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Analysis and Design Aspects of a Series Power Semiconductor Array with Digital Waveform Control Capability for Single Phase AC Voltage Regulators and Other Applications
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作者 Nihal Kularatna Chandani Jindasa 《Circuits and Systems》 2011年第3期249-259,共11页
A series connected power semiconductor array, with digital control capability could be used for developing single phase AC regulators or other applications such as AC electronic loads. This technique together with an ... A series connected power semiconductor array, with digital control capability could be used for developing single phase AC regulators or other applications such as AC electronic loads. This technique together with an ordinary gapless transformer could be used to develop a low cost AC voltage regulator (AVR) to provide better or comparable specifications with bulky ferro-resonant AVR types. One primary advantage of the technique is that digital control can be used to minimize harmonics. Commencing with a review of AC voltage regulator techniques for single phase power conditioning systems, an analysis and design aspects of this technique is presented with experimental results for AVRs. Guidelines on how to utilize the technique in a generalized basis is also summarized together with a summary of a technique for achieving harmonic control. 展开更多
关键词 POWER Conditioners AC Voltage REGULATORS (AVR) POWER semiconductorS Digital Control Electronic AC loads
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力电流联合载荷作用下GaN半导体准脆性断裂行为
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作者 王蕾 王世杰 +1 位作者 朱登洁 卢春生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期895-901,共7页
压电半导体(PSC)结构在工程应用中不可避免地受电流、应力场等共同作用,多场应用环境往往导致其发生复杂的变形、断裂失效等问题。通过引入影响特征裂纹长度的电流参数,建立了压电半导体在力电流联合载荷作用下断裂行为的预测模型。经... 压电半导体(PSC)结构在工程应用中不可避免地受电流、应力场等共同作用,多场应用环境往往导致其发生复杂的变形、断裂失效等问题。通过引入影响特征裂纹长度的电流参数,建立了压电半导体在力电流联合载荷作用下断裂行为的预测模型。经力电流联合载荷实验验证,该模型预测范围涵盖了所有强度和断裂实验数据点,表明其可以有效地预测压电半导体的准脆性断裂行为。系统研究了电流载荷对压电半导体准脆性断裂行为的影响,为复杂环境下GaN构件的可靠性设计提供了一定的理论及数据支撑。 展开更多
关键词 GaN 压电半导体(PSC) 力电流联合载荷 准脆性断裂 拉伸强度 断裂韧性
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自动树脂装载机称重系统设计与应用
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作者 班友根 丁丽成 +1 位作者 汪宗华 赵松 《电子工业专用设备》 2023年第1期14-18,24,共6页
针对半导体封装工艺需求,设计了一款用于半导体封装过程中塑封材料(树脂)的自动装载设备,实现树脂自动送料、质量检测、剔除废料、真空除尘、自动装载等功能。通过增加称重系统实现对树脂质量的高精度测量,提升半导体封装产品的品质。
关键词 树脂 自动装载 半导体封装 称重系统
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二氧化钛可见光光催化剂研究进展 被引量:28
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作者 唐剑文 吴平霄 +1 位作者 曾少雁 刘云 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期25-28,共4页
综述了二氧化钛可见光化的一些理论观点及其改性技术的新进展,涉及染料光敏化、金属离子掺杂、贵金属沉积和复合半导体、非金属掺杂等,认为二氧化钛可见光化中的改性,实际上是使催化剂产生靠近导带或价带的内带隙的过程,并且这个新形成... 综述了二氧化钛可见光化的一些理论观点及其改性技术的新进展,涉及染料光敏化、金属离子掺杂、贵金属沉积和复合半导体、非金属掺杂等,认为二氧化钛可见光化中的改性,实际上是使催化剂产生靠近导带或价带的内带隙的过程,并且这个新形成的带隙能使催化剂对可见光产生有效的响应。针对二氧化钛光催化剂实用化中存在的问题,指出有效地抑制电子复合是今后改性研究的重点,寻找低成本的光敏物质或使污染物本身具有较好的光敏化性能是今后光敏化研究的方向之一。 展开更多
关键词 二氧化钛 光催化剂 可见光 表面光敏化 金属离子掺杂 贵金属沉积 复合半导体 非金属掺杂
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机电混合式有载分接开关电弧电流转移过程 被引量:7
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作者 宋冬冬 董彪 +1 位作者 李鹏程 杜海江 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期2164-2174,共11页
为阐明电弧电流转移的过程、机理和影响因素,确定不同半导体器件转移电弧电流的差异,针对机电混合式有载分接开关测试平台进行了试验研究。在理论分析影响电弧电流转移速率关键参数的基础上,分别建立了基于快速控制原型系统的无分流机... 为阐明电弧电流转移的过程、机理和影响因素,确定不同半导体器件转移电弧电流的差异,针对机电混合式有载分接开关测试平台进行了试验研究。在理论分析影响电弧电流转移速率关键参数的基础上,分别建立了基于快速控制原型系统的无分流机制及有分流机制电路,获取了固定开断相位下电弧电流的转移参数。通过功率器件测试电路,得到晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)、金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)和绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的特性参数,确定了电弧电流转移条件及工作机理。通过汇总3种功率器件的关键参数,总结了不同器件在电弧电流转移及开通过程方面的差异。研究结果表明:MOSFET并联支路可实现电弧电流转移参数最优,开关燃弧能量在10-3 J量级,分别约为IGBT和SCR结构相应参数的6.4%和9.3%,电弧电流转移时间<50μs,分别约为IGBT和SCR的85.3%和61.1%。该项工作可为后续研究基于全控器件的机电混合式有载分接开关样机提供参考。 展开更多
关键词 机电混合式有载分接开关 半导体器件 电弧电流 转移过程 建模仿真 小波滤波
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TLM-DDM耦合模型电磁脉冲环境适用性研究
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作者 赵墨 胡淑玲 +5 位作者 申胜平 程引会 吴伟 李进玺 马良 郭景海 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第1期45-49,共5页
通过改进已提出的时域传输线模型(TLM)与漂移-扩散模型(DDM)相结合的TLM-DDM耦合数值计算模型中网格单元结构,用于计算带晶体管负载电缆的电磁脉冲响应问题,该模型考虑了电磁脉冲响应经过电缆的传输过程与半导体器件不同偏置状态下剧烈... 通过改进已提出的时域传输线模型(TLM)与漂移-扩散模型(DDM)相结合的TLM-DDM耦合数值计算模型中网格单元结构,用于计算带晶体管负载电缆的电磁脉冲响应问题,该模型考虑了电磁脉冲响应经过电缆的传输过程与半导体器件不同偏置状态下剧烈的电参数变化之间的耦合过程,能够反映出传输线负载不匹配产生的反射信号所引发的信号畸变、振荡等问题。利用TLM-DDM耦合模型和通用模型分别对典型算例进行数值模拟,计算结果表明:TLM-DDM耦合模型中脉冲电压信号与反射信号叠加引发加载在双极晶体管的偏置电压翻倍导致C-B结击穿和传输线上信号失真,与理论分析相符合,比未考虑传输线部分的通用模型所得结果更加贴近于物理实际。 展开更多
关键词 耦合模型 电磁脉冲 电缆 半导体负载
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不同机电混合式有载分接开关工作特性实验研究 被引量:3
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作者 宋冬冬 董彪 +1 位作者 李鹏程 杜海江 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2020年第3期208-213,共6页
为阐明机电混合式有载分接开关(EHOLTC)的工作特性,确定不同半导体器件切换过程的差异,针对不同半导体器件的EHOLTC工作特性进行了实验研究。选用晶闸管、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为研究对象,利... 为阐明机电混合式有载分接开关(EHOLTC)的工作特性,确定不同半导体器件切换过程的差异,针对不同半导体器件的EHOLTC工作特性进行了实验研究。选用晶闸管、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为研究对象,利用级绕组取电方式作为控制电源,搭建了3种实验样机平台。结合实验数据,分别计算了各器件工作参数及功耗数据。实测数据表明,EHOLTC燃弧能量约为机械式OLTC燃弧能量的1‰,能够有效抑制燃弧,MOSFET单元转移电弧电流能力最强。功率器件损耗接近过渡电阻损耗的5%,以IGBT单元损耗最低。全控器件换流时间较短,因换流点相位存在不确定因素,有承受高压的风险,可考虑用于中性点调压。从经济和安全角度,半控件具有一定优势。 展开更多
关键词 机电混合式有载分接开关 半导体器件 功率损耗 电弧能量 换流暂态
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天然沸石负载ZnO/SnO_2复合半导体的光催化活性 被引量:16
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作者 牟柏林 侯天意 +1 位作者 霍丽娟 孙申美 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1366-1370,共5页
利用天然沸石负载ZnO/SnO2复合半导体制备光催化材料。采用X射线衍射、红外光谱等测试方法对复合样品的结构进行了研究。讨论了材料制备过程中的焙烧条件、锌锡氧化物配比对其结构与光催化剂活性的影响。结果表明:ZnO/SnO2复合半导体与... 利用天然沸石负载ZnO/SnO2复合半导体制备光催化材料。采用X射线衍射、红外光谱等测试方法对复合样品的结构进行了研究。讨论了材料制备过程中的焙烧条件、锌锡氧化物配比对其结构与光催化剂活性的影响。结果表明:ZnO/SnO2复合半导体与沸石间实现了一定程度的化学结合,半导体氧化物在沸石表面负载牢固,并且当ZnO/SnO2摩尔比为2∶1时,与沸石复合的材料,经300℃热处理2 h,对甲基橙溶液的降解效能最高。 展开更多
关键词 天然沸石 负载 氧化锌氧化锡复合半导体 复合光催化剂
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棒状Pd/FeVO4粉体的制备及其气体敏感性能研究的探究性实验设计 被引量:1
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作者 朱刚强 聂俊丽 +2 位作者 王成会 高健智 黄育红 《实验科学与技术》 2019年第3期50-54,共5页
棒状Pd/FeVO4粉体的制备及其气体敏感性能的探究性实验是一个新型的实验课程。通过低温水热-化学还原法制备了棒状Pd/FeVO4粉体,对样品的晶体结构、形貌、元素组成进行了表征,并研究了其对苯甲醇气体的气敏性能。实验结果显示,Pd纳米颗... 棒状Pd/FeVO4粉体的制备及其气体敏感性能的探究性实验是一个新型的实验课程。通过低温水热-化学还原法制备了棒状Pd/FeVO4粉体,对样品的晶体结构、形貌、元素组成进行了表征,并研究了其对苯甲醇气体的气敏性能。实验结果显示,Pd纳米颗粒修饰的FeVO4粉体气敏性能得到了明显的提升。实践表明,该实验涵盖知识点多,综合了一维纳米材料的低温化学法制备、结构表征和半导体材料物理性能测试及研究等基本实验技能,有利于培养学生综合运用知识并进行科学研究的精神及团队协作能力,可作为陕西师范大学物理学院创新班的探究性实验内容。 展开更多
关键词 综合性实验 负载 气敏性能 半导体材料 响应值
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负载纳米TiO_2薄膜光催化还原氮气合成氨的研究
10
作者 张胜寒 冯玲 +1 位作者 连佳 郭彦磊 《山西化工》 2010年第5期1-4,共4页
对负载纳米TiO2薄膜光催化还原氮气合成氨进行验证,分别讨论了pH值、光照、初始浓度、不同载气和催化剂用量等因素对溶液中氨氮浓度变化的影响,并对实验结果作出初步解释。对自制的TiO2/Ti光电极绘制了Mott-Schotty曲线,初步研究了光电... 对负载纳米TiO2薄膜光催化还原氮气合成氨进行验证,分别讨论了pH值、光照、初始浓度、不同载气和催化剂用量等因素对溶液中氨氮浓度变化的影响,并对实验结果作出初步解释。对自制的TiO2/Ti光电极绘制了Mott-Schotty曲线,初步研究了光电极的半导体性质,计算了其载流子浓度ND、平带电位Фfb及能带弯曲量VB。研究了当下利用TiO2光催化还原氮气合成氨方法的可行性,对TiO2光催化还原性的利用提出相应的意见及建议。 展开更多
关键词 负载TIO2 光催化 合成氨 半导体 M-S曲线
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二氧化钛光催化分解水制氢技术进展 被引量:4
11
作者 倪萌 LEUNG Michael SUMATHY K 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期9-12,共4页
简单介绍了二氧化钛光催化分解水制氢的基本原理。综述了加入牺牲剂、碳酸钠、贵金属负载化、金属离子掺杂、阴离子掺杂、染料光敏化、半导体复合以及离子注入等提高二氧化钛光催化制氢的方法,讨论了这几种改性技术的机理以及对提高二... 简单介绍了二氧化钛光催化分解水制氢的基本原理。综述了加入牺牲剂、碳酸钠、贵金属负载化、金属离子掺杂、阴离子掺杂、染料光敏化、半导体复合以及离子注入等提高二氧化钛光催化制氢的方法,讨论了这几种改性技术的机理以及对提高二氧化钛在可见光下的制氢效率的作用。重点讨论了阴离子掺杂和离子注入技术的机理和研究进展,指出离子注入是目前扩展二氧化钛光响应的最为有效的技术。最后讨论了光催化分解水制氢的氢氧分离问题,并通过与其他制氢技术的对比分析,指出光催化制氢将是通往氢经济的非常有潜力的制氢技术。 展开更多
关键词 二氧化钛 光催化 制氢 贵金属沉积 离子掺杂 染料光敏化 复合半导体 离子注入
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基于Coffin-Manson模型功率半导体器件可靠性评估 被引量:5
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作者 曾文彬 宋梁 +1 位作者 张西应 操国宏 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2022年第7期138-140,共3页
对于功率半导体器件,热疲劳失效是器件可靠性考虑的首要因素。从半导体器件高可靠性要求出发,详细介绍了特高压直流输电工程(HVDC)器件的热疲劳失效原因和模式,通过热循环负载加速寿命试验的设计及对试验数据进行分析,获得了器件的Coffi... 对于功率半导体器件,热疲劳失效是器件可靠性考虑的首要因素。从半导体器件高可靠性要求出发,详细介绍了特高压直流输电工程(HVDC)器件的热疲劳失效原因和模式,通过热循环负载加速寿命试验的设计及对试验数据进行分析,获得了器件的Coffin-Manson加速寿命模型。并结合应用工况,获得了器件具体应用工况的使用寿命和可靠性指标。此试验输出的循环次数与温度变化值的关系曲线可为HVDC器件在具体应用工况的选型提供指南,加速系数与温度变化值的关系曲线为器件在不同应用工况下进行器件寿命预计和可靠性评估提供了依据。 展开更多
关键词 功率半导体 热循环负载 可靠性评估
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1.5 V 0.35μm CMOS 3.2 Gb/s 1:4分接器设计
13
作者 邱玲 冯军 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期24-27,共4页
采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载锁存器.电路最高可工作在3.2 Gb/s,电源电压为1.5 V,整体电路... 采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载锁存器.电路最高可工作在3.2 Gb/s,电源电压为1.5 V,整体电路功耗约为120 mW,芯片面积为0.675 mm×0.675 mm. 展开更多
关键词 分接器 低电压 CMOS 动态负载
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节能老化实验装置的一种电路
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作者 薛锦元 孙蓉蓉 +2 位作者 王世坤 方珉 王志敏 《天津理工学院学报》 1994年第1期67-76,共10页
根据有源逆变原理,将UPS设备老化负载由原电阻器换为有源逆变器,可将原发热浪费的能量转换成交流电能回馈到电网,获得再生利用,达到节能的目的,本文给出了老化节能负载装置的有关原理、电路结构和控制方法,可供用户开发成新的... 根据有源逆变原理,将UPS设备老化负载由原电阻器换为有源逆变器,可将原发热浪费的能量转换成交流电能回馈到电网,获得再生利用,达到节能的目的,本文给出了老化节能负载装置的有关原理、电路结构和控制方法,可供用户开发成新的节能产品。 展开更多
关键词 不停电电源 节能 老化试验 电路
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机器人在集成电路MGP模生产过程中视觉检测的设计
15
作者 孙征 《中国仪器仪表》 2022年第10期85-88,共4页
针对集成电路MGP模封装生产过程中,人工生产效率低下,劳动强度大,质量不稳定,安全系统低,招工难等问题,本文研究了一种在MGP模具内部对封装前上料框架进行视觉检测的装置,并应用于笔者公司研发的MGP智能芯片封装设备中。该设备已在长电... 针对集成电路MGP模封装生产过程中,人工生产效率低下,劳动强度大,质量不稳定,安全系统低,招工难等问题,本文研究了一种在MGP模具内部对封装前上料框架进行视觉检测的装置,并应用于笔者公司研发的MGP智能芯片封装设备中。该设备已在长电科技等封装龙头企业中使用,实现了芯片封装全自动生产,解放了劳动力,大幅提高产品良品率。 展开更多
关键词 半导体 MGP模 视觉检测 上料框架
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Effects of the Nature of Boundaries Conditions and Their Truncation Errors on the Distribution of Minority Carriers in Silicon Solar Cell
16
作者 Mamadou Bamba Sene Mountaga Boiro +2 位作者 Alioune Faye Amadou Diao Cheikh Mbow 《Journal of Modern Physics》 2022年第3期315-322,共8页
In this work, the effects of boundaries conditions and truncation errors in the distribution of minority carriers in the semiconductor are studied. It is a one-dimensional digital study of a polycrystalline silicon so... In this work, the effects of boundaries conditions and truncation errors in the distribution of minority carriers in the semiconductor are studied. It is a one-dimensional digital study of a polycrystalline silicon solar cell under polychromatic illumination in a dynamic state. Starting from the Boltzmann equation of semiconductors, the author establishes the general equation of particle transport. Assumptions made on the latter allow it to give the equation of distribution of minority carriers in a general way in its case to be studied. This dimensioned distribution equation reveals the parameters of influences on the distribution of carriers. It obtains a partial derivative equation for the carrier distribution function. The boundary conditions are then discretized to order one and then to order two. By considering boundary conditions and the nature of the carriers, the author numerically resolves the discretized general equation by assessing the influence of the nature of the boundary conditions and truncation errors and the influence of the discretization step on the density of the charge carriers by setting certain parameters and varying others. The work ends with a conclusion and logical follow-up to this work. 展开更多
关键词 Transport Equation load Carrier Densities Implicit Scheme semiconductor DISCRETIZATION
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功能梯度压电半导体拉-弯梁的屈曲分析
17
作者 许家豪 韩超凡 张巧云 《半导体光电》 CAS 2024年第4期634-639,共6页
基于三维压电半导体理论和一阶剪切变形理论,考虑材料拉伸、弯曲和剪切耦合变形,建立了功能梯度压电半导体拉-弯梁在轴向压力作用下的屈曲模型。借助有限元分析软件COMSOL对压电半导体拉-弯梁进行稳定性分析,得到了功能梯度压电半导体... 基于三维压电半导体理论和一阶剪切变形理论,考虑材料拉伸、弯曲和剪切耦合变形,建立了功能梯度压电半导体拉-弯梁在轴向压力作用下的屈曲模型。借助有限元分析软件COMSOL对压电半导体拉-弯梁进行稳定性分析,得到了功能梯度压电半导体简支梁的前三阶屈曲临界载荷及各机电场的分布规律。通过数值算例,讨论了梁长高比、初始电子浓度和功能梯度参数等对压电半导体拉-弯梁屈曲临界载荷的影响。 展开更多
关键词 压电半导体 功能梯度 拉-弯梁 屈曲 临界载荷
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