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Si_3N_4陶瓷的剪切增稠抛光
被引量:
10
1
作者
李敏
袁巨龙
+2 位作者
吕冰海
赵萍
钟美鹏
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第9期193-200,共8页
利用剪切增稠抛光技术(Shear-thickening polishing,STP)对Si_3N_4陶瓷圆柱工件进行的超精密加工,考察所制备的含有金刚石磨粒的抛光液流变行为,分析Si_3N_4陶瓷的金刚石基剪切增稠抛光液的STP特性,研究Si_3N_4陶瓷圆柱工件的加工效率...
利用剪切增稠抛光技术(Shear-thickening polishing,STP)对Si_3N_4陶瓷圆柱工件进行的超精密加工,考察所制备的含有金刚石磨粒的抛光液流变行为,分析Si_3N_4陶瓷的金刚石基剪切增稠抛光液的STP特性,研究Si_3N_4陶瓷圆柱工件的加工效率、表面质量及圆度误差精度。结果表明:含有金刚石磨粒的抛光液具有非牛顿幂律流体的剪切增稠性质,当剪切速率(g(5))不断提高时,储能模量(G′)、耗能模量(G″)均呈现出一定的增长趋势,耗散因子(n′)不断降低;Si_3N_4陶瓷的STP加工为持续微切屑"柔性抛光"过程;抛光液中的金刚石磨粒粒径为0.2μm时,工件抛光的材料去除率相对较大,且MRR理论值与试验值的平均误差约为11.7%,表明在抛光区域内STP材料去除模型具有一定的有效性;工件经60 min的STP后,材料去除率由初期4.20μm/h下降到4.00μm/h,表面粗糙度R_a由107.2 nm降至26.5 nm;抛光120 min后,材料去除率会减小至3.85μm/h,表面粗糙度可降至R_a 6.5 nm;由初始圆度误差RONt 1.418mm下降至RONt 0.360mm,实现了Si_3N_4圆柱高效超精密抛光。
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关键词
抛光
剪切增稠抛光
氮化硅陶瓷
金刚石磨粒
流变行为
表面粗糙度
圆度误差
高效加工
下载PDF
职称材料
题名
Si_3N_4陶瓷的剪切增稠抛光
被引量:
10
1
作者
李敏
袁巨龙
吕冰海
赵萍
钟美鹏
机构
湖南科技大学难加工材料高效精密加工湖南省重点实验室
湖南大学国家高效磨削工程技术研究中心
浙江工业大学超精密加工研究中心
出处
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第9期193-200,共8页
基金
国家自然科学基金(51605163
51175166)
+1 种基金
浙江省自然科学基金杰出青年基金(LR17E0500002)
湖南科技大学博士科研启动基金(E56121)资助项目
文摘
利用剪切增稠抛光技术(Shear-thickening polishing,STP)对Si_3N_4陶瓷圆柱工件进行的超精密加工,考察所制备的含有金刚石磨粒的抛光液流变行为,分析Si_3N_4陶瓷的金刚石基剪切增稠抛光液的STP特性,研究Si_3N_4陶瓷圆柱工件的加工效率、表面质量及圆度误差精度。结果表明:含有金刚石磨粒的抛光液具有非牛顿幂律流体的剪切增稠性质,当剪切速率(g(5))不断提高时,储能模量(G′)、耗能模量(G″)均呈现出一定的增长趋势,耗散因子(n′)不断降低;Si_3N_4陶瓷的STP加工为持续微切屑"柔性抛光"过程;抛光液中的金刚石磨粒粒径为0.2μm时,工件抛光的材料去除率相对较大,且MRR理论值与试验值的平均误差约为11.7%,表明在抛光区域内STP材料去除模型具有一定的有效性;工件经60 min的STP后,材料去除率由初期4.20μm/h下降到4.00μm/h,表面粗糙度R_a由107.2 nm降至26.5 nm;抛光120 min后,材料去除率会减小至3.85μm/h,表面粗糙度可降至R_a 6.5 nm;由初始圆度误差RONt 1.418mm下降至RONt 0.360mm,实现了Si_3N_4圆柱高效超精密抛光。
关键词
抛光
剪切增稠抛光
氮化硅陶瓷
金刚石磨粒
流变行为
表面粗糙度
圆度误差
高效加工
Keywords
polishing
shear-thickening polishing(STP)
silicon nitride
diamond abrasive
rheology
surface roughness
roundnesserror
high-efficiency machining
分类号
TH16 [机械工程—机械制造及自动化]
TG580 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si_3N_4陶瓷的剪切增稠抛光
李敏
袁巨龙
吕冰海
赵萍
钟美鹏
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
10
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职称材料
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参考文献
引证文献
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