基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说

系统阐述了基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说的核心论点,即绝缘体表层气体解吸附是导致闪络发生的关键,分析了假说中的阴极三结合点场致电子发射、二次电子崩产生、二次电子发射系数δ、绝缘体表面电荷、绝缘体表面气体解吸附等因素在闪络过程中的作用。

多层高梯度绝缘技术研究

真空中沿面闪络现象是制约真空设备耐压强度的一个重要因素,采用多层高梯度绝缘技术,比传统绝缘结构能显著提高击穿场强。介绍了该技术的研究现状,并从真空沿面闪络的二次电子崩理论入手,分析该结构对闪络过程的影响。同时,从小间隙串联的模型以及对外加电场的影响两方面,解释了多层高梯度绝缘结构可以提高绝缘性能的原因,它与公开的实验现象和结论也比较符合。

长脉冲二极管绝缘子真空表面闪络

在长脉冲强流无箔二极管实验过程中观察到绝缘子沿面闪络现象。分析实验现象认为是屏蔽环与绝缘子距离过近造成了屏蔽环边缘高场强,从而产生场致发射电子。电子在强电磁场作用下撞击绝缘子表面引起了二次电子雪崩从而导致真空表面闪络。运用静电场模拟和粒子束模拟,改进屏蔽环结构。改进后的二极管工作电压500 kV,电流12 kA,在1 T引导磁场下稳定运行,没有再发生真空表面闪络。

真空绝缘子结构优化设计的理论和方法

根据二次电子发射崩(SEEA)理论,综述了真空绝缘子的绝缘介质材料、几何形状和电极结构对绝缘子沿面闪络的影响和机理过程,以及从这三方面优化设计真空绝缘子以提高其沿面闪络电压的方法。

高频变压器用匝间绝缘材料沿面放电特性的实验研究

沿面闪络是导致高频变压器绕组匝间绝缘失效的主要原因之一。通过搭建气-固高频沿面放电实验平台,选取Nomex绝缘纸、改性DMD绝缘纸、PET聚酯薄膜及聚酰亚胺薄膜作为研究对象,在高频电源电压为0~20kV、频率为1~20kHz的双极性方波电压下开展实验研究。采用双参数Weibull统计法分析放电间距对沿面闪络电压的影响规律,基于二次电子发射雪崩(SEEA)模型分析起始放电电压、闪络电压随频率的变化规律,并提出适用于绝缘材料沿面绝缘寿命估算的反幂函数模型,最后对以上四种匝间绝缘材料在高频高压下的沿面绝缘特性进行综合性评估。

纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络机理研究

汇总了纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络实验研究结果,实验表明,不同电压波形作用下闪络场强存在较大差异,纳秒脉冲闪络场强显著高于其它电压波形。分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题。在纳秒脉冲闪络发生的微观过程中,阴极三结合点场致电子发射是真空闪络发生的必要条件,二次电子崩过程是闪络发展的必备环节,闪络过程在绝缘体表面脱附气体层中完成。

固体绝缘子的真空沿面闪络研究

针对在高压设备中因沿面闪络现象而发生绝缘失效的问题,对沿面闪络现象中的基础特性测量手段、影响因素及其发生机制等关键问题进行了归纳总结,介绍了目前关于沿面闪络观测手段及其影响因素研究的主要进展,并对沿面闪络过程的具体机制以及表面电荷在沿面闪络过程中扮演的作用进行讨论。其中,外在因素、电极-介质界面层因素以及真空-介质表面层因素等三大类因素在影响沿面闪络的同时也对表面电荷积聚消散造成影响,其具体机制各不相同。在沿面闪络的主流机制中,SEEA理论较完整地阐述了沿面闪络的起始过程,ETPR理论则对沿面闪络的发展过程有着更好的解释。此外,表面电荷为沿面闪络发生提供了必要电荷,其积累与消散行为对沿面闪络发展起着决定性作用。开发能够实现低二次电子发射系数与高表面电导的绝缘材料及表面改性技术将是该领域未来重点研究方向。