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硅锭线切割回收料制备SiC-Si_3N_4陶瓷的研究
被引量:
7
1
作者
王洪军
闫法强
+1 位作者
张伟儒
孙峰
《现代技术陶瓷》
CAS
2010年第1期13-16,共4页
以硅锭线切割回收料、普通碳化硅粉及硅粉为主要原料,用反应烧结工艺制备了碳化硅结合氮化硅陶瓷。试验着重要研究了颗粒级配及硅粉含量对SiC-Si3N4陶瓷制品的气孔率、力学强度等的影响。结果表明:当回收料占40%,配以40μm,30%,120μm,...
以硅锭线切割回收料、普通碳化硅粉及硅粉为主要原料,用反应烧结工艺制备了碳化硅结合氮化硅陶瓷。试验着重要研究了颗粒级配及硅粉含量对SiC-Si3N4陶瓷制品的气孔率、力学强度等的影响。结果表明:当回收料占40%,配以40μm,30%,120μm,30%碳化硅粉为颗粒剂配,同时选择硅粉含量为20%时,反应烧结后,气孔率为18.1%,常温抗弯强度可达43.3MPa,可以满足低压铸铝等方面的要求。
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关键词
SiC—Si3N4陶瓷
气孔率
抗弯强度
线切割回收料
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职称材料
多晶硅锭的剖方质量改善研究
2
作者
周小荣
邱昊
+3 位作者
明亮
刘文峰
段金刚
陈国红
《电子工业专用设备》
2018年第3期40-43,共4页
从改善砂浆切割性能出发,研究了砂浆物理性质、剖方后小方棒尺寸及线痕比例随着切割刀数的变化趋势,分析了相关原因,最终得到多晶硅锭剖方的工艺方法,即:砂浆更换方式采用整缸更换,并且切割工艺采用变速切割;增大砂浆流量;采用改善办法...
从改善砂浆切割性能出发,研究了砂浆物理性质、剖方后小方棒尺寸及线痕比例随着切割刀数的变化趋势,分析了相关原因,最终得到多晶硅锭剖方的工艺方法,即:砂浆更换方式采用整缸更换,并且切割工艺采用变速切割;增大砂浆流量;采用改善办法可以有效提高好砂浆的切割能力,得到更好的切割效果。
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关键词
多晶硅锭
多线切割
改善方法
切割能力
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职称材料
题名
硅锭线切割回收料制备SiC-Si_3N_4陶瓷的研究
被引量:
7
1
作者
王洪军
闫法强
张伟儒
孙峰
机构
山东理工大学
中材高新材料股份有限公司
出处
《现代技术陶瓷》
CAS
2010年第1期13-16,共4页
文摘
以硅锭线切割回收料、普通碳化硅粉及硅粉为主要原料,用反应烧结工艺制备了碳化硅结合氮化硅陶瓷。试验着重要研究了颗粒级配及硅粉含量对SiC-Si3N4陶瓷制品的气孔率、力学强度等的影响。结果表明:当回收料占40%,配以40μm,30%,120μm,30%碳化硅粉为颗粒剂配,同时选择硅粉含量为20%时,反应烧结后,气孔率为18.1%,常温抗弯强度可达43.3MPa,可以满足低压铸铝等方面的要求。
关键词
SiC—Si3N4陶瓷
气孔率
抗弯强度
线切割回收料
Keywords
SiC/Si3N4ceramics Porosity
Flexural strength
reclaimed silicon ingot by wire cutting
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
多晶硅锭的剖方质量改善研究
2
作者
周小荣
邱昊
明亮
刘文峰
段金刚
陈国红
机构
湖南红太阳光电科技有限公司
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2018年第3期40-43,共4页
文摘
从改善砂浆切割性能出发,研究了砂浆物理性质、剖方后小方棒尺寸及线痕比例随着切割刀数的变化趋势,分析了相关原因,最终得到多晶硅锭剖方的工艺方法,即:砂浆更换方式采用整缸更换,并且切割工艺采用变速切割;增大砂浆流量;采用改善办法可以有效提高好砂浆的切割能力,得到更好的切割效果。
关键词
多晶硅锭
多线切割
改善方法
切割能力
Keywords
Polycrystalline
silicon
ingot
Multi-
wire
cutting
Improved method
The
cutting
ability
分类号
TN948.43 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅锭线切割回收料制备SiC-Si_3N_4陶瓷的研究
王洪军
闫法强
张伟儒
孙峰
《现代技术陶瓷》
CAS
2010
7
下载PDF
职称材料
2
多晶硅锭的剖方质量改善研究
周小荣
邱昊
明亮
刘文峰
段金刚
陈国红
《电子工业专用设备》
2018
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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