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通过Ti-Si-C体系热爆反应在金刚石颗粒表面溅射镀覆实现涂层
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作者 史冬丽 马尧 +1 位作者 李涛 梁宝岩 《超硬材料工程》 CAS 2024年第1期9-13,共5页
提出一种涂覆金刚石颗粒的新方法。即利用热爆反应产生的高温,诱发热爆试样中易挥发物质升华,并沉积到金刚石颗粒的表面。以Ti-Si-C体系进行热爆反应为例进行研究。结果表明,热爆反应所产生的高温会诱发大量Ti挥发。Ti沉积到金刚石颗粒... 提出一种涂覆金刚石颗粒的新方法。即利用热爆反应产生的高温,诱发热爆试样中易挥发物质升华,并沉积到金刚石颗粒的表面。以Ti-Si-C体系进行热爆反应为例进行研究。结果表明,热爆反应所产生的高温会诱发大量Ti挥发。Ti沉积到金刚石颗粒的表面,同时与金刚石颗粒表面的C元素反应,形成TiC。最终,在金刚石颗粒表面涂覆Ti-TiC复合涂层。 展开更多
关键词 涂层 金刚石 热爆反应 溅射
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INTERFACE REACTION IN MAGNETIC MULTILAYERS 被引量:47
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作者 G.H. Yu, M.H Li, F. W Zhu, X.F. Cui and J.L. Jin ( Department of Materials Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ( State key laboratory for Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第6期479-484,共6页
Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field (Hex) between NiO and NiFe reached 120O e. The composition and chemical states at the interface region o... Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field (Hex) between NiO and NiFe reached 120O e. The composition and chemical states at the interface region of NiO/NiFe were studied using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that there are two thermodynamically favorable reactions at NiO/NiFe interface: NiO+Fe=Ni+FeO and 3NiO+2Fe=3Ni+Fe2O3. The thickness of the chemical reaction as estimated by angle-resolved XPS was about 1-1.5 nm. These interface reaction products are magnetic defects, and we believe that the Hex and the coercivity (Hc) of NiO/NiFe are affected by these defects. Moreover, the results also show that there is an intermixing layer at the Ta/NiO (and NiO/Ta) interface due to a thermodynamically favorable reaction: 2Ta+5NiO+Ta2O5. This interface reaction has an effect on the exchange coupling as well. The thickness of the intermixing layer as estimated by XPS depth-profiles was about 8-10 nm. 展开更多
关键词 FABRICATION Interfaces (materials) Magnetic materials MAGNETRONS reaction kinetics sputterING
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纳米氮化钛薄膜对高频陶瓷窗片二次电子发射率的影响研究
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作者 赵毅红 李芳芳 +4 位作者 王博锋 叶成聪 缪雨龙 陈海波 陈荣发 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期960-966,共7页
纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(... 纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(TiN)薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)等现代分析手段进行了测试分析,结果表明:纳米TiN薄膜表面晶粒细小,致密度较好;晶面(111)和(200)特征衍射峰峰型规整,峰宽细窄;Ti/N原子计量比接近于1∶1。随着薄膜沉积时间增加,二次电子发射系数(SEY)逐渐增大,溅射时间8.4 s时,SEY为1.72;随着基体偏压的增加,电离效率增加,SEY不断降低,当偏压为350 V时,SEY为1.89;随着N2流量增加,SEY发生变化,当N2流量为38 mL/min时,SEY为1.83。 展开更多
关键词 磁控反应溅射 纳米TiN 薄膜 高频陶瓷窗片 二次电子发射率
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氮含量对Mo-Ta-W-N多主元合金氮化物薄膜的影响 被引量:1
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作者 张毅勇 井致远 +1 位作者 张志彬 梁秀兵 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期21-28,共8页
目的探究氮含量对MoTaW多主元合金薄膜的微观组织和力学性能的影响,并提高Mo-Ta-W多主元合金薄膜的力学性能。方法采用反应多靶磁控溅射技术在单晶硅片上制备出了具有不同氮含量的Mo-Ta-W-N多主元合金氮化物薄膜,通过X射线光电子能谱仪... 目的探究氮含量对MoTaW多主元合金薄膜的微观组织和力学性能的影响,并提高Mo-Ta-W多主元合金薄膜的力学性能。方法采用反应多靶磁控溅射技术在单晶硅片上制备出了具有不同氮含量的Mo-Ta-W-N多主元合金氮化物薄膜,通过X射线光电子能谱仪、掠入射角X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜对薄膜的成分、组织结构、表面及截面微观形貌、厚度和粗糙度进行了表征分析,并采用纳米压痕仪对薄膜的硬度和弹性模量进行了测试。结果Mo-Ta-W-N多主元合金氮化物薄膜中的氮含量随着溅射过程中氮气流量的增加而增加,当氮气流量达到50%时,薄膜中的氮含量升至49%,而钽含量则随之降低至12%。形成氮化物后,Mo-Ta-W多主元薄膜由BCC结构转变成了单相FCC固溶体结构,表面由层片状结构转变为花椰菜状团簇结构,随着氮含量的增加,表面的粗糙度先降低后升高,厚度则不断降低。与Mo-Ta-W多主元合金薄膜相比,Mo-Ta-W多主元合金氮化物薄膜的力学性能有所提高,但随着氮含量的增加而下降,当氮气流量为10%时,Mo-Ta-W-N多主元合金氮化物薄膜的硬度和弹性模量分别为34.3 GPa和327.5 GPa。结论氮化物的形成对Mo-Ta-W多主元合金薄膜的相结构、表面形貌等有影响,可有效提高薄膜的力学性能。 展开更多
关键词 多主元合金 氮化物 薄膜 反应多靶磁控溅射 组织结构 力学性能
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掺氮类金刚石薄膜的显微结构和光谱学研究 被引量:12
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作者 李合琴 何晓雄 +2 位作者 王淑占 巫邵波 赵之明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期225-229,共5页
本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DLC∶N)。拉曼光谱(Raman)测试表明该薄膜仍然是类金刚石结构,对其进行拟合后得两个特征峰,分别是在1342.9 cm-1的D峰和1... 本文利用射频磁控溅射法,以高纯N2、Ar混合气体为溅射气体,用高纯石墨靶在Si(100)基片上制备出掺氮的类金刚石薄膜(DLC∶N)。拉曼光谱(Raman)测试表明该薄膜仍然是类金刚石结构,对其进行拟合后得两个特征峰,分别是在1342.9 cm-1的D峰和1555.3 cm-1的G峰,ID/IG=0.45;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜含氮量为24%,XPS光谱的C1s和N1s的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了C-N、C=N、C≡N,说明薄膜中形成了非晶碳氮结构;傅里叶变换红外透射光谱(FTIR)也表明了薄膜中碳氮进行了化合;扫描电子显微镜(SEM)结果表明,实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从横截面图像观察,薄膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为150 nm。 展开更多
关键词 射频磁控反应溅射 掺氮类金刚石薄膜 X射线光电子能谱 拉曼光谱 傅里叶变换红外透射光谱 扫描电子显微镜
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衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响 被引量:17
6
作者 孙科沸 李子全 李鑫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期516-519,共4页
采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及... 采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响。结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 衬底温度
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Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性 被引量:4
7
作者 申继伟 郭亨群 +3 位作者 吕蓬 徐骏 陈坤基 王启明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1045-1049,共5页
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值... 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10-7,1.51×10-8esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。 展开更多
关键词 Si/SiN 超晶格 三阶非线性极化率 Z-扫描 射频磁控反应溅射
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掺杂Al对DC反应溅射ZnO薄膜的影响 被引量:3
8
作者 赵强 孙艳 +3 位作者 郑丁葳 倪晟 王基庆 袁先漳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期324-327,共4页
采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,... 采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量(摩尔分数)掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率和带隙在掺Al的起始阶段变化很大,待Al掺杂量达到一定值后,光学折射率和带隙的变化不大,薄膜的晶面间距趋于一稳定值0.266 nm。分析表明掺杂的Al均作为施主对载流子浓度作出了贡献,影响薄膜导电性能的主要原因被推断为晶格中的缺陷等因素导致了载流子的局域束缚。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 电阻率 反应溅射
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透明导电薄膜在不同衬底上的性能对比研究 被引量:3
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作者 陆峰 徐成海 +3 位作者 闻立时 曹洪涛 裴志亮 孙超 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期5-7,共3页
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析。结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的... 为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析。结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω·cm和9.73×10-4Ω·cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%。由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 衬底 直流磁控溅射 性能 XRD衍射分析 电阻率 透射率
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Cr掺杂对GLC薄膜结构及其摩擦学性能的影响 被引量:15
10
作者 王佳凡 王永欣 +2 位作者 陈克选 李金龙 郭峰 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期206-213,共8页
采用磁控溅射方法制备类石墨碳膜(GLC)及掺杂金属Cr的类石墨碳膜(GLC-Cr),利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、纳米压痕仪等测试技术对比分析两薄膜样品的结构及机械性能,利用UMT-3多功能摩擦... 采用磁控溅射方法制备类石墨碳膜(GLC)及掺杂金属Cr的类石墨碳膜(GLC-Cr),利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、纳米压痕仪等测试技术对比分析两薄膜样品的结构及机械性能,利用UMT-3多功能摩擦磨损试验机考察其在大气、去离子水、发动机油3种环境下的摩擦学性能.结果表明:本实验参数下制备的类石墨碳膜中,Cr的掺杂促使了类石墨碳膜中sp2杂化键的形成,降低了GLC薄膜的硬度及弹性模量,但在3种不同环境下均使得类石墨碳膜的摩擦学性能得到明显改善.其中水介质的存在可明显降低类石墨碳膜的摩擦系数,而油润滑介质虽未使得其摩擦系数明显降低,但其摩擦曲线波动性及磨损率均最小. 展开更多
关键词 磁控溅射 GLC膜 CR掺杂 摩擦学性能
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富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性 被引量:7
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作者 曾友华 郭亨群 王启明 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期209-212,共4页
采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究。研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮... 采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜。利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究。研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮化硅薄膜,薄膜中晶态氮化硅颗粒的平均粒径为33 nm;在氮气中退火后,纳米颗粒增大;在空气中退火后,薄膜被氧化,晶态颗粒消失。在4.67 eV的光激发下,原沉积薄膜中观测到7个强的PL峰,其峰位分别为3.39,3.24,3.05,2.82,2.61,2.37和2.11 eV。在氮气和空气中退火后,PL峰位和强度有变化。对其光致发光机制进行了探讨,认为硅悬挂键≡Si,氮悬挂键=N,硅错键≡Si-Si≡以及与氧有关的缺陷在富硅氮化硅薄膜高强度荧光发射中起主导作用。 展开更多
关键词 纳米材料 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 光致发光 退火
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究 被引量:4
12
作者 吕蓬 郭亨群 +1 位作者 申继伟 王启明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期44-47,共4页
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采... 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。 展开更多
关键词 nc-Si/SiNx薄膜 射频磁控反应溅射 光学非线性 量子限域效应 Z扫描
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纳米Si/SiN_x薄膜的制备及对Nd∶YAG激光器的被动调Q 被引量:3
13
作者 吕蓬 郭亨群 +2 位作者 王加贤 李立卫 申继伟 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期163-165,170,共4页
为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd∶YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽... 为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd∶YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出。并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响。在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论。结果表明,纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果,具有潜在的研究及应用价值。 展开更多
关键词 激光技术 射频磁控反应溅射 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜 ND:YAG激光器 被动调Q
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性 被引量:2
14
作者 申继伟 郭亨群 +2 位作者 曾友华 吕蓬 王启明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期820-823,共4页
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分... 为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸。在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光。 展开更多
关键词 射频磁控反应溅射 氮化硅薄膜 纳米硅 光致发光
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nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模 被引量:2
15
作者 王国立 郭亨群 +4 位作者 苏培林 张春华 王启明 徐骏 陈坤基 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期905-909,共5页
采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm... 采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiNx超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc-Si/SiNx薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内,在腔长较短时,实现1.06μm激光的被动调Q运转,获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出,当腔长增加到124cm时,获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构,分析了材料调Q与锁模的产生机制,并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。 展开更多
关键词 激光技术 nc—Si/SiN 超晶格薄膜 调Q 锁模 射频磁控反应溅射
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磁控溅射制备Cu_(1-x)Co_xO复合氧化物的催化析氧 被引量:2
16
作者 张骞 魏子栋 +5 位作者 刘灿 盂娣 齐学强 陈四国 王耀琼 李莉 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1803-1808,共6页
采用直流反应磁控溅射法制备了Cu1-xCoxO(0.02≤x≤0.14)复合氧化物电极。利用XRD、EDS和SEM分析技术对沉积氧化物的晶体结构、化学组成及表面形貌进行了表征,并利用循环伏安、线性扫描及电化学交流阻抗对沉积氧化物电极的电化学性能进... 采用直流反应磁控溅射法制备了Cu1-xCoxO(0.02≤x≤0.14)复合氧化物电极。利用XRD、EDS和SEM分析技术对沉积氧化物的晶体结构、化学组成及表面形貌进行了表征,并利用循环伏安、线性扫描及电化学交流阻抗对沉积氧化物电极的电化学性能进行了测试。XRD分析结果显示复合氧化物Cu1-xCoxO具有CuO单斜晶体结构,不存在氧化钴独立相。电化学测试结果表明Cu1-xCoxO复合氧化物电极对水氧化反应的催化活性远高于CuO和Co3O4电极,更好的催化活性、较低的电阻和高的表面粗糙度是Cu1-xCoxO复合氧化物电极催化活性提高的主要原因。生成最优Cu1-xCoxO(0.02≤x≤0.14)复合氧化物的溅射功率为45W(Co)、100W(Cu)。 展开更多
关键词 析氧反应 磁控溅射 水电解
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多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究 被引量:1
17
作者 钟锐 黄蕙芬 +2 位作者 张浩康 王震 马俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期334-338,共5页
制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管... 制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管的 I-V特性进行了测试。AFM分析结果表明 ,电子束蒸发 /反应溅射 /电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整 ,膜层较致密 ;I-V特性测试结果显示 ,MIM-TFD的电流通断比约为 1 0 5,I-V特性曲线的非线性系数为 1 0 ,左右阈值电压分别为 6.3 V和 5 .8V,具有良好的对称性。该 展开更多
关键词 液晶显示 多层介质膜 MIM薄膜二极管 I-V特性 反应溅射 电子束蒸发
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磁控溅射制备氮化钽导电薄膜及其性能研究 被引量:2
18
作者 梁军生 陈亮 +2 位作者 王金鹏 张朝阳 王大志 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期36-39,共4页
为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响。采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表... 为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻率的影响。采用X射线衍射仪测试了氮化钽薄膜的物相结构,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌和断面形貌。利用半导体参数测试系统和三维手动探针台测量了氮化钽薄膜的电阻率。结果表明:在2%氮分压下,薄膜的物相结构为Ta N_(0.1),在3%氮分压下,薄膜的物相结构为Ta_2N,而当氮分压在4%~6%的情况下,薄膜的物相结构为Ta N。采用真空烘箱对氮化钽薄膜进行高温热处理。结果表明,薄膜电阻率从(80~433)×10^(-6)Ω·cm提升到了(120~647)×10^(-6)Ω·cm。 展开更多
关键词 反应溅射 氮化钽薄膜 氮分压 物相结构 热处理 电阻率
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掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce^(3+)薄膜发光性能的影响 被引量:3
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作者 闫绍峰 骆红 +2 位作者 廖国进 巴德纯 闻立时 《真空》 CAS 北大核心 2009年第2期33-37,共5页
应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光... 应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90分钟的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+。Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域。 展开更多
关键词 三氧化二铝薄膜 中频反应磁控溅射 掺杂浓度 光致发光 CE
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直流磁控反应溅射法制备TiO_2薄膜及氧敏特性分析 被引量:1
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作者 张毅 孙以材 潘国峰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期321-324,共4页
在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420V,溅射电流0.3A,氧分压0.17Pa,溅射总气压1.5Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型结构,300℃退火后为锐钛矿结构,600℃退火后锐钛矿与金红石结构共存,1000℃退火后完全转变为金红石结构。在一... 在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420V,溅射电流0.3A,氧分压0.17Pa,溅射总气压1.5Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型结构,300℃退火后为锐钛矿结构,600℃退火后锐钛矿与金红石结构共存,1000℃退火后完全转变为金红石结构。在一定工作温度下,随氧分压增加灵敏度逐渐升高;工作温度越高,灵敏度增加越缓慢;200℃下灵敏度随氧分压增加最快。在不同氧分压下分别计算得到激活能;认为Ti3+(int),Ti4+(int)和V2+O均存在且都对导电机制的形成起到作用,而Ti3+(int)作用最为显著。 展开更多
关键词 直流磁控反应溅射 TIO2薄膜 氧敏 激活能 机理
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