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Point-defect engineering of nanoporous CuBi_(2)O_(4) photocathode via rapid thermal processing for enhanced photoelectrochemical activity 被引量:1
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作者 Li Qu Runfa Tan +5 位作者 Arumugam Sivanantham Min Je Kang Yoo Jae Jeong Dong Hyun Seo Sungkyu Kim In Sun Cho 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第8期201-209,I0007,共10页
Engineering point defects such as metal and oxygen vacancies play a crucial role in manipulating the electrical,optical,and catalytic properties of oxide semiconductors for solar water splitting.Herein,we synthesized ... Engineering point defects such as metal and oxygen vacancies play a crucial role in manipulating the electrical,optical,and catalytic properties of oxide semiconductors for solar water splitting.Herein,we synthesized nanoporous CuBi_(2)O_(4)(np-CBO)photocathodes and engineered their surface point defects via rapid thermal processing(RTP)in controlled atmospheres(O_(2),N_(2),and vacuum).We found that the O_(2)-RTP treatment of np-CBO increased the charge carrier density effectively without hampering the nanoporous morphology,which was attributed to the formation of copper vacancies(VCu).Further analyses revealed that the amounts of oxygen vacancies(Vo)and Cu^(1+)were reduced simultaneously,and the relative electrochemical active surface area increased after the O_(2)-RTP treatment.Notably,the point defects(VC_(u),Cu^(1+),and Vo)regulated np-CBO achieved a superb water-splitting photocurrent density of-1.81 m A cm^(-2) under simulated sunlight illumination,which is attributed to the enhanced charge transport and transfer properties resulting from the regulated surface point defects.Finally,the reversibility of the formation of the point defects was checked by sequential RTP treatments(O_(2)-N_(2)-O_(2)-N_(2)),demonstrating the strong dependence of photocurrent response on the RTP cycles.Conclusively,the surface point defect engineering via RTP treatment in a controlled atmosphere is a rapid and facile strategy to promote charge transport and transfer properties of photoelectrodes for efficient solar water-splitting. 展开更多
关键词 NANOPOROUS Copper bismuth oxide rapid thermal processing Copper vacancy Charge transport
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Design of Rapid Thermal Processing for Large Diameter Wafer
2
作者 YANG Hong-guan WEN Li-qun DAI Da-kang YU Biao 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2006年第4期265-269,共5页
The relationship between the arrangement of tungsten-halogen lamps and the uniformity of irradiance received by the wafer is discussed, and a sort of axial-symmetrical lamps-array is designed to guarantee that the irr... The relationship between the arrangement of tungsten-halogen lamps and the uniformity of irradiance received by the wafer is discussed, and a sort of axial-symmetrical lamps-array is designed to guarantee that the irradiation on the edge is approximately the same as the one on the center of the wafer. The magnitude of temperature on the wafer vs. the power of tungsten-halogen lamps is calculated numerically. 展开更多
关键词 rapid thermal processing rapid thermal annealing Tungsten-halogen lamp Large diameter wafer
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Preparation and modification of VO_2 thin film on R-sapphire substrate by rapid thermal process
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作者 朱乃伟 胡明 +2 位作者 夏晓旭 韦晓莹 梁继然 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期649-654,共6页
The VO2 thin film with high performance of metal-insulator transition (MIT) is prepared on R-sapphire substrate for the first time by magnetron sputtering with rapid thermal process (RTP). The electrical character... The VO2 thin film with high performance of metal-insulator transition (MIT) is prepared on R-sapphire substrate for the first time by magnetron sputtering with rapid thermal process (RTP). The electrical characteristic and THz transmittance of MIT in VO2 film are studied by four-point probe method and THz time domain spectrum (THz-TDS). X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), and search engine marketing (SEM) are employed to analyze the crystalline structure, valence state, surface morphology of the film. Results indicate that the properties of VO2 film which is oxidized from the metal vanadium film in oxygen atmosphere are improved with a follow- up RTP modification in nitrogen atmosphere. The crystallization and components of VO2 film are improved and the film becomes compact and uniform. A better phase transition performance is shown that the resistance changes nearly 3 orders of magnitude with a 2-~C hysteresis width and the THz transmittances are reduced by 64% and 60% in thermal and optical excitation respectively. 展开更多
关键词 rapid thermal process V02 thin film phase transition MODIFICATION
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Emitter of hetero-junction solar cells created using pulsed rapid thermal annealing
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作者 许颖 刁宏伟 +2 位作者 郝会颖 曾湘波 廖显伯 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第10期2397-2401,共5页
In this paper, we use a pulsed rapid thermal processing (RTP) approach to create an emitter layer of heterojunction solar cell. The process parameters and crystallization behaviour are studied. The structural, optic... In this paper, we use a pulsed rapid thermal processing (RTP) approach to create an emitter layer of heterojunction solar cell. The process parameters and crystallization behaviour are studied. The structural, optical and electric properties of the crystallized films are also investigated. Both the depth of PN junction and the conductivity of the emitter layer increase with the number of RTP pulses increasing. Simulation results show that efficiencies of such solar cells can exceed 15% with a lower interface recombination rate, but the highest efficiency is 11.65% in our experiments. 展开更多
关键词 EMITTER rapid thermal processing (rtp PECVD solar cell
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基于RTP热处理的Bi/Te多层膜的热电性能 被引量:1
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作者 付贤松 孙伟 +2 位作者 张建新 马楷 李海林 《天津工业大学学报》 北大核心 2017年第5期68-73,共6页
为改善薄膜热电材料的热电性能,通过磁控溅射制备多层Bi/Te薄膜材料,并用常压高温环境对样品进行快速热退火(RTP),以期在较短时间内获得更高的热电参数.结果表明:Seebeck系数与功率因数最大值与退火温度呈正相关,在400℃退火2~11min,See... 为改善薄膜热电材料的热电性能,通过磁控溅射制备多层Bi/Te薄膜材料,并用常压高温环境对样品进行快速热退火(RTP),以期在较短时间内获得更高的热电参数.结果表明:Seebeck系数与功率因数最大值与退火温度呈正相关,在400℃退火2~11min,Seebeck系数极大值为-190.41μV/K,功率因数最大值为8.28μW/(K^2·m);随着退火温度的升高,Seebeck系数、载流子浓度、载流子迁移率、电导率和功率因数的振荡幅度也随之加大,并且载流子浓度与Seebeck系数呈反比关系,与电导率呈正比关系,这说明通过改变材料结构和高温快速退火可以得到较高的热电参数,同时保证薄膜的完整性. 展开更多
关键词 Bi/Te多层薄膜 SEEBECK系数 rtp 磁控溅射
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用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
6
作者 张丽伟 李红菊 +3 位作者 李瑞 卢景霄 张宇翔 王新昌 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期531-533,共3页
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功... 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。 展开更多
关键词 硅薄膜 柱状结晶 快速热退火 扫描电子显微镜
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RTP硅太阳电池的研究进展 被引量:2
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作者 查超麟 刘祖明 +2 位作者 陈庭金 李景天 张忠文 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2003年第4期25-33,共9页
用快速热处理 ( RTP,Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池 p-n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对 RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了 RTP快速扩散模型和回顾了 RTP硅太... 用快速热处理 ( RTP,Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池 p-n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对 RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了 RTP快速扩散模型和回顾了 RTP硅太阳电池的发展过程 ,提出了 RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。 展开更多
关键词 rtp硅太阳电池 研究进展 快速热处理 快速扩散模型 制作工艺 扩散机理
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RTP设备温度场控制模型及控制算法设计
8
作者 蒋玉雷 袁俊杰 《北方工业大学学报》 2014年第1期32-37,共6页
RTP工艺是当今半导体制造过程中使用最广泛的热处理方法,其温度场具有升温速度快和均匀性好的特点,但随着硅晶圆的尺寸不断增大,现已达到400mm,给RTP设备的温度控制带来了困难.为得到良好的温度均匀性,本文提出了一个分区控制策略.基于... RTP工艺是当今半导体制造过程中使用最广泛的热处理方法,其温度场具有升温速度快和均匀性好的特点,但随着硅晶圆的尺寸不断增大,现已达到400mm,给RTP设备的温度控制带来了困难.为得到良好的温度均匀性,本文提出了一个分区控制策略.基于对温度场内的辐射传热的分析,将温度场分成了3个区域,并计算出各区域之间的热传导的热流量,最后根据能量守恒定律得到了温度场的控制模型.针对模型的时变性和迟滞性的特点,以及温度场升温速度和均匀性的要求,设计了一个基于Fuzzy-PID的控制系统,通过Matlab仿真证明了该控制算法的有效性.本模型可用于控制系统的设计,也可用于加热装置结构的优化设计. 展开更多
关键词 rtp 辐射传热 分区控制 模糊PID
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快速热处理对铸造多晶硅性能的影响 被引量:4
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作者 陈玉武 郝秋艳 +3 位作者 刘彩池 赵建国 王立建 吴丹 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期5-8,共4页
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s... 采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍。另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大。 展开更多
关键词 铸造多晶硅 少子寿命 快速热处理(rtp) 缺陷
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Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究 被引量:7
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作者 黄伟 张利春 +3 位作者 高玉芝 金海岩 卢建政 张慧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期422-426,共5页
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600~800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°... 对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600~800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C.依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2%和4%的Pt样品进行了分析.结果表明,掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性. 展开更多
关键词 镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 卢瑟福背面散射分析
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基于热红外的真空绝热板真空度检测研究 被引量:7
11
作者 王少杰 冯勇建 +2 位作者 黄元庆 吴俊超 俞龙发 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1074-1079,共6页
真空绝热板(VIP)主要是依靠其内部真空度来提高其绝热性能的,由于导热系数是表征真空绝热板绝热性能最重要的物性参数,准确测量出真空绝热板的导热系数,有助于将真空绝热板应用于需要绝热保温的场合并估算出其热负荷情况,为系统选择制... 真空绝热板(VIP)主要是依靠其内部真空度来提高其绝热性能的,由于导热系数是表征真空绝热板绝热性能最重要的物性参数,准确测量出真空绝热板的导热系数,有助于将真空绝热板应用于需要绝热保温的场合并估算出其热负荷情况,为系统选择制冷设备或加热设备提供依据。在对真空绝热板真空度检测技术的研究中,本文致力于研究一种基于热红外技术的真空绝热板真空度检测方法,主要采用埋入热辐射器件、能量由外部无损耦合提供、使用红外热图像处理技术并结合电路控制系统等实现对真空绝热板的真空度检测。实验表明,红外检测技术用于测量真空度是可行的、检测速度快、检测结果可靠;对热红外检测技术的研究有利于推动国内真空度快速检测技术的发展。 展开更多
关键词 热红外 真空绝热板 真空度 快速检测 图像处理
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Study of NiSi/Si Interface by Cross-Section Transmission Electron Microscopy 被引量:1
12
作者 蒋玉龙 茹国平 +1 位作者 屈新萍 李炳宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期223-228,共6页
Different silicidation processes are employed to form NiSi,and the NiSi/Si interface corresponding to each process is studied by cross-section transmission electron microscopy (XTEM). With the sputter deposition of ... Different silicidation processes are employed to form NiSi,and the NiSi/Si interface corresponding to each process is studied by cross-section transmission electron microscopy (XTEM). With the sputter deposition of a nickel thin film,nickel silicidation is realized on undoped and doped (As and B) Si(001) substrates by rapid ther mal processing (RTP). The formation of NiSi is demonstrated by X-ray diffraction and Raman scattering spectros- copy. The influence of the substrate doping and annealing process (one-step RTP and two-step RTP) on the NiSi! Si interface is investigated. The results show that for one-step RTP the silicidation on As-doped and undoped Si substrates causes a rougher NiSi/Si interface,while the two-step RTP results in a much smoother NiSi/Si interface. High resolution XTEM study shows that axiotaxy along the Si(111) direction forms in all samples, in which specific NiSi planes align with Si(111) planes in the substrate. Axiotaxy with spacing mismatch is also discussed. 展开更多
关键词 contact interface NISI nickel silieide solid-state reaction rapid thermal processing
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红外测温技术在表面温升快速检测中的应用 被引量:5
13
作者 段冀渊 张琳 +3 位作者 魏宇锋 李计融 汤君茂 潘家祯 《自动化仪表》 CAS 北大核心 2011年第5期83-86,共4页
将红外测温系统(ITMS)应用于电器产品可触及表面温升的检测中,引入光学图像以增强红外图像的可视性,建立了一套电器产品的安全性能快速检测系统。分析了系统功能模块和系统构架,阐述了系统的工作流程和检测方法。试验检测表明,该测温系... 将红外测温系统(ITMS)应用于电器产品可触及表面温升的检测中,引入光学图像以增强红外图像的可视性,建立了一套电器产品的安全性能快速检测系统。分析了系统功能模块和系统构架,阐述了系统的工作流程和检测方法。试验检测表明,该测温系统可以应用于一线检验现场和企业生产现场的产品在线检测工作中,提高了检测的快速性及准确性。 展开更多
关键词 快速检测 红外测温 热像仪 图像处理
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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用 被引量:4
14
作者 邓洪海 魏鹏 +7 位作者 朱耀明 李淘 夏辉 邵秀梅 李雪 缪国庆 张永刚 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第2期279-283,共5页
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火... 采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。 展开更多
关键词 快速热退火 ZN扩散 结深 INGAAS
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大直径直拉硅片的快速热处理 被引量:5
15
作者 余学功 马向阳 杨德仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期490-493,共4页
主要研究了快速热处理 ( RTP)对大直径直拉 ( CZ)硅片的清洁区 ( DZ)和氧沉淀的影响 .通过在 Ar、N2 、O2 三种不同气氛中 ,在不同温度下 RTP发现在大直径 CZ硅片中氧沉淀的行为及 DZ的宽度与 RTP的温度、气氛有很大关系 .在实验的基础... 主要研究了快速热处理 ( RTP)对大直径直拉 ( CZ)硅片的清洁区 ( DZ)和氧沉淀的影响 .通过在 Ar、N2 、O2 三种不同气氛中 ,在不同温度下 RTP发现在大直径 CZ硅片中氧沉淀的行为及 DZ的宽度与 RTP的温度、气氛有很大关系 .在实验的基础上 ,讨论了在大直径 CZ硅中 RTP对氧沉淀和 DZ的影响机理 . 展开更多
关键词 快速热处理 大直径直拉硅片 清洁区 氧沉淀
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溶胶-凝胶法制备PZT薄膜晶化过程的跟踪监测 被引量:5
16
作者 刘大格 张洪喜 +1 位作者 王中 赵连城 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期193-201,共9页
用溶胶-凝胶技术制备了组成在准同型相界点[m(Zr)/m(Ti)=52/48]附近的钙钛矿相PZT薄膜,并运用原子力显微分析与椭偏法测试相结合的方法跟踪了薄膜的烧结过程.结果表明:钙钛矿相PZT[m(Zr)/m(Ti... 用溶胶-凝胶技术制备了组成在准同型相界点[m(Zr)/m(Ti)=52/48]附近的钙钛矿相PZT薄膜,并运用原子力显微分析与椭偏法测试相结合的方法跟踪了薄膜的烧结过程.结果表明:钙钛矿相PZT[m(Zr)/m(Ti)=52/48]薄膜晶化发生于约550℃,并伴随着薄膜表面的粗糙化;镀铂硅基片表面粗糙度对PZT薄膜的晶化有很大影响.根据AFM,XRD测试结果,分析了不同热处理条件对PZT薄膜微结构及漏电流特性的影响,提出合适的热处理条件. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 PZT薄膜 热处理 结晶 陶瓷
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磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜 被引量:5
17
作者 吕志军 胡明 +3 位作者 陈涛 后顺保 梁继然 栗力 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期27-32,55,共7页
采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特... 采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。 展开更多
关键词 溅射 氧化钒薄膜 相变 快速热处理 光电性能
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掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布 被引量:3
18
作者 王爱华 牛义红 +2 位作者 刘宇 陈铁军 李立亚 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期124-128,共5页
为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=40,50,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG/lP=0.05,0.10,0.25)... 为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=40,50,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG/lP=0.05,0.10,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高;在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化.这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性. 展开更多
关键词 图案晶圆片 快速热处理工艺 热辐射 温度分布 热传输特性
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微波在半导体退火工艺中的应用 被引量:1
19
作者 康恒 林琳 +3 位作者 符庭钊 李勇滔 夏洋 景玉鹏 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第12期835-839,共5页
针对传统快速热处理工艺(RTP)在退火过程中引起杂质再扩散导致难以制作浅结器件的问题,采用了微波退火的方式进行退火,有效降低了热预算,能够解决杂质再扩散的问题。相比传统RTP退火,微波的退火机理具有特殊性,其不仅有微波的热效应还... 针对传统快速热处理工艺(RTP)在退火过程中引起杂质再扩散导致难以制作浅结器件的问题,采用了微波退火的方式进行退火,有效降低了热预算,能够解决杂质再扩散的问题。相比传统RTP退火,微波的退火机理具有特殊性,其不仅有微波的热效应还有微波的非热效应,使微波退火能够在较低的温度下实现杂质激活和晶格修复。实验表明,在注入能量为15 keV、注入剂量为1×1015 cm-2时,P31注入的样品经微波退火后其方块电阻均值小于200Ω/,片内不均匀度小于3%,最高退火温度仅约为400℃,热预算远低于传统RTP退火。该实验结果表明,微波退火的方法在浅结器件的制备工艺中有较大的应用潜力。 展开更多
关键词 微波 退火 离子注入 快速热处理工艺(rtp) 热预算
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量:6
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作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 PZT铁电薄膜 电性能 PT种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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