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热-电应力下Cu/Ni/SnAg1.8/Cu倒装铜柱凸点界面行为及失效机理 被引量:5
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作者 周斌 黄云 +3 位作者 恩云飞 付志伟 陈思 姚若河 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期265-273,共9页
微互连铜柱凸点因其密度高、导电性好、噪声小被广泛应用于存储芯片、高性能计算芯片等封装领域,研究铜柱凸点界面行为对明确其失效机理和组织演变规律、提升倒装封装可靠性具有重要意义.采用热电应力实验、在线电学监测、红外热像测试... 微互连铜柱凸点因其密度高、导电性好、噪声小被广泛应用于存储芯片、高性能计算芯片等封装领域,研究铜柱凸点界面行为对明确其失效机理和组织演变规律、提升倒装封装可靠性具有重要意义.采用热电应力实验、在线电学监测、红外热像测试和微观组织分析等方法,研究Cu/Ni/SnAg_1.8/Cu微互连倒装铜凸点在温度100—150℃、电流密度2×10~4—3×10~4 A/cm^2热电应力下的互连界面行为、寿命分布、失效机理及其影响因素.铜柱凸点在热电应力下的界面行为可分为Cu_6Sn_5生长和Sn焊料消耗、Cu_6Sn_5转化成Cu_3Sn、空洞形成及裂纹扩展3个阶段,Cu_6Sn_5转化为Cu_3Sn的速率与电流密度正相关.热电应力下,铜凸点互连存在Cu焊盘消耗、焊料完全合金化成Cu_3Sn、阴极镍镀层侵蚀和层状空洞4种失效模式.基板侧Cu焊盘和铜柱侧Ni镀层的溶解消耗具有极性效应,当Cu焊盘位于阴极时,电迁移方向与热迁移方向相同,加速Cu焊盘的溶解以及Cu_3Sn生长,当Ni层为阴极时,电迁移促进Ni层的消耗,在150℃,2.5×10~4 A/cm^2下经历2.5h后,Ni阻挡层出现溃口,导致Ni层一侧的铜柱基材迅速转化成(Cu_x,Ni_y)_6Sn_5和Cu_3Sn合金.铜柱凸点互连寿命较好地服从2参数威布尔分布,形状参数为7.78,为典型的累积耗损失效特征.研究结果表明:相比单一高温应力,热电综合应力显著加速并改变了铜柱互连界面金属间化合物的生长行为和失效机制. 展开更多
关键词 铜柱凸点 界面行为 失效机理 热电应力
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多孔性超细碳酸钙粉体制备研究 被引量:4
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作者 郁平 虞文良 房鼎业 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期720-722,711,716,共5页
多孔性超细碳酸钙由于其独特的内部结构和表面特性,在橡胶、纸张、涂料、油墨、医药、日用品中有着广泛的用途。开发多孔性超细碳酸钙制备工艺是目前碳酸钙制备技术的一个新方向,会给碳酸钙的应用带来新的机遇,提升现有的应用价值。采用... 多孔性超细碳酸钙由于其独特的内部结构和表面特性,在橡胶、纸张、涂料、油墨、医药、日用品中有着广泛的用途。开发多孔性超细碳酸钙制备工艺是目前碳酸钙制备技术的一个新方向,会给碳酸钙的应用带来新的机遇,提升现有的应用价值。采用CaCl2与NH4HCO3为原料,添加H2SO4作结晶控制剂的液相碳化法,可制得粒径小于1μm、无团聚的多孔性超细碳酸钙。同时利用冷析结晶制得工业级NH4Cl副产品。 展开更多
关键词 超细碳酸钙 多孔性 撞击反应 结晶控制剂
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微波辐射加热防爆喷缓冲器的研制与应用 被引量:1
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作者 王锦化 孙张珂 孟昭建 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期996-997,共2页
介绍了一种适用于微波化学反应器的防爆喷缓冲装置的结构、工作原理和使用方法。并通过水射流缓冲试验,以及在频率为2 450 MHz,微波功率为525 W下,与常规方法作对比试验。探讨了该装置的防爆喷效果和防溶剂耗散效果,为微波辐射加热减少... 介绍了一种适用于微波化学反应器的防爆喷缓冲装置的结构、工作原理和使用方法。并通过水射流缓冲试验,以及在频率为2 450 MHz,微波功率为525 W下,与常规方法作对比试验。探讨了该装置的防爆喷效果和防溶剂耗散效果,为微波辐射加热减少有害气体的挥发和溶液的爆喷,提供了一种安全的试验装置。 展开更多
关键词 微波辐射 缓冲器 爆喷 化学反应
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Sn-37Pb焊球与Ni/NiP UBM界面反应特性研究 被引量:2
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作者 田飞飞 刘清君 李勇 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第2期154-158,共5页
通过对共晶锡铅焊球与Ni/NiP UBM层扫描电镜界面微观组织观察和成分分析,研究了Sn-37Pb/Ni和Sn-37Pb/NiPUBM焊点界面反应特性。研究表明芯片侧界面IMC由Ni层到焊料的顺序为:靠近Ni层界面化合物为(Ni,Cu)3Sn,靠近焊料侧化合物为(Cu,Ni)6S... 通过对共晶锡铅焊球与Ni/NiP UBM层扫描电镜界面微观组织观察和成分分析,研究了Sn-37Pb/Ni和Sn-37Pb/NiPUBM焊点界面反应特性。研究表明芯片侧界面IMC由Ni层到焊料的顺序为:靠近Ni层界面化合物为(Ni,Cu)3Sn,靠近焊料侧化合物为(Cu,Ni)6Sn5;PCB板侧界面IMC包括靠近NiP层的NiSnP化合物和靠近焊料侧的(Cu,Ni)6Sn5化合物,NiSnP是由于Ni的扩散形成。PCB板侧NiP镀层中存在微裂纹缺陷,此裂纹缺陷会导致金属间化合物中产生裂纹,从而对焊点力学性能和可靠性产生不良的影响。 展开更多
关键词 共晶锡铅焊球 UBM层 界面反应
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流冰对佳木斯松花江公路桥梁的动力反应
5
作者 卢远兴 卢远芳 《交通科技与经济》 2003年第4期7-8,共2页
结合工程实例介绍了季冰性河流流冰对桥梁基础的动力作用。通过对桥墩在浮冰撞击下水平位移的观测,提出了计算撞击力的方法。
关键词 流冰 公路桥梁 桥梁基础 动力反应 撞击力 位移观测
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Application of Electroless Fe-42Ni(P) Film for Under-bump Metallization on Solder Joint 被引量:3
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作者 Haifei Zhou Jingdong Guo +1 位作者 Qingsheng Zhu Jianku Shang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期7-12,共6页
Because Fe has a more negative standard reduction potential than Ni, the simultaneous electroless deposition of Fe and Ni is difficult. In this study, Fe-42Ni(P) electroless deposit was prepared by using disodium et... Because Fe has a more negative standard reduction potential than Ni, the simultaneous electroless deposition of Fe and Ni is difficult. In this study, Fe-42Ni(P) electroless deposit was prepared by using disodium ethylene diarnine tetraacetate (ETDA-2Na) as complexing agent to reduce the difference in the electrode potential between Ni2+ and Fe2+o The solderability and the interfacial reaction between Fe-42Ni(P) alloy and Sn were investigated. It was found that the electroless Fe-42Ni(P) alloy has excellent wettability with Sn. Moreover, the interfacial reaction rate between Fe-42Ni(P) and Sn is very slow. These results suggest that Fe-42Ni(P) alloy may become an attractive under-bump metallization (UBM). 展开更多
关键词 Under-bump metallization (UBM) Electroless Fe--42Ni(P) Sn SOLDERABILITY Interfacial reaction
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Sn-Ag-In微凸点高温时效可靠性研究
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作者 张建春 吴海建 +2 位作者 王栋良 丁小军 王松原 《航空维修与工程》 2015年第9期107-110,共4页
采用分步电镀法制备了三种不同组分的Sn-Ag-In微凸点,研究了微凸点在150℃时效至1000h过程中凸点下金属层Cu与焊料基体之间的界面反应,揭示了In的加入对Cu/Sn-Ag-In扩散偶中原子相互扩散以及Kirkendall孔洞分布状态的影响规律,同时研究... 采用分步电镀法制备了三种不同组分的Sn-Ag-In微凸点,研究了微凸点在150℃时效至1000h过程中凸点下金属层Cu与焊料基体之间的界面反应,揭示了In的加入对Cu/Sn-Ag-In扩散偶中原子相互扩散以及Kirkendall孔洞分布状态的影响规律,同时研究了高温时效条件下界面反应对微凸点剪切强度的影响规律,分析了微凸点的断裂模式。 展开更多
关键词 Sn-Ag-In 微凸点 高温时效 界面反应 可靠性
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