块H-矩阵的简捷判据

Feingold与Varga 引入了块对角占优的概念,基于它的优美性质,引起了许多学者的浓厚兴趣本文研究块H-矩阵(广义块对角占优矩阵)的实用判定,给出了块H-矩阵的两个新的简捷判据,并应用于矩阵正稳定性和亚正定性的判定。

金线莲练苗及移栽技术研究

以金线莲试管苗为试材,采用室内室外不同练苗方式、9种不同配比移栽基质进行移栽,研究了练苗方式、栽培基质对金线莲移栽成活率及生长状况的影响。结果表明:室外练苗成活率高于室内练苗;以珍珠岩、泥炭土+松木树皮(1∶1)2种基质为移栽基质,金线莲苗的移栽成活率高,成活率分别达到85%、75%(55d),金线莲生长状况良好,生长快,茎长增加明显,根明显伸长,根毛多,叶片绿而硬,重量增加快。

喷射沉积SiC_p/Al基复合材料致密化及其显微组织与力学性能

采用热压后多道次热轧制备喷射沉积SiC_p/Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si复合材料板材,研究热压、轧制工艺参数对复合材料显微组织、力学性能的影响。对热压后和轧制后的SiC颗粒的形状与分布、弥散粒子形貌、致密度与硬度进行研究,并分析与总结致密化过程中孔隙与沉积颗粒的变形。结果表明:在热压温度480℃、压力125 MPa,且当坯料直径略小于热压模内径时进行热压会产生一定程度的剪切变形,有利于SiC颗粒的均匀分布和孔洞的闭合;此时弥散粒子粒径为50~80 nm,晶粒粒径为600~900 nm,位错少,相对密度达98.8%,但仍残留孔隙。轧制过程中的大剪切变形促进了沉积颗粒的变形和颗粒之间冶金结合,有利于提高材料的致密度和力学性能。经480℃多道次热轧,沉积颗粒边界消失,弥散粒子钉扎位错,Al_(12)(Fe,V)_3Si约为100 nm、晶粒约为1μm,无明显Al_(13)Fe_4相析出,材料相对密度达99.5%。当轧制总压下量低于20%时,SiC颗粒无序分布,孔隙减少,密度和硬度增加;当总压下量为20%~40%时,由于SiC颗粒相对基体转动和滑动产生孔隙引起密度和硬度下降。总压下量超过40%时,SiC颗粒的长轴方向平行于轧制方向,SiC颗粒与基体之间的间隙逐渐弥合,密度和硬度升高。当总压下量达到95%,相对密度达99.5%。

不同含水量蘑菇渣腐熟过程理化性质变化及效果研究

以蘑菇渣为试材，研究了不同含水量的蘑菇渣对其腐熟过程中的理化性质变化和腐熟效果的影响。结果表明：经腐熟处理的蘑菇渣，其理化性质均能得到较大的改善；含水量为30％～359／5的蘑菇渣腐熟效果最好，其次是含水量45％～50％，腐熟效果最不好的是20％～25％和60％～65％含水量的蘑菇渣。

扩展琼斯矩阵在研究Solc滤波器离轴消光比中的应用

根据广泛使用的双折射材料的性质以及滤波器入射角有限的特点,讨论了晶体中o光和e光的关系;根据光的折射定律,将光在晶体表面的折射效果表述为输入、输出折射率矩阵;建立了从入射面坐标系到晶体本征坐标系的坐标变换矩阵;推出了简化的扩展琼斯矩阵。整个过程物理思想清楚,每个矩阵表示的物理意义直观、明确,得到的结果简单,计算量小。用于Solc滤波器消光比的研究,给出了在任意入射角下计算多块晶片Solc滤波器传输特性的一般表达式,对Solc滤波器锥光干涉图作了数值模拟。适用于计算各种类型双折射滤波器的离轴消光比。

凝固过程对颗粒增强Al－4％Mg复合材料中颗粒分布的影响

研究了凝固过程ＳｉＣ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２颗粒增强Ａｌ－４％Ｍｇ复合材料中颗粒分布的影响。通过分析，建立了描述等轴晶凝固条件下，颗粒推移强烈程度的晶粒与颗粒质量比模型，模型预测与试验结果吻合良好。