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Energy Structure of Two-Dimensional Graphene-Semiconductor Quantum Dot
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作者 Jin Tong Wang Guang-Lin Zhao +3 位作者 Diola Bagayoko Dong-Sheng Guo Jincan Chen Zhiwei Sun 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2013年第3期144-151,共8页
Graphene is a newly discovered material that possesses unique electronic properties. It is a two-dimensional singlelayered sheet in which the electrons are free and quasi-relativistic. These properties may open a door... Graphene is a newly discovered material that possesses unique electronic properties. It is a two-dimensional singlelayered sheet in which the electrons are free and quasi-relativistic. These properties may open a door for many new electronic applications. In this paper we proposed a flat 2-dimensional circular graphene-semiconductor quantum dot. We have carried out theoretical studies including deriving the Dirac equation for the electrons inside the graphene-semiconductor quantum dot and solving the equation. We have established the energy structure as a function of the rotational quantum number and the size (radius) of the dot. The energy gap between the energy levels can be tuned with the radius of the quantum dot. It could be useful for quantum computation and single electron device application. 展开更多
关键词 GRAPHENE Quantum DOT DIRAC EQUATION semiconductor Energy levelS
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大型磷肥企业应向高纯磷化工方向发展 被引量:8
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作者 钟本和 吴德桥 +1 位作者 方为茂 李军 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7-10,12,共5页
根据我国磷矿特点,分析当前磷化工发展存在的问题,指出发展磷化工的必要性。综合国内外相关技术,提出开发具有自主知识产权的磷酸化工新技术,生产高档的、功能性的磷酸盐产品,是我国磷化工行业发展方向。
关键词 磷酸 湿法 热法 半导体级 净化 磷酸盐
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纳米量子点能级以及能隙计算和修正 被引量:1
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作者 单以洪 冯仕猛 +3 位作者 雷刚 鞠雪梅 周玲 杨树泉 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期239-244,共6页
用一个简单模型分析了量子点产生能级的原因,推导出能级与量子点尺寸的表达式。根据量子点表面势垒为有限值的特点以及表面存在衰减波,提出量子点内电子波函数不完全满足驻波条件的观点,在量子点的能级表达式中引入一个修正系数.结合量... 用一个简单模型分析了量子点产生能级的原因,推导出能级与量子点尺寸的表达式。根据量子点表面势垒为有限值的特点以及表面存在衰减波,提出量子点内电子波函数不完全满足驻波条件的观点,在量子点的能级表达式中引入一个修正系数.结合量子点表面衰减波的特征,给出量子点修正系数的计算方法。通过理论计算表明:量子点的能级以及能级之间的能量差(间隙)不但与量子点的尺寸有关,而且与其边界条件有关。特别是对于非光滑的表面,其表面势垒对量子点的能级与能隙影响非常大. 展开更多
关键词 光电子学 量子点 半导体 能级 能隙
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贵金属修饰型TiO_2的催化活性及Fermi能级对其光催化性能的影响 被引量:16
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作者 鄂磊 徐明霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1538-1541,共4页
采用自制纳米TiO_2粉末,以磷酸铝为粘结剂,制备了负载型TiO_2光催化剂。将Ag,Pt或Pd 3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO_2的表面,从而得到修饰型负载光催化剂(M/TiO_2)。通过甲基橙溶液降解实验研究了贵金属的掺杂种类和含量对TiO_2光... 采用自制纳米TiO_2粉末,以磷酸铝为粘结剂,制备了负载型TiO_2光催化剂。将Ag,Pt或Pd 3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO_2的表面,从而得到修饰型负载光催化剂(M/TiO_2)。通过甲基橙溶液降解实验研究了贵金属的掺杂种类和含量对TiO_2光催化性能的影响。实验结果表明:适量掺杂Ag,Pt或Pd 3种金属粒子均可提高TiO_2的光催化活性,且3种金属粒子的最佳掺杂质量分数分别为0.5%,1.0%和1.0%。在最佳掺杂量时,Ag/TiO_2[ω(Ag)=0.5%]的光催化活性要高于Pt/TiO_2[ω(Pt)=1.0%]或Pd/TiO_2[ω(Pd)=1.0%]。另外,通过金属一半导体接触理论阐述了M/TiO_2的光催化机理,并通过Ag,Pt,Pd金属的Fermi能级的不同,解释了Ag/TiO_2,Pt/TiO_2和Pd/TiO_2 3种光催化剂催化性能的差别。 展开更多
关键词 贵金属掺杂 金属-牙半导体 Fermi能级 光催化氧化
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半导体激光不同累积能量照射后牙本质的改变 被引量:4
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作者 程政 王敏 +1 位作者 沃小蓉 杨小妮 《陕西医学杂志》 CAS 北大核心 2007年第3期310-312,共3页
目的:探讨临床应用半导体激光治疗牙本质过敏症的最佳参数值。方法:选择离体上下颌第一、二恒磨牙,用单面金刚砂片垂直于牙长轴在面牙尖下1.0mm和2.5mm二处切断,制成1.5mm厚的牙片15张。选用不同功率的激光照射牙本质片,每种功率激光... 目的:探讨临床应用半导体激光治疗牙本质过敏症的最佳参数值。方法:选择离体上下颌第一、二恒磨牙,用单面金刚砂片垂直于牙长轴在面牙尖下1.0mm和2.5mm二处切断,制成1.5mm厚的牙片15张。选用不同功率的激光照射牙本质片,每种功率激光分别照射180s、240s和300s。牙本质片经常规固定、包埋、切片、染色后,光学显微镜下观察牙本质的组织学变化。结果:不同功率的激光经不同照射时间照射牙本质片后,均可封闭牙本质小管。激光功率不变时,牙本质小管的封闭厚度随照射时间的增加而增加;照射时间相同时,牙本质小管的封闭厚度随激光功率的增加而增加,且具有显著性差异。在激光功率为0.5W时,个别样本在激光照射区域牙本质中心处有凹坑出现。结论:激光功率0.4W,照射时间300s条件下,牙本质小管封闭厚度较厚,且不出现凹坑现象,可作为半导体激光脱敏的最佳参考数值。 展开更多
关键词 牙本质过敏/治疗 激光疗法 小剂量/方法半导体
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温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响 被引量:4
6
作者 金海岩 张利春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1122-1126,共5页
提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式 ,改善了以往经验公式局限性较大的缺点 ,拓宽了公式的使用范围 .分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 .
关键词 掺杂浓度 温度 锗硅材料 禁带宽度
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半导体生产线动态在制品水平控制方法 被引量:8
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作者 胡鸿韬 江志斌 张怀 《计算机集成制造系统》 EI CSCD 北大核心 2008年第9期1759-1765,共7页
针对半导体晶圆制造中设备众多,生产周期长和多次重入等特点,提出一种在制品水平分解控制方法。首先,通过仿真实验,依据系统关键指标受设备性能变化影响的灵敏度大小,确定设备的约束权重;然后,依据设备约束权重,结合产品的加工参数,确... 针对半导体晶圆制造中设备众多,生产周期长和多次重入等特点,提出一种在制品水平分解控制方法。首先,通过仿真实验,依据系统关键指标受设备性能变化影响的灵敏度大小,确定设备的约束权重;然后,依据设备约束权重,结合产品的加工参数,确定每种产品各加工阶段合理的在制品水平分布;最后,设备依据实际在制品水平和目标在制品水平的差别和上下游信息,动态地选择工件加工。通过仿真实验,验证了算法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 半导体晶圆制造系统 调度 在制品水平 设备约束权重
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半导体/液结费米能级钉着的理论分析 被引量:1
8
作者 林仲华 罗瑾 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期608-612,共5页
在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化... 在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。 展开更多
关键词 半导体 液结 费米能级钉着 表面态
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仿真分析测量参数对光反馈自混合信号的影响 被引量:6
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作者 禹延光 闫艳霞 《光学与光电技术》 2005年第5期33-35,45,共4页
针对含有光反馈的半导体激光器,在外腔波动条件下,研究其光反馈干涉自混合信号模型。经计算仿真分析,得到了外腔运动参数及激光器本身参数的变化对光反馈自混合信号波形的影响规律。结果表明,利用光反馈自混合干涉效应可以进行多参数传... 针对含有光反馈的半导体激光器,在外腔波动条件下,研究其光反馈干涉自混合信号模型。经计算仿真分析,得到了外腔运动参数及激光器本身参数的变化对光反馈自混合信号波形的影响规律。结果表明,利用光反馈自混合干涉效应可以进行多参数传感测量。 展开更多
关键词 光反馈 自混合干涉 线宽展宽因数 光反馈水平因子 半导体激光器
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金属化布线晶片级测试系统
10
作者 孙英华 郭伟玲 +3 位作者 程尧海 孙喆 李志国 张万荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期58-60,共3页
晶片级测试方法是半导体器件(VLSI)金属化可靠性试验中的一种新方法,本研究在现有设备的基础上进行了一系列的设计和改进,建立了一套由微机控制的晶片级金属化电徙动测试系统,为金属化可靠性测试和在线监测的研究奠定了良好的... 晶片级测试方法是半导体器件(VLSI)金属化可靠性试验中的一种新方法,本研究在现有设备的基础上进行了一系列的设计和改进,建立了一套由微机控制的晶片级金属化电徙动测试系统,为金属化可靠性测试和在线监测的研究奠定了良好的基础。 展开更多
关键词 半导体器件 可靠性 晶片级测试
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我国集成电路专用材料发展状况分析 被引量:8
11
作者 朱惠臣 孙晓光 杜黎明 《集成电路应用》 2021年第2期22-25,共4页
研究我国集成电路发展的状况、市场规模的扩大、内需潜力的稳步上升、产业链结构逐渐完善、部分细分材料不断实现底层突破,从而有效地促进我国集成电路材料的创新发展。
关键词 集成电路制造 产业链结构 摩尔定律 半导体关键材料 国产化水平
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GaAs:Cr中的Cr^(4+)(3d^2 )态的光激发电子顺磁共振研究
12
作者 毛晋昌 傅济时 +3 位作者 吴恩 秦国刚 王永鸿 马碧春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期125-128,共4页
本文报道GaAs∶Cr中Cr^(4+)(3d^2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr^(4+)的EPR信号,但对Cr^(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr^(4+)EPR信号在... 本文报道GaAs∶Cr中Cr^(4+)(3d^2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr^(4+)的EPR信号,但对Cr^(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr^(4+)EPR信号在光照停止后先陡然增大然后逐渐下降,而不是光照停止后随即单调下降的现象. 展开更多
关键词 砷化镓 深能级 电子 顺磁共振
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深能级中心的电场增强载流子产生效应
13
作者 丁扣宝 张秀淼 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第1期61-66,共6页
本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本... 本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有关的实验结果。 展开更多
关键词 半导体 能级中心 MOS电容 载流子
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光反馈自混合干涉系统模型中的参数研究 被引量:1
14
作者 闫艳霞 禹延光 《河南科学》 2006年第2期178-181,共4页
在外腔简谐振动条件下,研究半导体激光器的光反馈自混合干涉系统模型中的测量参数.经计算仿真分析,得到了外腔运动参数及激光器本身参数的变化对光反馈自混合信号波形的影响规律.结论表明,利用光反馈自混合干涉效应可以进行多参数传感测量.
关键词 光反馈 自混合干涉 线宽展宽因数 光反馈水平因子 半导体激光器
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碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率研究 被引量:1
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作者 武红磊 郑瑞生 +1 位作者 孟姝 黄俊毅 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2011年第2期109-112,共4页
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物... 采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(n=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V.s)的p型氮化铝晶体. 展开更多
关键词 半导体材料 掺杂 第一性原理计算 氮化铝 受主能级 电阻率
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河南省若干半导体器件的DLTS研究
16
作者 戴培英 王国樑 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 1989年第1期43-46,共4页
本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对河南省部分厂家生产的若干半导体器件作了DLTS测量,测到了存在于Ge—APD中的两个深能级(E_c-0.26ev和E_c-0.35ev)。分析认为是Fe离子沾污所致,同时获得其俘获截面和浓度,其它器件(开关二级管除外)均... 本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对河南省部分厂家生产的若干半导体器件作了DLTS测量,测到了存在于Ge—APD中的两个深能级(E_c-0.26ev和E_c-0.35ev)。分析认为是Fe离子沾污所致,同时获得其俘获截面和浓度,其它器件(开关二级管除外)均未发现有深能级存在。 展开更多
关键词 半导体器件 深能级瞬态谱
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AlGaAs混晶中的Sn施主深能级
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作者 康俊勇 林虹 黄启圣 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期29-32,共4页
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用... 用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。 展开更多
关键词 ALGAAS SN 混晶半导体 深能级
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半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe深能级的研究
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作者 凌志华 景玉梅 +1 位作者 黄锡珉 马凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1994年第1期39-43,共5页
通过测量半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在77~300K温度范围的电导率变化,得到了晶体的一个受主深能级约为0.18ev左右,并通过分析以及退火后的电导率的测量,认为它可能是由[V_(Cd) ̄(2-)D ̄... 通过测量半磁性半导体Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在77~300K温度范围的电导率变化,得到了晶体的一个受主深能级约为0.18ev左右,并通过分析以及退火后的电导率的测量,认为它可能是由[V_(Cd) ̄(2-)D ̄+]引起的,同时通过VanderPaul法,对Cd_(1-x)Mn_xTe晶体进行了室温下的霍耳效应测量,得到了它的一些电学参数。 展开更多
关键词 半磁性 半导体 深能级 CDMNTE
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多量子阱系统结构变化对共振隧穿的影响 被引量:3
19
作者 李存志 林晓春 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期829-832,849,共5页
通过求解薛定谔方程得到由N个矩形势垒构成的量子阱系统的传输矩阵和电子透射系数的精确解,研究了多量子阱系统中势垒宽度、势阱宽度和势阱个数对电子共振隧穿的影响.数值分析表明,对于中间垒宽为两侧垒宽之和的对称多量子阱,阱宽的增... 通过求解薛定谔方程得到由N个矩形势垒构成的量子阱系统的传输矩阵和电子透射系数的精确解,研究了多量子阱系统中势垒宽度、势阱宽度和势阱个数对电子共振隧穿的影响.数值分析表明,对于中间垒宽为两侧垒宽之和的对称多量子阱,阱宽的增加引起共振峰向能量低的方向移动,共振峰个数增加;势阱个数增加不影响共振峰个数及其位置,但可以获得透射比更大、更尖锐的共振峰. 展开更多
关键词 共振隧穿 量子阱 变换矩阵 透射系数
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基于时序特征的CMOS施密特电路开关级设计 被引量:2
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作者 汪鹏君 吴训威 夏银水 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期100-103,126,共5页
根据施密特电路对输入信号具有二种检测阈值的工作特点 ,提出了施密特电路与用作存贮元件的触发器之间具有相同的时序特征。利用时序电路的设计方法 ,系统地研究了传统的 CMOS施密特电路的各种设计 ,并发现了一些新的设计方案。
关键词 施密特电路 时序特征 开头级设计 互补对称式金属-氧化物-半导体电路
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