Sm^(3+) :TGS 晶体的生长习性、结构及铁电、热电性能

选择Ｓｍ３＋为掺杂阳离子，ＤＬ丙氨酸和Ｌ－谷氨酸部分取代甘氨酸分子，生长了掺杂ＴＧＳ晶体。生长和测试实验表明，Ｓｍ３＋：ＴＧＳ晶体较纯ＴＧＳ晶体易于生长，且对称性不变，是有应用前景的热释电材料。

掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体。生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长。将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性。用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2。通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用。结果表明:是有应用前景的热释电材料。

掺杂TGS晶体的生长及热释电性能的研究

选择稀土离子Dy^(3+)作为掺杂阳离子，DL－丙氨酸和L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子，进行了不同掺杂配比的TGS晶体生长研究．实验表明，掺杂TGS晶体易于生长，且晶体对称性仍为C_2，易领定极化，热释电性能较纯TGS晶体有显著提高．