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Pd/Ga_(2)O_(3)/AlGaN/GaN HEMT基氢气传感器研究
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作者 钟远婷 孙爱发 +1 位作者 刘阳泉 钟爱华 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第3期18-21,共4页
氢气易燃易爆,因此需要海量快速响应的氢气传感器对加氢站、运输车及氢能源汽车等氢能源各个环节进行预警预报。本文研究了基于贵金属钯(Pd)为栅极的高速二维电子气晶体管(HEMT)型氢气传感器,金属Pd栅极为敏感电极,Ti/Al/Ti/Au为源漏极... 氢气易燃易爆,因此需要海量快速响应的氢气传感器对加氢站、运输车及氢能源汽车等氢能源各个环节进行预警预报。本文研究了基于贵金属钯(Pd)为栅极的高速二维电子气晶体管(HEMT)型氢气传感器,金属Pd栅极为敏感电极,Ti/Al/Ti/Au为源漏极。结果表明:该晶体管开关比为3.58×10^(7)。实验研究了不同厚度Ga_(2)O_(3)插入层对氢气响应特性的影响规律。随着Ga_(2)O_(3)插入层的厚度增大,传感器的饱和体积分数明显增大,从1×10^(-3)提高到7×10^(-3)。对于Ga_(2)O_(3)插入层厚度为10 nm的器件,其综合性能最好,饱和浓度为5×10^(-3),且具有很高的响应度,1×10^(-3)时的响应度为4300%。特别地,其响应速度非常快,最快可以2 s内完成氢气检测。 展开更多
关键词 氧化镓薄膜 氢气传感器 HEMT 选择性
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改进的共享布尔逻辑进位选择加法器设计
2
作者 吴盛林 《现代信息科技》 2024年第4期61-65,共5页
在当今高度数字化和计算密集型的环境下,设计出高速和低功耗的加法器,例如进位选择加法器(Carry Select Adder,CSLA)是至关重要的。基于此提出一种改进共享布尔逻辑进位选择加法器。与现有设计相比,该设计在牺牲部分功耗和速度的基础上... 在当今高度数字化和计算密集型的环境下,设计出高速和低功耗的加法器,例如进位选择加法器(Carry Select Adder,CSLA)是至关重要的。基于此提出一种改进共享布尔逻辑进位选择加法器。与现有设计相比,该设计在牺牲部分功耗和速度的基础上,减少了晶体管数量。该设计采用TSMC65nm工艺在Cadence中实现了4位的设计。仿真结果显示,相对于Fast Adder Module-2(FAM2)进位选择加法器,该方案的晶体管数量、功耗和功耗延时积分别降低了8.91%、8.13%和6.02%。 展开更多
关键词 进位选择加法器 晶体管数量 功耗 延迟
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Study and Design of a DC/AC Energy Converter for PV System Connected to the Grid Using Harmonic Selected Eliminated (HSE) Approach 被引量:1
3
作者 Dominique Bonkoungou Éric Korsaga +3 位作者 Toussaint Guingané Sosthène Tassembédo Zacharie Koalaga François Zougmoré 《Open Journal of Applied Sciences》 2022年第3期301-316,共16页
Nowadays, distributing network-connected photovoltaic (PV) systems are expanded by merging a PV system and a Direct Current (DC)/Alternating Current (AC) energy converter. DC/AC conversion of PV energy is in great dem... Nowadays, distributing network-connected photovoltaic (PV) systems are expanded by merging a PV system and a Direct Current (DC)/Alternating Current (AC) energy converter. DC/AC conversion of PV energy is in great demand for AC applications. The supply of electrical machines and transfer energy to the distribution network is a typical case. In this work, we study and design a DC/AC energy converter using harmonic selective eliminated (HSE) method. To this end, we have combined two power stages connected in derivation. Each power stage is constituted of transistors and transformers. The connection by switching of the two rectangular waves, delivered by each of the stages, makes it possible to create a quasi-sinusoidal output voltage of the inverter. Mathematical equations based on the current-voltage characteristics of the inverter have been developed. The simulation model was validated using experimental data from a 25.2 kWp grid-coupled (PV) system, connected to Gridfit type inverters. The data were exported and implemented in programming software. A good agreement was observed and this shows all the robustness and the technical performances of the energy converter device. It emerges from this analysis that the inverter output voltage and the phase angle thus simulated are very important to control in order to orientate the transfer of the power flow from the continuous cell to cell to the alternating part. Simulated and field-testing results also show that increases in the value of the modulation factor (m) for low power output are highly significant. This study is an important tool for DC/AC inverter designers during initial planning stages. A short presentation of the design model of the inverter has been proposed in this article. 展开更多
关键词 INVERTER Modulation Index transistorS Power Stage Harmonic selective Eliminated Photovoltaic (PV) System
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胆碱酯酶场效应管传感器 被引量:23
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作者 余孝颖 雷晟 陈贵春 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期521-524,共4页
将乙酰胆碱酯酶和牛血清白蛋白通过戊二醛共价交联,固定在氢离子敏场效应管的栅极上,制成胆碱酯酶场效应管传感器。采用差动检测方式,用两只传感器可测出10-7mol/L的敌敌畏等有机磷农药。线性范围为5×10-7~8×10-6mol... 将乙酰胆碱酯酶和牛血清白蛋白通过戊二醛共价交联,固定在氢离子敏场效应管的栅极上,制成胆碱酯酶场效应管传感器。采用差动检测方式,用两只传感器可测出10-7mol/L的敌敌畏等有机磷农药。线性范围为5×10-7~8×10-6mol/L,具有较强的抗干扰能力,寿命为20d以上。 展开更多
关键词 胆碱酯酶 场效应管 有机磷农药 生物传感器
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离子敏感场效应晶体管及其应用 被引量:5
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作者 郑建斌 李永利 高鸿 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期842-849,共8页
离子敏感场效应晶体管具有若干不同于寻常传感器的特点:赵小型、全固态、集成化和自身阻抗变换等.它是一种很有发展前途的传感器.本文讨论了离子敏感场效应晶体管的分类、结构和性能,评述了1989年以来其在临床医学和流动注射分析等方面... 离子敏感场效应晶体管具有若干不同于寻常传感器的特点:赵小型、全固态、集成化和自身阻抗变换等.它是一种很有发展前途的传感器.本文讨论了离子敏感场效应晶体管的分类、结构和性能,评述了1989年以来其在临床医学和流动注射分析等方面的应用.引参考文献67篇. 展开更多
关键词 离子敏感 场效应晶体管 离子选择 半导体 评述
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晶体膜碘离子半导体传感器的研究 被引量:2
6
作者 黄强 方培生 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第3期15-19,共5页
本文报导以Si_3N_4/SiO_4为绝缘膜,用AgI-Ag_2S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件,并对其敏感机理进行了分析.测试结构表明,该器件具有良好的稳定性和重现性,对碘离子的线性响应范围为1×10^(-6)~1×10^(-1)mol·L^(-1)... 本文报导以Si_3N_4/SiO_4为绝缘膜,用AgI-Ag_2S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件,并对其敏感机理进行了分析.测试结构表明,该器件具有良好的稳定性和重现性,对碘离子的线性响应范围为1×10^(-6)~1×10^(-1)mol·L^(-1),响应斜率为54mV/pl(20℃). 展开更多
关键词 离子选择性场效应晶体管 晶体膜 传感器 碘离子
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选择离子注入集电极技术研究 被引量:1
7
作者 金海岩 张利春 高玉芝 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期130-133,共4页
为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成... 为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。 展开更多
关键词 基区扩展效应 选择离子注入集电区 双层多晶硅发射极晶体管 电流增益
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DNA场效应生物传感器的研制
8
作者 廖劲松 张水华 +1 位作者 刘仲明 刘芳 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期85-87,共3页
利用亲和素作为连接臂将生物素修饰的单链DNA固定在传感器的栅区表面上,制成DNA场效应管生物传感器,研究DNA场效应管的稳定性和特异性,并测定该传感器对不同浓度DNA互补链检测的效应值.
关键词 DNA 场效应管 稳定性 特异性
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静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计 被引量:1
9
作者 刘士兴 范对鹏 +3 位作者 程龙 王世超 丁力 易茂祥 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1453-1461,共9页
为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选... 为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选择干扰是影响DICE结构的SRAM单元稳定性和寿命的主要原因.针对DICE单元抗辐照结构的特性,提出新的DICE单元读写端口结构.通过在组成读写端口的4个晶体管之间加入额外的控制晶体管,阻断了DICE单元存储节点相连的路径,消除了读干扰和半选择干扰的影响,避免了单元的读故障和半选择故障的出现.改进后的DICE单元在读状态和半选择状态时的抗辐照能力与改进前相比得到了提升.通过仿真实验,验证了改进后DICE单元的功能正确性和抗老化有效性,直接减少了DICE单元经过108 s老化后22.6%的读失效率. 展开更多
关键词 双向互锁存储单元(DICE) 偏置温度不稳定性 控制晶体管 读干扰 半选择干扰 抗老化
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选极晶体管技术标准的制订和认证试验
10
作者 张德骏 贾颖 +2 位作者 曹红 苗庆海 张兴华 《电子质量》 2000年第9期17-20,共4页
本文介绍了选极晶体管技术标准制订和认证试验中的有关技术问题。
关键词 选极晶体管 技术标准 认证试验
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基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
11
作者 唐昭焕 甘明富 +6 位作者 钟怡 谭开洲 刘勇 杨永晖 胡刚毅 徐学良 李荣强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期285-288,共4页
提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验... 提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管。该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制。 展开更多
关键词 半导体器件 NPN管 多晶外基区 集电极选择性注入
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GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
12
作者 王静辉 张力江 吴益竹 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期476-479,共4页
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压... 基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。 展开更多
关键词 选择腐蚀 赝配高电子迁移率晶体管 腐蚀终止层 砷化镓 凹槽
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三类盐酸普鲁卡因传感器的研制和应用
13
作者 冯今明 黄德培 董力 《东南大学学报(医学版)》 CAS 1989年第2期28-31,共4页
作者用盐酸普鲁卡因和四笨硼钠作用生成白色沉淀作为活性材料,研制了三种不同类型的药物传感器:PVC 膜涂层玻璃电极传感器、PVC 膜涂丝场效应管传感器和PVC 膜传感器。分别测定了各种传感器件的性能参数,均获得很好的 Nernst 响应,满意... 作者用盐酸普鲁卡因和四笨硼钠作用生成白色沉淀作为活性材料,研制了三种不同类型的药物传感器:PVC 膜涂层玻璃电极传感器、PVC 膜涂丝场效应管传感器和PVC 膜传感器。分别测定了各种传感器件的性能参数,均获得很好的 Nernst 响应,满意的重现性和稳定性。它们的适用性范围均在3.0~8.0之间。应用各种传感器件测定了原科药的回率及复方普鲁卡因肾上腺素注射液的含量,获得满意的结果。 展开更多
关键词 普鲁卡因 奴佛卡因 传感器 离子选择电极 离子敏感场效应晶体管
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有机薄膜晶体管及其在传感器方面的应用 被引量:4
14
作者 张霖 钟建 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1523-1527,共5页
有机薄膜晶体管因其有机材料种类的多样性、简单的制备工艺和柔性兼容性等优点,在有机半导体器件的研究领域中广受关注。介绍了有机薄膜晶体管的研究进展,并进一步分析了有机薄膜晶体管的基本结构、工作原理及电学特性。同时介绍了有机... 有机薄膜晶体管因其有机材料种类的多样性、简单的制备工艺和柔性兼容性等优点,在有机半导体器件的研究领域中广受关注。介绍了有机薄膜晶体管的研究进展,并进一步分析了有机薄膜晶体管的基本结构、工作原理及电学特性。同时介绍了有机薄膜晶体管作为传感器的发展进程,重点从有机薄膜晶体管作为传感器的敏感性、选择性等方面阐述,对有机薄膜晶体管作为传感器的优势做了详细的介绍。最后分析了有机薄膜晶体管作为传感器的工作机理。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 传感器 选择性 敏感性
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氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管
15
作者 张维新 赵玲娟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第9期706-708,共3页
本文介绍一种新型氨气敏MOS场效应晶体管.采用Pd-Ir合金作为场效应晶体管的金属栅极.器件对氨气有足够的灵敏度和较好的选择性.文章分析了器件对氨气的敏感机理.
关键词 氨气敏 MOS晶体管 合金栅 Pd-Ir
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高速双极晶体管工艺条件的优化研究 被引量:3
16
作者 程超 海潮和 孙宝刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期130-132,137,共4页
 报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术。对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化。根据优化结果,制作出了...  报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术。对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化。根据优化结果,制作出了性能优良的高速双极晶体管。 展开更多
关键词 双极晶体管 深槽隔离 选择性注入集电极 快速热退火
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加工有机晶体管电极的压力选择性剥离方法
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作者 张亚南 张洪武 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1119-1123,共5页
提出一种简单有效的图案化有机场效应晶体管中聚乙撑二氧噻吩和聚磺化苯乙烯(PEDOT∶PSS)聚合物电极的方法,运用带有凸纹图案的环氧树脂模板选择性的剥离涂敷在基底的PEDOT∶PSS薄膜形成图形.结果表明,环氧树脂模板与聚合物间的高黏附... 提出一种简单有效的图案化有机场效应晶体管中聚乙撑二氧噻吩和聚磺化苯乙烯(PEDOT∶PSS)聚合物电极的方法,运用带有凸纹图案的环氧树脂模板选择性的剥离涂敷在基底的PEDOT∶PSS薄膜形成图形.结果表明,环氧树脂模板与聚合物间的高黏附功可使薄膜易于发生选择性剥离,从而使其快速大面积的图案化. 展开更多
关键词 聚乙撑二氧噻吩和聚磺化苯乙烯(PEDOT∶PSS)电极 有机场效应晶体管 环氧树脂模板 微图案 选择性剥离
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钴(Ⅱ)场效应传感器的研制及应用 被引量:1
18
作者 周燕真 黄德培 +1 位作者 王维俊 巢启荣 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第2期255-260,共6页
本文报导了以十二烷基二甲基苯苄胺—四硫氰合钻(Ⅱ)缔合物为活性材料,研制了钴(Ⅱ)场效应传感器(以下简称Co(Ⅱ)—FET),测试了器件的性能参数。其线性范围在10^(-1)—10^(-5)mol/1,斜率为27.6mv/Pc,适用的PH范围1.3—10.8,许多性能参... 本文报导了以十二烷基二甲基苯苄胺—四硫氰合钻(Ⅱ)缔合物为活性材料,研制了钴(Ⅱ)场效应传感器(以下简称Co(Ⅱ)—FET),测试了器件的性能参数。其线性范围在10^(-1)—10^(-5)mol/1,斜率为27.6mv/Pc,适用的PH范围1.3—10.8,许多性能参数优于目前已报道国内外钴电极,并作了应用测试,获得了满意结果。 展开更多
关键词 钴离子 场效应传感器 离子选择电极
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P-flash串扰机制和解决方案的研究 被引量:1
19
作者 田志 殷冠华 +3 位作者 顾珍 钟林健 秦佑华 陈昊瑜 《中国集成电路》 2018年第1期27-34,40,共9页
随着集成电路技术的快速发展,通过对作为将来低功耗和高速度读取的重要候选者的2T P-flash串扰结果的分析,从结构和功能方面出发找寻串扰产生的机制,进而在工艺和设计上提出相应的改善方法。通过在浅槽隔离下方注入合适的浓度,使以浅槽... 随着集成电路技术的快速发展,通过对作为将来低功耗和高速度读取的重要候选者的2T P-flash串扰结果的分析,从结构和功能方面出发找寻串扰产生的机制,进而在工艺和设计上提出相应的改善方法。通过在浅槽隔离下方注入合适的浓度,使以浅槽隔离区氧化硅为栅极氧化硅的选择晶体管可以承受更高的电压,从而改善编程单元造成的串扰。通过设计上的改进:(a)编程串扰:降低编程强度或是编程的时间,(b)擦除串扰:降低非选择区块的源端电压,(c)读操作串扰:降低读操作电压。通过改进的串扰措施,使P-flash的抗串扰能力增强,为2T P-flash作为低功耗,高速度的嵌入式闪存提供强有力的基础。 展开更多
关键词 闪存 浮栅极 2T闪存存储单元 选择管 存储管 串扰
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电力电子器件绝缘栅双极晶体管的应用与保护(续一)
20
作者 钱金川 朱守敏 《江苏电器》 2008年第2期32-34,共3页
介绍了电力电子器件的分类和发展。将电力电子装置中的主流器件绝缘栅双极晶体管IGBT与其它电力电子器件性能进行了比较。提出了IGBT应根据实际情况,采取相应的保护措施,方可保证IGBT在应用中得到良好效果,并保证IGBT安全可靠的工作。
关键词 电力电子器件 分类 绝缘栅双极晶体管 选用 应用与保护
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