均匀光栅DFB激光器光电特性研究

光栅结构的设计和制作直接决定了分布反馈（DFB）半导体激光器光电特性的优劣。采用传输矩阵法模拟了不同光栅耦合因子下随机相位对均匀光栅DFB芯片特性的影响,获得了芯片的光电参数分布。通过分析耦合因子对芯片光电参数分布的影响,提高了DFB芯片的成品率。设计并制备了基于Al Ga In As材料体系的脊波导DFB激光器,最终使芯片双峰比例仅为7.7%、成品率达到60%。对合格品在-40~105℃下的P-I特性和在-40~85℃下的光谱进行了测试,结果表明芯片性能优良,芯片远场发散角为25°和21°。芯片的小信号频带响应和眼图测试结果表明芯片完全满足2.5 Gbit/s的应用要求。

以自激注入锁定方式生成边模抑制比高的可调谐双波长超短光脉冲

介绍一种简单的以自激注入锁定方式、生成边模抑制比改善的、可调谐双波长超短光脉冲的实验系统.系统通过调整两个B ragg光纤光栅和光延迟线,可方便地调谐两个不同波长及其间距,从而获得双波长光脉冲输出.实验显示,在20.7nm的波长调谐范围内,可获得边模抑制比接近或高于30dB的双波长光脉冲输出.系统简单,且波长调谐方便.

基于两个FBG的F-P半导体激光器自激注入锁定

提出了基于两个光纤布拉格光栅(FBG)的Fabry-Perot(F-P)半导体激光器自激注入锁定以获得拍频信号的实验方案。在该系统中,直流驱动F-P半导体激光器,自激注入锁定通过两个自制的光纤布拉格光栅作为反馈元件实现。在9.17nm的调谐范围内实验获得边模抑制比接近或高于27dB的双波长输出。该方案系统简单,成本低廉。

基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器

为了进一步有效提高光电振荡器的性能,提出了一种基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器。利用两级电功分器构成电增益环腔,结合偏振分束器和偏振合束器形成的光纤双环结构,在没有引入外调制器和电滤波器的前提下,得到了高边模抑制比的小型化光电振荡器。实验中光纤长度取110m和2km,获得了中心频率为11.4GHz的微波信号,边模抑制比为60dB,其相位噪声为-103.6dBc/Hz@10kHz。

波长可调谐超短光脉冲的简便高质的生成技术

提出了一种以处于增益开关调制状态下的法布里-珀罗(Fabry-Pérot)半导体激光器作为光源,采用简单的自激注入锁定方式,以生成波长可调谐的超短光脉冲的实验系统.该实验装置中,激光器的外腔包括两个串联在一起的布拉格光纤光栅,一个掺铒光纤放大器(EDFA),一个光耦合器和两个环行器,其作用是选模,以及增强并控制反馈回激光器内腔的光强.该实验系统简单而高效,在24 nm的波长调谐范围内获得了边模抑制比高于40 dB的单模光脉冲输出;而在1521.8 nm和1550.0 nm之间28.2 nm的波长调谐范围内,边模抑制比高于35 dB.所得到的各个单波长激光脉冲的时域半峰全宽为140～260 ps,各个脉冲的光谱半峰全宽皆为0.1 nm.

垂直腔面发射激光器氧化孔结构对器件激射性能的影响

为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出,设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件,研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明:VCSEL台面直径越大,阈值电流越大;氧化孔径越偏向圆形,边模抑制比越高。制备了氧化孔为圆形、直径为4.4μm的VCSEL器件,该器件在70～90℃工作温度及0.6 mA驱动电流下实现了894.6 nm单模激光输出,边模抑制比高于35 dB。

大功率分布反馈激光器中光栅优化及试验

对于分布反馈激光器来说,光栅的耦合系数是一个重要参数.利用改进的耦合波理论计算了具体器件结构中光栅形貌对二级光栅耦合系数的影响.在此基础上制作的器件功率达到了单面50mW,边模抑制比为36dB.