半导体级多晶硅的低成本清洗方法

半导体产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性、战略性和先导性产业,单晶硅由于具有独特的物理及化学性质,在半导体产业中占有重要的地位,多晶硅作为制备单晶硅的前驱体,对纯度的要求尤为严苛,因此本文研究了一种采用低成本混酸清洗多晶硅块,进而制备高纯多晶硅的新型方法。在室温环境中,采用纯度为电子级(EL)、超纯(UP)、超纯MOS(UP-S)级的由氢氟酸和硝酸组成的混酸溶液清洗多晶硅块,所得多晶硅表面金属含量均在2 ppbw以下,即符合半导体级多晶硅对表面金属含量的要求;并研究了多晶硅表面金属含量与清洗过程所消耗EL级混酸之间的关系,发现使用300 ml V_(HF):V_(HNO3)=1:10的由氢氟酸和硝酸组成的EL级混酸溶液可以清洗出3.33kg半导体级多晶硅,说明低成本EL级混酸也可以广泛用于半导体级多晶硅的工业生产中。

电子级多晶硅生产技术探讨

介绍了目前国内外电子级多晶硅生产技术的发展状况,重点说明了改良西门子法电子级多晶生产技术原理及其工艺流程,主要包括:氢气制备及纯化、氯化氢合成、低压氯化(三氯氢硅合成)、低温氢化(四氯化硅转化)、精馏、CVD还原、尾气回收和后处理等工序。结合电子级多晶硅生产技术的成功工程应用实践,介绍了电子级多晶硅项目的技术特点。

国内外半导体级多晶硅生产技术差距分析

随着我国多晶硅生产技术的不断进步,半导体级多晶硅生产技术水平与国外的整体差距也在不断缩小,并在某些方面可比肩国际一流企业水平。由于国内从事大规模半导体级多晶硅生产技术研究起步较晚,相比于深耕几十年的国外一流企业,在某些细节上依然存在差距,本文主要从技术指标、关键设备材料、生产运营理念等方面分析其存在的差距。