基于8051单片机制作多光束激光围栏

多光束激光围栏是一种新型警戒装置,由半导体激光器和光敏三极管组成光开关,形成触发信号,由8051单片机控制报警器报警。

热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响

半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。

基于单片机的半导体激光器应用控制技术

针对半导体激光器(LD)应用领域十分广泛的特点,提出了一种新型 LD 功率(P)-电流(I)-电压(V)的自动测试方法。该方案采用华邦51系列单片机(SCM)W78E58BP 作为控制核心,实现了高稳定度的 LD连续及脉冲驱动、恒流控制及功率、电压采集。LD 控制单元中,应用负反馈技术实现注入电流 I_f、驱动电压 V_f和光功率 P_O 的高稳定控制,电流控制精度为±0.1%;单片机控制电信号的放大、保持和采集,模拟、数字相结合,提高了信号处理的精度。最后,给出了通过 RS-232接口对 LD 进行 PIV 测试的曲线及相关参数的测试结果,并给出了误差分析。该测试方法已得到广泛应用。

应用于半导体激光器可靠性评估系统的恒流源设计

介绍一种已成功应用于半导体激光器可靠性评估系统的负载浮置的集成运放反馈型恒流源的设计与实现方法。这种以单片机为核心的数控恒流源实现了对输出电流的精确控制,控制精度可达毫安级。该恒流源采用大功率达林顿管作调整管,输出电流可调整范围较大,可为各种半导体激光器提供稳定、连续、可调的电流,并具有过流保护及报警、延时软启动等功能。

一种基于单片机的半导体激光器电源控制系统的设计

介绍了一种以C8051F高速单片机为核心的半导体激光器驱动电源的控制系统。半导体激光器的工作电流是通过恒流源及光功率反馈控制的,其中恒流源采用达林顿管作为调整管,他可调整大范围的输出电流,可为半导体激光器提供稳定、连续的电流,并且具有慢启动和保护电路等功能。

基于遗传算法的半导体激光器温度控制系统

针对半导体激光器工作温度随时间变化存在漂移和不稳定的问题,提出了基于遗传算法的半导体激光器温度控制系统.将单片机、铂电阻和TEC半导体制冷器分别作为系统的处理器、温度敏感器和温控执行器,通过遗传算法模型来分析被控对象的物理特性,利用遗传算法的快速搜索能力来训练温度控制的权系数,并对设计的系统进行实验验证.结果表明,该系统的温度控制精度为±0. 002℃,控制范围为5~70℃,超调量低于8%,能够实现高精度和宽范围的控制效果,具有较好的工程应用价值.

单片机的半导体激光器功率恒控制

针对传统的半导体激光器功率恒控制方法一直存在控制精度低、效率差的问题,提出基于单片机的半导体激光器功率恒控制方法。首先,在分析半导体激光器结构的基础上,对半导体激光器功率控制原理进行详细分析;其次,以其原理为基础,对影响半导体激光器功率控制的因素进行详细地分析;最后,在恒控制过程中加入单片机,增加半导体激光器功率恒控制的稳定性,实现半导体激光器功率恒控制的优化。实验结果证明,采用改进的半导体激光器功率恒控制方法,相比传统的控制方法,其控制精度高、稳定性好。

基于单片机的半导体激光器恒流源设计

介绍了采用集成运放反馈型结构的恒流驱动源设计,用于确保半导体激光器功率输出恒定。基于单片机的控制系统实现电流控制精度为0.1mA;采用大功率达林顿管作为调整管,输出电流连续可调整范围较大,该电源还具有限流保护、延时软启动等功能。

单片机稳恒控制半导体激光器功率研究

为了提高半导体激光器的整体性能,需要对其功率稳定性控制方法展开研究,提出一种利用单片机实现半导体激光器功率稳恒控制的方法,该方法设计了定功率闭环控制电路和定电压开环控制电路,在半导体激光器运行过程中利用上述电路实现闭、开环控制,通过脉冲电源控制半导体激光器中的脉冲电流,在此基础上利用ATmega16单片机调整电路电流,划分半导体激光器的输出功率区域,在不同区域中利用PID控制器展开功率稳恒控制。实验结果表明,所提方法的激光功率稳定度高、抗干扰性强、功率控制效果好。

便携式半导体激光治疗仪的设计

采用10毫瓦半导体激光管,以AT89C2051单片机、TPS76333稳压块、CA358运算放大器等集成电路为核心,设计经济实用的激光治疗仪,给出了硬件电路和编程方法。同时,论证了治疗仪设计的合理性和经济实用性。

半导体激光器温度控制系统的设计

设计了一种利用单片机控制的半导体激光器温控系统。该系统通过对激光器中晶体和LD温度的实时采集和控制,使激光器工作于最佳温度点,从而减小了因温度的不稳定而造成的半导体激光器输出功率不稳定、输出波长发生漂移等不良影响。实验数据结果表明该系统的温度控制精度优于±0.2℃。

半导体激光器的温度控制系统

由于温度对半导体激光器的性能有很大的影响．介绍了一种基于AT89C51单片机的半导体激光器温度控制系统．该系统由单片机进行程序化控制，由温度传感器AD590采集被控对象的实时温度，对温度的控制精确度可达到0．01℃．从而提高了半导体激光器的使用寿命和输出波长的单一性．

论域可变的模糊PID控制在半导体激光器温度控制系统中的应用

半导体激光器输出的精准性和稳定性受温度的影响较大,温度的变化会导致半导体激光器阈值电流、电光转换效率和波长大小变化,进而影响输出功率。为了实现半导体激光器在设定温度条件下正常工作,设计了单片机为核心控制元件,热电制冷器(TEC)和PTC加热器为执行元件,AD590温度传感器和铂电阻PT1000为温度检测元件的温度控制系统,通过论域可变的模糊比例-积分-微分(PID)控制算法输出不同占空比的脉冲宽度调制波对温度进行控制。通过仿真分析,此控制算法不仅可以减小系统超调量,也具有很强的鲁棒性。最后实验结果表明,在-12~120℃的控温范围内,可以达到系统所要求±0.1℃的控温精度,并在250 s内达到预设温度。