掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会变慢，即衰减时间增加；S＋Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快，说明了增感中心起深电子陷阱作用，当掺杂位置接近表面90％Ag时，光电子衰减时间突然减小，说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。

[Fe(CN)_6]^(4-)在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂

本文研究了K4[Fe(CN) 6 ]掺杂对溴碘化银T 颗粒乳剂感光性能的影响 .结果表明 ,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响 .K4[Fe(CN) 6 ]的掺杂量在每克乳剂 3 1× 1 0 - 9-3 1× 1 0 - 11mol之间时 ,乳剂感光度都有提高 .最佳掺杂量为每克乳剂 3 1× 1 0 - 10 mol.掺杂位置接近表面时效果相对较好 ,表明K4[Fe(CN) 6 ]是浅电子陷阱掺杂剂 .当掺杂剂的掺杂量大于每克乳剂 3 1× 1 0 8mol,且掺杂位置在乳剂颗粒较深内部时 。

浅电子陷阱掺杂AgCl微晶的光作用特性研究

利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇。光作用产物的出现,使得晶体中发生了浅电子陷阱到深电子陷阱效应的转变,可见掺杂使得晶体内部结构和光作用特性发生了变化。

掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性

利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。

溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究

用原子力显微镜研究了 T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化 .观察结果表明 ,T-颗粒晶体表面存在很多突起 ,经曝光后这些突起高度增加 ,更集中 .掺入浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]后 ,T-颗粒晶体对光更敏感 ,曝光后表面突起高度的增加幅度大于未掺杂乳剂光照后表面高度的变化 .同时硫增感剂对表面突起的分布也有很大的影响 .

[Ru(CN)_6]^(3-)在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂

研究了K4犤Ru(CN)6犦掺杂剂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响。当K4犤Ru(CN)6犦的掺杂量为3.1×10-8～3.1×10-9mol/g乳剂之间时,掺杂剂掺杂在乳剂的任意位置,乳剂感光度都有提高,表明K4犤Ru(CN)6犦是浅电子陷阱掺杂剂。掺杂位置接近表面或接近内核时效果相对较好,最佳的掺杂量为3.1×10-8mol/g乳剂。当掺杂剂的掺杂量小于3.1×10-10mol/g乳剂,且掺杂位置接近富碘区时,乳剂的感光度反而下降。

大气压空气介质阻挡汤森放电

为了实验研究大气压空气介质阻挡均匀放电的可能性,使用1.5mm以上厚度的Al2O3陶瓷片作为阻挡介质及1～2kHz的高压激励,在大气压3mm空气平板间隙中获得均匀放电。通过ICCD高速摄影得到的放电图像以及电流波形的分析表明这种放电是汤森放电。3mm空气间隙的稳态击穿电压仅约为5.7kV,远低于静态击穿电压11.2kV;还发现了类似氮气DBD汤森放电的"反常熄灭"现象,这两个现象表明陶瓷表面可能存在浅位阱及二次电子发射机制,这对空气汤森放电的起始和维持阶段都至关重要。另外,实验发现陶瓷厚度对空气DBD有重要影响,使用厚度<1.5mm的陶瓷片往往无法避免丝状放电。使用2片厚度各1mm的石英玻璃替代陶瓷片在670Pa～0.1MPa都无法获得均匀放电。上述3mm空气汤森放电的原因归结于陶瓷表面独特的"浅位阱"特性以及阻挡介质限流作用的共同效果。

掺杂AgCl中光电子衰减特性研究

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。

溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究

利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T 颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.

卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应

依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。

[Ru(CN)_6]^(4-)在溴化银立方体乳剂中的应用

研究了 [Ru (CN) 6]4-在溴化银立方体乳剂中的掺杂 ,[Ru4(CN) 6]4-作为 1种浅电子陷阱掺杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量 ,并从理论上进行了初步探讨。

K_4[Ru(CN)_6]对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能及光电子寿命影响的研究

本文研究了K4[Ru(CN)6]掺杂剂对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能以及光电子寿命的影响,研究结果表明,掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒内部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响.掺杂位置接近表面或接近颗粒几何核心时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度变化不明显或是下降.掺杂位置决定了掺杂剂的最佳用量,在66%—92%位置掺杂时,感光度提高最为显著.与未掺杂乳剂相比,最佳掺杂位置和最佳掺杂量乳剂的自由光电子与浅束缚光电子的寿命都有所延长.

纳米TiO2改性变压器油中电子迁移特性及机制

电子迁移率是影响变压器油中流注发展及空间电荷分布的关键因素之一,但是其高电场下的测量一直是个难题,现有纳米改性研究中也鲜见纳米粒子影响电子迁移率方面的报道。为此基于Kerr效应电场测量系统搭建了冲击高电场下变压器油中电子迁移率测量平台,测量了不同形状TiO2纳米粒子改性变压器油中的电子迁移率,分析其与纳米粒子表面缺陷态和变压器油的陷阱数密度之间的关系,揭示了纳米粒子对电子迁移率的影响机理。结果表明,文中所提出的方法可有效测量变压器油中电子在冲击高电场下的迁移速率,纳米改性变压器油中所添加的纳米粒子表面缺陷态越多,其浅陷阱数密度越大、电子迁移率越高。分析表明,纳米粒子表面缺陷导致跳跃势垒降低、隧穿概率增大从而引起电子迁移率增大。该方法可用于液体介质电子迁移率的测量,结果可为流注仿真提供关键数据支撑。

浅电子陷阱掺杂剂

介绍如何选择浅电子陷阱掺杂剂，用以提高卤化银乳剂的感光度、改善互易律失效等性能。

Ce:KNSBN在红光波段光栅记录和擦除动态特性

本文通过研究Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ晶体在红光波段光栅记录和擦除动态特性指出该晶体在红光波段电子－空穴竞争比较激烈。响应时间和光强的关系为τｒ∝Ｉ－ｘ，ｘ＝０．８５；衍射效率随光强的增加而增加，这表明该晶体中存在浅陷阱效应。

三价、四价铱盐的应用研究

通过对掺杂(NH4)3IrCl6、(NH4)2IrCl6的氯化银乳剂进行性能应用对比,主要在普通灯光曝光性能、高照度曝光性能、潜影稳定性三个方面进行研究。结果表明:铱盐的化合价位越低,对提高乳剂的高照度曝光性能与潜影稳定性,有较大优势,并从机理上解释了价位低的铱盐,做为浅电子陷阱掺杂剂有较大优势的原因。

浅电子陷阱技术

浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支，近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱的形成及原理，并对可形成浅电子陷阱的掺杂剂的类型及其在卤化银乳剂颗粒中掺杂的部位、使用量和所起的作用进行了初步的分析。在卤化银乳剂制备过程中使用浅电子陷阱剂可有效地提高照相感光度。

浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究

研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。

[Ru(CN)_6]^(4-)在溴碘化银立方体乳剂中的应用

研究了[Ru(CN)6]4-在溴碘化银立方体乳剂中的掺杂,[Ru4(CN)6]4-作为1种浅电子陷阱掺 杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量,并从理论上进行了初步探讨。

表面潜影集中技术

概述了表面潜影理论，较全面地介绍了表面潜影集中所采用的技术及其应用领域、实施方法和作用。