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Ar/O_2比和基片温度对射频反应磁控溅射法制备钢基SiO_2薄膜亲水性的影响
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作者 高立华 《洛阳师范学院学报》 2012年第5期34-36,45,共4页
在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备... 在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳. 展开更多
关键词 钢基SiO2薄膜 亲水性 射频反应磁控溅射 氩氧分压比 基片温度
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