荡器;降低了系统对锁相环中其他模块的要求;基于源板耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高速二分频,采用“与非”触发器结构实现了高速双模预分频,并集成了数控鉴频鉴相器和全差分电荷泵,获得了良好的频率综合器环路性能.对于1.21GHz的本振信号,在100kHz和1MHz频偏处的相位噪声分别为-99.1dBc/Hz和-123.48dBc/Hz.该频率综合器具有从1.13~1.33GHz的输出频率范围。工作电压1.8V时,芯片整体功耗20.4mW,芯片面积(1.5×1.25)mm^2。 展开更多
关键词 频率综合器 相位噪声 锁相环 正交输出 压控振荡器
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正交相位输出压控振荡器的低相位噪声优化设计 被引量:2
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作者 祁楠 李国林 《电子技术应用》 北大核心 2008年第8期65-68,共4页
分析了负阻结构 LC 压控振荡器各组成部分对相位噪声的贡献途径及优化方法;介绍了利用两独立 VCO 核心输出正交相位信号的原理及其相位噪声优化方法;利用所得结论设计出工作于 ISM波段2.4GHz 的 QVCO,相位噪声在100kHz、1MHz 和3MHz 频... 分析了负阻结构 LC 压控振荡器各组成部分对相位噪声的贡献途径及优化方法;介绍了利用两独立 VCO 核心输出正交相位信号的原理及其相位噪声优化方法;利用所得结论设计出工作于 ISM波段2.4GHz 的 QVCO,相位噪声在100kHz、1MHz 和3MHz 频偏处分别达到-103.3、-121.1和-125.9dBc/Hz,仅消耗功率3.8 mW;所设计电路利用 HJTC0.18μm工艺制造,占用芯片面积0.75mm×1mm。 展开更多
关键词 压控振荡器 相位噪声 功耗 正交相位输出振荡器
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标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计 被引量:1
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作者 潘达杉 黄金明 +1 位作者 冯勇 闵昊 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期94-99,共6页
正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦... 正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°. 展开更多
关键词 qvco PHASE noise CMOS工艺
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A 9.8-mW 1.2-GHz CMOS frequency synthesizer with a low phase-noise LC-VCO and an I/Q frequency divider
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作者 李振荣 庄奕琪 +1 位作者 李兵 靳刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期108-114,共7页
A 1.2 GHz frequency synthesizer integrated in a RF receiver for Beidou navigation is implemented in standard 0.18μm CMOS technology.A distributed biased varactor LC voltage-controlled oscillator is employed to achiev... A 1.2 GHz frequency synthesizer integrated in a RF receiver for Beidou navigation is implemented in standard 0.18μm CMOS technology.A distributed biased varactor LC voltage-controlled oscillator is employed to achieve low tuning sensitivity and optimized phase noise performance.A high-speed and low-switching-noise divider-by-2 circuit based on a source-coupled logic structure is adopted to generate a quadrature(I/Q) local oscillating signal.A high-speed 8/9 dual-modulus prescaler(DMP),a programmable-delay phase frequency detector without dead-zone problem,and a programmable-current charge pump are also integrated into the frequency synthesizer. The frequency synthesizer demonstrates an output frequency from 1.05 to 1.30 GHz,and the phase noise is-98.53 dBc/Hz at 100-kHz offset and -121.92 dBc/Hz at 1-MHz offset from the carrier frequency of 1.21 GHz. The power dissipation of the core circuits without the output buffer is 9.8 mW from a 1.8 V power supply.The total area of the receiver is 2.4×1.6 mm^2. 展开更多
关键词 Beidou receiver frequency synthesizer voltage-controlled oscillator quadrature output divider phase noise
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Design of 25 Gbit/s half-rate CDR with 1:2 demultiplexer for 100 GbE optical interconnects
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作者 Hu Zhengfei Chen Yingmei +1 位作者 Yao Jianguo Xue Shaojia 《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》 EI CSCD 2015年第2期96-100,共5页
A 25 Gbit/s clock and data recovery (CDR) circuit with 1:2 demultiplexer for 100 Gbit/s Ethemet (100 GbE) optical interconnects has been designed and fabricated in Taiwan Semiconductor Manufacture Company (TSMC... A 25 Gbit/s clock and data recovery (CDR) circuit with 1:2 demultiplexer for 100 Gbit/s Ethemet (100 GbE) optical interconnects has been designed and fabricated in Taiwan Semiconductor Manufacture Company (TSMC) 65nm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. A novel quadrature voltage-controlled-oscillator (QVCO) structure adopts two pairs of transconductance cell and inverters to acquire rail-to-rail output swing. A half-rate bang-bang phase detector adopts four flip-flops array to sample the 25 Gbit/s input data and align the data phase, so the 25 Gbit/s data are retimed and demultiplexed into two paths 12.5 Gbit/s output data. Experimental results show that the recovered clock exhibits a peak-to-peak jitter of 7.39 ps and the recovered data presents a peak-to-peak jitter of 7.56 ps, in response to 231 - 1 pseudorandom bit sequence (PRBS) input. For 1.2 V voltage supply, the CDR circuit consumes 92 mW (excluding output buffers). 展开更多
关键词 CDR bang-bang phase detector quadrature voltage-controlled oscillator (qvco 100 GbE
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