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Surface segregation of InGaAs films by the evolution of reflection high-energy electron diffraction patterns 被引量:6
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作者 周勋 罗子江 +5 位作者 郭祥 张毕禅 尚林涛 周清 邓朝勇 丁召 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期428-431,共4页
Surface segregation is studied via the evolution of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns under different values of As4 BEP for InGaAs films. When the As4 BEP is set to be zero, the RHEED patt... Surface segregation is studied via the evolution of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns under different values of As4 BEP for InGaAs films. When the As4 BEP is set to be zero, the RHEED pattern keeps a 4x3/(nx3) structure with increasing temperature, and surface segregation takes place until 470 ℃ The RHEED pattern develops into a metal-rich (4x2) structure as temperature increases to 495℃. The reason for this is that surface segregation makes the In inside the InGaAs film climb to its surface. With the temperature increasing up to 515℃, the RHEED pattern turns into a GaAs(2x4) structure due to In desorption. While the As4 BEP comes up to a specific value (1.33 x 10-4 Pa-1.33 x 10-3 Pa), the surface temperature can delay the segregation and desorption. We find that As4 BEP has a big influence on surface desorption, while surface segregation is more strongly dependent on temperature than surface desorption. 展开更多
关键词 reflection high-energy electron diffraction InGaAs films surface segregation surface desorption
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Design of a novel correlative reflection electron microscope for in-situ real-time chemical analysis
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作者 Tian-Long Li Zheng Wei Wei-Shi Wan 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第12期334-338,共5页
A novel instrument that integrates reflection high energy electron diffraction(RHEED),electron energy loss spectroscopy(EELS),and imaging is designed and simulated.Since it can correlate the structural,elemental,and s... A novel instrument that integrates reflection high energy electron diffraction(RHEED),electron energy loss spectroscopy(EELS),and imaging is designed and simulated.Since it can correlate the structural,elemental,and spatial information of the same surface region via the simultaneously acquired patterns of RHEED,EELS,and energy-filtered electron microscopy,it is named correlative reflection electron microscopy(c-REM).Our simulation demonstrates that the spatial resolution of this c-REM is lower than 50 nm,which meets the requirements for in-situ monitoring the structural and chemical evolution of surface in advanced material. 展开更多
关键词 reflection high energy electron diffraction(rheed) electron energy loss spectroscopy(EELS) parallel detection energy-filtered electron microscopy
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分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析 被引量:3
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作者 李美成 王禄 +2 位作者 熊敏 刘景民 赵连城 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期470-475,479,共7页
介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力... 介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具。随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs量子点的制备及其应用。 展开更多
关键词 分子束外延 INAS量子点 反射式高能电子衍射 实时原位 微结构分析
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LaAlO_3/BaTiO_3/SrTiO_3三色超晶格的RHEED原位监测 被引量:5
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作者 秦文峰 熊杰 +4 位作者 朱俊 唐金龙 张鹰 罗文博 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期508-511,共4页
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的STO单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格。在超晶格薄膜生长过程中采用反射高能电子衍射(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格的生长过程进行了分析。通过对超晶格中各层RHEE... 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的STO单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格。在超晶格薄膜生长过程中采用反射高能电子衍射(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3/SrTiO3超晶格的生长过程进行了分析。通过对超晶格中各层RHEED图像分析,发现由于各层面内晶格失配的不同,超晶格各层生长特性有所区别。借助原子力显微镜(AFM)对超晶格表面形貌进行了表征,表明制备的超晶格具有原子级平整的表面。 展开更多
关键词 薄膜 LAO/BTO/STO三色超晶格 反射高能电子衍射
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MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究 被引量:1
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作者 杨再荣 周勋 +4 位作者 潘金福 罗子江 贺业全 何浩 丁召 《真空》 CAS 北大核心 2010年第2期31-33,共3页
本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象... 本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因。 展开更多
关键词 分子束外延 表面形貌 反射式高能电子衍射 强度振荡 生长模式
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RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用 被引量:1
6
作者 王兆阳 胡礼中 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页
反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关... 反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关系,并尝试利用RHEED来分析和计算Al2O3(0001)面上两个重要方向上的晶面间距,得到了理想的结果。由于RHEED是一种原位监测仪器,所以可对薄膜的生长进行实时原位监测。在测晶面间距等常数时,与对样品要求极高的透射电子显微镜相比,RHEED更方便。 展开更多
关键词 反射式高能电子衍射仪 晶面间距 氧化铝
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GaAs同质外延生长过程的RHEED分析
7
作者 熊政伟 王学敏 +3 位作者 张伟斌 姜帆 吴卫东 孙卫国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期831-835,共5页
采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强... 采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强度随时间的变化曲线表明,GaAs为良好的层状外延生长模式,并随着沉积时间延长,层状生长模式逐渐向岛状模式转变。实验研究还表明层状生长的GaAs薄膜经表面弛豫后,可以得到更好的平整表面,并出现GaAs(001)-(2×4)的表面重构。原位X射线光电子能谱仪(XPS)研究表明沿(001)面外延的GaAs薄膜表面Ga∶As化学计量比约为52∶48,出现Ga的聚集。 展开更多
关键词 激光分子束外延 反射式高能电子衍射 生长模式 表面驰豫 表面重构
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高压强下外延生长的差分RHEED原位监测
8
作者 雷震霖 杨乃恒 +4 位作者 于卓 成步文 李代宗 余金中 王启明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期470-474,共5页
给出了能在较高压强(10(-1)Pa)下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等,同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果,包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因,提出了需要进一步研究... 给出了能在较高压强(10(-1)Pa)下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等,同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果,包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因,提出了需要进一步研究和改进的问题。 展开更多
关键词 反射式 高能电子衍射 外延生长 激光 薄膜
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GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计
9
作者 崔英善 张正平 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页
为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用... 为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用图形化编程语言,采用数据流编程方式,设计实现了理论情况下的GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使得虚拟RHEED实验系统的研究开发有了突破性进展。 展开更多
关键词 虚拟仪器 虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(rheed)图谱
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RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
10
作者 李林 钟景昌 +4 位作者 张宝顺 王勇 卢鹏 王晓华 刘国军 《光电子技术与信息》 2005年第2期50-52,共3页
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强... 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。 展开更多
关键词 反射式高能电子衍射仪 分子束外延 半导体材料
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Si基Er_2O_3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究
11
作者 苑军军 仇庆林 朱燕艳 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第2期98-102,共5页
采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反... 采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究。发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应。这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理。 展开更多
关键词 Er2O3 高K材料 界面演变 反射式高能电子衍射(rheed) 俄歇能谱(AES)
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Highly efficient and stable electrooxidation of methanol and ethanol on 3D Pt catalyst by thermal decomposition of In2O3 nanoshells
12
作者 Yuhang Xie Hulin Zhang +4 位作者 Guang Yao Saeed Ahmed Khan Xiaojing Cui Min Gao Yuan Lin 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第1期193-199,共7页
In this paper In2O3nanoshells have been synthesized via a facile hydrothermal approach. The nanoshells can be completely cracked into pony-size nanocubes by annealing, which are then used as a support of Pt catalyst f... In this paper In2O3nanoshells have been synthesized via a facile hydrothermal approach. The nanoshells can be completely cracked into pony-size nanocubes by annealing, which are then used as a support of Pt catalyst for methanol and ethanol electrocatalytic oxidation. The prepared In2O3and supported Pt catalysts (Pt/In2O3) were characterized by X-ray diffraction (XRD), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), field effect scanning electron microscopy (FESEM), and transmission electron microscopy (TEM). Cyclic voltammetry (CV), linear sweep voltammetry (LSV), chronoamperometry and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) were carried out, indicating the excellent catalytic performance for alcohol electrooxidation can be achieved on Pt/In2O3nanocatalysts due to the multiple active sites, high conductivity and a mass of microchannels and micropores for reactant diffusions arising from 3D frame structures compared with that on the Pt/C catalysts. © 2016 Science Press 展开更多
关键词 Alcohols Catalyst activity Catalysts CHRONOAMPEROMETRY Cyclic voltammetry Decomposition Electrocatalysis Electrochemical impedance spectroscopy electron microscopy ELECTROOXIDATION energy dispersive spectroscopy ETHANOL high resolution transmission electron microscopy Methanol NANOSHELLS Nanostructured materials Nanostructures Platinum Scanning electron microscopy Transmission electron microscopy X ray diffraction X ray photoelectron spectroscopy X ray spectroscopy
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表面分析的新方法—(RHEED-TRAXS)和(SEM-TRAXS)
13
作者 姚子华 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第2期90-95,共6页
本文综述在反射高能电子衍射仪中测量全反射角x射线谱(简称RHEED-TRAXS)的表面化学分析方法。对这种分析方法的基本原理、主要优点及应用作了概略介绍。本文还介绍了在扫描电镜中进行全反射角x射线谱(简称SEM-TR... 本文综述在反射高能电子衍射仪中测量全反射角x射线谱(简称RHEED-TRAXS)的表面化学分析方法。对这种分析方法的基本原理、主要优点及应用作了概略介绍。本文还介绍了在扫描电镜中进行全反射角x射线谱(简称SEM-TRAXS)测量的方法及结果,并在文章的末尾指出了在扫描中实现(SEM-RHEED-TKAXS)的可能性。 展开更多
关键词 rheed SEM TRAXS 表面分析
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Possible Relevance of the Allende Meteorite Conditions in Prebiotic Chemistry: An Insight into the Chondrules and Organic Compounds
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作者 Alejandro Heredia Barbero Héctor G. Vázquez López +8 位作者 Adriana L. Meléndez López Jorge A. Cruz Castañeda Daniel Luna Laviada Karina E. Cervantes de la Cruz Victor Meza Laguna Vladimir A. Basiuk Ivonne Rosales Chávez Alicia Negrón Mendoza Sergio Ramos Bernal 《Advances in Biological Chemistry》 2023年第3期82-99,共18页
The study of the mineral and organic content of the Allende meteorite is important for our understanding of the molecular evolution of the universe as well as the ancient Earth. Previous studies have characterized the... The study of the mineral and organic content of the Allende meteorite is important for our understanding of the molecular evolution of the universe as well as the ancient Earth. Previous studies have characterized the magnetic minerals present in ordinary and carbonaceous chondrites, providing information on the evolution of magnetic fields. The interaction of organic compounds with magnetic minerals is a possible source of chemical diversity, which is crucial for molecular evolution. Carbon compounds in meteorites are of great scientific interest for a variety of reasons, such as their relevance to the origins of chirality in living organisms. This study presents the characterization of organic and mineral compounds in the Allende meteorite. The structural and physicochemical characterization of the Allende meteorite was accomplished through light microscopy, powder X-ray diffraction with complementary Rietveld refinement, Raman and infrared spectroscopy, mass spectrometry, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy using magnetic signal methods to determine the complex structure and the interaction of organic compounds with magnetic Ni-Fe minerals. The presence of Liesegang-like patterns of chondrules in fragments of the Allende structure may also be relevant to understanding how the meteorite was formed. Other observations include the presence of magnetic materials and nanorod-like solids with relatively similar sizes as well as the heterogeneous distribution of carbon in chondrules. Signals observed in the Raman and infrared spectra resemble organic compounds such as carbon nanotubes and peptide-like molecules that have been previously reported in other meteorites, making the Mexican Allende meteorite a feasible sample for the study of the early Earth and exoplanetary bodies. 展开更多
关键词 Allende Meteorite Carbonaceous Chondrite Light Microscopy X-Ray diffraction with the Rietveld Method Raman Spectroscopy Attenuated Total reflectance Infrared Spectroscopy Mass Spectrometry Scanning electron Mi-croscopy energy Dispersive X-Ray Spectroscopy Magnetic Force Microscopy
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不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响 被引量:5
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作者 刘忠良 唐军 +3 位作者 任鹏 刘科 徐彭寿 潘国强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期423-426,共4页
分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行... 分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行测试。测试结果表明,预沉积Ge的样品质量明显好于未沉积Ge的样品,而且随着预沉积温度的升高,薄膜的质量在逐渐地变好。 展开更多
关键词 碳化硅 反射高能电子衍射 固源分子束外延 预沉积温度
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一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究 被引量:16
16
作者 王科范 刘金锋 +4 位作者 邹崇文 徐彭寿 潘海滨 张西庚 王文君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期75-78,共4页
我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以... 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以在 70 0℃ ,成功沉积出平整的单晶Si薄膜。进一步的试验表明 ,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点。 展开更多
关键词 电子束蒸发 量子点 缓冲层 SI(111) 输出功率 薄膜 束流 自组装 单晶 表面
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PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究 被引量:4
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作者 赵杰 胡礼中 +4 位作者 王兆阳 李银丽 王志俊 张贺秋 赵宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1879-1882,共4页
用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,... 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光
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应力对LaAlO_3/BaTiO_3超晶格结构及性能的影响 被引量:3
18
作者 李燕 郝兰众 +2 位作者 邓宏 张鹰 姬红 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期399-402,共4页
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3... 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配,在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变,该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同,非对称结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、BaTiO3层厚度的减少而增大,其剩余极化强度不仅未减少,反而增加。 展开更多
关键词 超晶格 反射式高能电子衍射 X射线衍射 剩余极化
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Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长 被引量:9
19
作者 刘金锋 刘忠良 +2 位作者 王科范 徐彭寿 汤洪高 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-9,共5页
国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜... 国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响。结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关。 展开更多
关键词 碳化硅 碳化 固源分子束外延 反射高能电子衍射
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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 被引量:3
20
作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期358-361,366,共5页
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多
关键词 GE量子点 SIO2薄膜 SI(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(rheed)
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