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A Polaron in a Quantum Dot quantum Well 被引量:3
1
作者 ZHANGLi XIEHong-Jing 等 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2002年第6期755-758,共4页
The polaron effect in a quantum dot quantum well (QDQW)system is investigated by using the perturbation method. Both the bound electron states outside and inside the shell well are taken into account . Numerical calcu... The polaron effect in a quantum dot quantum well (QDQW)system is investigated by using the perturbation method. Both the bound electron states outside and inside the shell well are taken into account . Numerical calculation on the CdS/HgS QDQW shows that the phonon correction to the electron ground state energy is quite significant and cannot be neglected. 展开更多
关键词 POLARON quantum dot quantum well
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Bound polarons in quantum dot quantum well structures 被引量:2
2
作者 邢雁 王志平 王旭 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期1935-1941,共7页
The problem of bound polarons in quantum dot quantum well (QDQW) structures is studied theoretically. The eigenfrequencies of bulk longitudinal optical (LO) and surface optical (SO) modes are derived in the fram... The problem of bound polarons in quantum dot quantum well (QDQW) structures is studied theoretically. The eigenfrequencies of bulk longitudinal optical (LO) and surface optical (SO) modes are derived in the framework of the dielectric continuum approximation. The electron-phonon interaction Hamiltonian for QDQW structures is obtained and the exchange interaction between impurity and LO-phonons is discussed. The binding energy and the trapping energy of the bound polaron in CdS/HgS QDQW structures are calculated. The numerical results reveal that there exist three branches of eigenfrequencies of surface optical vibration in the CdS/HgS QDQW structure. It is also shown that the binding energy and the trapping energy increase as the inner radius of the QDQW structure decreases, with the outer radius fixed, and the trapping energy takes a major part of the binding energy when the inner radius is very small. 展开更多
关键词 bound polaron quantum dot quantum well
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Electron Raman scattering in a HgS/CdS spherical quantum dot quantum well 被引量:1
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作者 钟庆湖 赖丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第12期13-16,共4页
Electron Raman scattering (ERS) is investigated in a spherical HgS/CdS quantum dot quantum well (QDQW). The differential cross section (DCS) is calculated as a function of the scattering frequency and the sizes ... Electron Raman scattering (ERS) is investigated in a spherical HgS/CdS quantum dot quantum well (QDQW). The differential cross section (DCS) is calculated as a function of the scattering frequency and the sizes of QDQW. Single parabolic conduction and valence bands are assumed. The selection rules for the processes are studied. Singularities in the spectra are found and interpreted. The ERS studied here can be used to provide direct information about the electron band structure of these systems. 展开更多
关键词 Electron Raman scattering quantum dot quantum well differential cross-section selection rule
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Quantum Coupling Effect between Quantum Dot and Quantum Well in a Resonant Tunneling Photon-Number-Resolving Detector
4
作者 翁钱春 安正华 +1 位作者 熊大元 朱自强 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第10期162-165,共4页
Excited states of lnAs quantum dots (QDs) can be energetically coupled with the confined level of OaAs quantum wells (QWs) in a thin-barrier resonant tunneling diode (RTD). Single charge variation in the coupled... Excited states of lnAs quantum dots (QDs) can be energetically coupled with the confined level of OaAs quantum wells (QWs) in a thin-barrier resonant tunneling diode (RTD). Single charge variation in the coupled QD can effectively switch on/off the resonant tunneling current passing through RTD, not only for emcient single-photon detection but also for photon-number-resolving detection. We present the study of the Q,D-QW coupling effect in the quantum dot coupled resonant tunneling diode (QD-cRTD) and figure out important factors for further improving the detector performance. 展开更多
关键词 quantum Coupling Effect between quantum dot and quantum well in a Resonant Tunneling Photon-Number-Resolving Detector RTD QDs
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Synthesis of ZnO quantum dots and their agglomeration mechanisms along with emission spectra based on ageing time and temperature
5
作者 乔泊 赵谡玲 +1 位作者 徐征 徐叙瑢 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期149-152,共4页
The ZnO quantum dots(QDs) were synthesized with improved chemical solution method.The size of the ZnO QDs is exceedingly uniform with a diameter of approximately 4.8 nm,which are homogeneously dispersed in ethanol.T... The ZnO quantum dots(QDs) were synthesized with improved chemical solution method.The size of the ZnO QDs is exceedingly uniform with a diameter of approximately 4.8 nm,which are homogeneously dispersed in ethanol.The optical absorption edge shifts from 370 nm of bulk material to 359 nm of QD materials due to the quantum size effect,while the photoluminescence peak shifts from 375 nm to 387 nm with the increase of the density of ZnO QDs.The stability of ZnO QDs was studied with different dispersion degrees at 0?C and at room temperature of 25?C.The agglomeration mechanisms and their relationship with the emission spectra were uncovered for the first time.With the ageing of Zn O QDs,the agglomeration is aggravated and the surface defects increase,which leads to the defect emission. 展开更多
关键词 ZnO quantum dots quantum blue shift agglomeration mechanism stability
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GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展
6
作者 马玉麟 郭祥 丁召 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期25-37,共13页
稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。 展开更多
关键词 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜 多量子阱材料 量子点材料 MBE MOVPE
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Advances in quantum dot-mediated siRNA delivery 被引量:3
7
作者 Zhi-Yao He Zhao-Hui Jin +3 位作者 Mei Zhan Zhou Qin Zhi Li Ting Xu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第9期1851-1856,共6页
Nano-sized quantum dots(QDs) exhibit uniquely optical properties that are tunable with different sizes and shapes.QDs can emit narrow symmetric bands under a wide excitation range,possess antiphotobleaching stabilit... Nano-sized quantum dots(QDs) exhibit uniquely optical properties that are tunable with different sizes and shapes.QDs can emit narrow symmetric bands under a wide excitation range,possess antiphotobleaching stability,and be bio-functionalized on the large surface area.Therefore,QDs are attractive vectors for imaging-guided therapy.Small-interfering RNA(siRNAs)-based therapeutics hold great potential to target a large part of the currently undruggable genes,but overcoming the lipid bilayer to deliver siRNA into cells has remained a major challenge to solve for widespread development of siRNA therapeutics.In this mini-review,we focus on theranostic QD/siRNA assembles for enhancing delivery of siRNA and facilitating evaluation of therapeutic efficacy via imaging of QDs,with special attention to carbonaceous QDs for delivery of siRNA. 展开更多
关键词 quantum dot Carbon quantum dot Small-interfering RNA Theranostic Gene delivery Gene therapy
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Optical trapping of single quantum dots for cavity quantum electrodynamics 被引量:1
8
作者 PENGFEI ZHANG GANG SONG LI YU 《Photonics Research》 SCIE EI 2018年第3期182-185,共4页
We report here a nanostructure that traps single quantum dots for studying strong cavity-emitter coupling. The nanostructure is designed with two elliptical holes in a thin silver patch and a slot that connects the ho... We report here a nanostructure that traps single quantum dots for studying strong cavity-emitter coupling. The nanostructure is designed with two elliptical holes in a thin silver patch and a slot that connects the holes. This structure has two functionalities:(1) tweezers for optical trapping;(2) a plasmonic resonant cavity for quantum electrodynamics. The electromagnetic response of the cavity is calculated by finite-difference time-domain(FDTD) simulations, and the optical force is characterized based on the Maxwell's stress tensor method. To be tweezers, this structure tends to trap quantum dots at the edges of its tips where light is significantly confined. To be a plasmonic cavity, its plasmonic resonant mode interacts strongly with the trapped quantum dots due to the enhanced electric field. Rabi splitting and anti-crossing phenomena are observed in the calculated scattering spectra, demonstrating that a strong-coupling regime has been achieved. The method present here provides a robust way to position a single quantum dot in a nanocavity for investigating cavity quantum electrodynamics. 展开更多
关键词 Optical trapping of single quantum dots for cavity quantum electrodynamics
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Quantum dot quantum cascade photodetector using a laser structure
9
作者 Fengjiao Wang Ning Zhuo +6 位作者 Shuman Liu Fei Ren Shenqiang Zhai Junqi Liu Jinchuan Zhang Fengqi Liu Zhanguo Wang 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期85-89,共5页
We report on a quantum dot quantum cascade detector(QD-QCD), whose structure is derived from a QD cascade laser. In this structure, more ordered In As QD layers formed in the Stranski-Krastanow growth mode on a thin... We report on a quantum dot quantum cascade detector(QD-QCD), whose structure is derived from a QD cascade laser. In this structure, more ordered In As QD layers formed in the Stranski-Krastanow growth mode on a thin Ga As buffer layer are incorporated into the active region. This QD-QCD can operate up to room temperature with a peak detection wavelength of 5.8 μm. A responsivity of 3.1 mA/W at 160 K and a detectivity of 3.6 × 10~8 Jones at 77 K are obtained. The initial performance of the detector is promising, and, by further optimizing the growth of InA s QDs, integrated QD-quantum cascade laser/QCD applications are expected. 展开更多
关键词 As In quantum dot quantum cascade photodetector using a laser structure QDS QCD
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Room temperature continuous wave operation of 1.33-um InAs/GaAs quantum dot laser with high output power
10
作者 韩勤 牛智川 +8 位作者 倪海桥 张石勇 杨晓红 杜云 佟存柱 赵欢 徐应强 彭红玲 吴荣汉 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第7期413-415,共3页
Continuous wave operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum wells as an active region is demonstrated. At room temperature, 355-mW... Continuous wave operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum wells as an active region is demonstrated. At room temperature, 355-mW output power at ground state of 1.33-1.35 μm for a 20-μm ridge-waveguide laser without facet coating is achieved. By optimizing the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions, the QD density per layer is raised to 4 × 10^10 cm^-2. The laser keeps lasing at ground state until the temperature reaches 65 ℃. 展开更多
关键词 Continuous wave lasers Epitaxial growth Molecular beam epitaxy Semiconducting indium gallium arsenide Semiconductor quantum dots Semiconductor quantum wells
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量子点量子阱中束缚态的能级结构(英文) 被引量:5
11
作者 张立 谢洪鲸 +1 位作者 陈传誉 龚映清 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期338-344,共7页
在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量... 在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量子点体系明显不同;对某个固定的量子点量子阱结构,随量子数n的增加,CdS/HgS量子点量子阱体系中的束缚电子态的能级间隔不是单调增加的,在某些量子数n处存在峰值,而ZnS/CdSe量子点量子阱体系中的空穴束缚态的能级间隔则是单调增加的,这是由构成量子点量子阱的材料的有效质量比率不同造成的。 展开更多
关键词 能级结构 量子点量子阱 束缚态 电子 数值计算 ZnS/CdSe 硫化锌 碲化镉
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柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质 被引量:8
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作者 赵翠兰 丁朝华 肖景林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1925-1928,共4页
应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质.对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小... 应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质.对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小而增加,且柱高愈小,增加速度愈快;激发态能量随温度的升高而增加.这些结论说明,由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强. 展开更多
关键词 量子点 磁极化子 特征频率 量子阱
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ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱的荧光衰减 被引量:4
13
作者 曹立新 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期81-84,共4页
采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱 ,并对其光谱性质进行了研究。结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀 ,平均粒径为 4 5nm ,发光峰位于 5 1 5nm左右 ,归属于CdS体内的施主 受主对复合。ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS... 采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱 ,并对其光谱性质进行了研究。结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀 ,平均粒径为 4 5nm ,发光峰位于 5 1 5nm左右 ,归属于CdS体内的施主 受主对复合。ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS的发光比核 壳结构的ZnS/CdS量子点增强了近四倍 。 展开更多
关键词 量子点 量子阱 ZNS CdS 发光 半导体 荧光衰减 硫化锌 硫化镉 光谱性质
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量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性 被引量:1
14
作者 羊亿 申德振 +2 位作者 张吉英 杨宝均 范希武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期50-52,共3页
运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱 (QDQW )结构 ,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构 ,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响 ,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用 ,并归因于隧道效应 (Tunneling... 运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱 (QDQW )结构 ,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构 ,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响 ,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用 ,并归因于隧道效应 (TunnelingEffect)的存在。 展开更多
关键词 量子点 量子阱 隧道效应 半导体 光学特性 制备
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核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1se1sh激子光跃迁的受激光子回波研究 被引量:2
15
作者 龚少华 傅军 +1 位作者 符运良 沈振江 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期54-60,共7页
在建模和理论分析的基础上,对三脉冲飞秒激光作用下核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1se1sh激子光跃迁引起的受激光子回波效应进行了深入研究.运用有效质量近似方法求解了载流子的静态薛定谔方程,得到能量本征值和对应波函数.基于光学Bl... 在建模和理论分析的基础上,对三脉冲飞秒激光作用下核壳结构CdSe/ZnS量子点量子阱中1se1sh激子光跃迁引起的受激光子回波效应进行了深入研究.运用有效质量近似方法求解了载流子的静态薛定谔方程,得到能量本征值和对应波函数.基于光学Bloch方程,分析了受激光子回波的参量相关性.结果显示受激光子回波信号可以通过量子点量子阱结构和尺寸的改变进行有效调节.同时,在量子尺寸限制理论的基础上讨论了结构和尺寸的变化对受激光子回波信号的具体影响. 展开更多
关键词 受激光子回波 核壳结构量子点量子阱 光学Bloch方程
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InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质 被引量:1
16
作者 孔令民 姚建明 吴正云 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期198-201,共4页
在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研... 在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性。研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰。在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV。 展开更多
关键词 自组装InAs量子点 量子阱 时间分辨谱
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Si基Ge异质结构发光器件的研究进展 被引量:3
17
作者 刘智 李传波 +1 位作者 薛春来 成步文 《中国光学》 EI CAS 2013年第4期449-456,共8页
近年来,与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展。本文概述了Si基Ge异质结构发光器件的最新成果,如Ge/Si量子点发光二极管、Si衬底上的Ge发光二极管及激光器和Ge/SiGe多量子阱发光二极管,分别描述了这些器件的... 近年来,与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展。本文概述了Si基Ge异质结构发光器件的最新成果,如Ge/Si量子点发光二极管、Si衬底上的Ge发光二极管及激光器和Ge/SiGe多量子阱发光二极管,分别描述了这些器件的特点和增强其发光特性的途径。最后展望了Si基Ge异质结构发光器件的发展趋势,指出尽管Si基Ge异质结构发光器件获得了很大的发展,但是器件的发光效率仍然很低,离实用还有一定距离,还需要在材料和器件的结构方面有更多的创新。 展开更多
关键词 发光器件 发光二极管 Ge Ge Si量子点 Ge SiGe量子阱
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超辐射发光二极管的研究进展 被引量:9
18
作者 段成丽 王振 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期361-365,400,共6页
超辐射发光二极管(SLD)是一种宽光谱光源,广泛用于光纤陀螺、光学相干断层扫描等领域。高性能SLD要求同时实现大功率和宽光谱输出,航天领域相关应用还要求其具有较高的抗辐射性能。本文从如何实现大功率、宽光谱输出和抗辐射加固等几方... 超辐射发光二极管(SLD)是一种宽光谱光源,广泛用于光纤陀螺、光学相干断层扫描等领域。高性能SLD要求同时实现大功率和宽光谱输出,航天领域相关应用还要求其具有较高的抗辐射性能。本文从如何实现大功率、宽光谱输出和抗辐射加固等几方面介绍了SLD的研究进展,并对其未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 超辐射发光二极管 量子阱 量子点 大功率 宽光谱 抗辐射
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现代光电子的发展现状、特征和趋势 被引量:5
19
作者 康志龙 辛国锋 +1 位作者 陈国鹰 谢红云 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第5期1-7,共7页
系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势.
关键词 光电子器件 半导体激光器 量子阱 量子线 量子点
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量子点量子阱中的三阶非线性光学特性的研究(英文) 被引量:5
20
作者 张立 《量子光学学报》 CSCD 2004年第1期5-10,共6页
利用紧致密度矩阵近似方法,研究了一个特殊量子点量子阱中的三阶非线性光学特性(三次谐波产生),得到了量子点量子阱系统的三次谐波产生系数的解析表达式,而且考虑了量子点量子阱系统中的两种电子束缚态-壳层阱内与阱外两种束缚态。对CdS... 利用紧致密度矩阵近似方法,研究了一个特殊量子点量子阱中的三阶非线性光学特性(三次谐波产生),得到了量子点量子阱系统的三次谐波产生系数的解析表达式,而且考虑了量子点量子阱系统中的两种电子束缚态-壳层阱内与阱外两种束缚态。对CdS/HgS构成的典型的量子点量子阱进行了数值计算,得到了10-15(m/v)2量级的三次谐波产生系数,并且绘出了三次谐波产生系数作为量子点量子阱的尺寸和泵浦光子能量的函数曲线,最后对曲线的特征及其形成的原因进行了解析。 展开更多
关键词 量子点 量子阱 三阶非线性光学 紧致密度矩阵近似 三次谐波 束缚态 量子光学
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