氢氧化铝表面硼吸附络合物结构状况的解析

对Ａｌ（ＯＨ）３＋Ｈ３ＢＯ３，Ａｌ（ＯＨ）３，Ｈ３ＢＯ３等样品进行了红外光谱、红外差分谱以及Ａｌ（ＯＨ）３＋Ｈ３ＢＯ３的二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析。结果表明，Ａｌ（ＯＨ）３＋Ｈ３ＢＯ３样品在１４２３和１２７９ｃｍ－１处有２个特征吸收峰，这些峰与Ｈ３ＢＯ３表现出的吸收峰相比，峰带更宽，说明在Ａｌ（ＯＨ）３＋Ｈ３ＢＯ３处理中，Ａｌ（ＯＨ）３表面形成了一种新物质，即硼的吸附络合物。氢氧化铝表面硼吸附络合物的ＳＩＭＳ图谱表明，硼在Ａｌ（ＯＨ）３表面高度密集，反映了这一表面结构状况中铝硼原子比例不同于简单的硼铝混合物。

二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染

运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,不同本底真空中的氧污染实验结果表明 :微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系 ,因此要制备高质量的微晶硅材料 ,高的本底真空是必要条件 .