An oxide filled extended trench gate super junction MOSFET structure

This paper proposes an oxide filled extended trench gate super junction （SJ） MOSFET structure to meet the need of higher frequency power switches application. Compared with the conventional trench gate SJ MOSFET, new structure has the smaller input and output capacitances, and the remarkable improvements in the breakdown voltage, on-resistance and switching speed. Furthermore, the SJ in the new structure can be realized by the existing trench etching and shallow angle implantation, which offers more freedom to SJ MOSFET device design and fabrication.

ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究

利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Si3N4膜的钝化机理。

硅浅结紫外光探测器的研究

采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明 ,这种探测器能够有效地探测波长为 2 0 0nm至 4 0 0nm的紫外光。

等离子体浸没离子注入技术与设备研究

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。

冷发射电子束掺杂磷

一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。

锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究

随着超大规模集成电路技术的发展,CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术,因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义.本文研究了超浅结工艺中使用的锗预非晶化对镍硅(N iS i)金属栅功函数的影响.对具有不同剂量Ge注入的N iS i金属栅MOS电容样品的研究表明,锗预非晶化采用的Ge注入对N iS i金属栅的功函数影响很小(小于0.03eV),而且Ge注入也不会导致氧化层中固定电荷以及氧化层和硅衬底之间界面态的增加.这些结果表明,在自对准的先进CMOS工艺中,N iS i金属栅工艺和锗预非晶化超浅结工艺可以互相兼容.

离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究

利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.

超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型

文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流.

超大规模集成电路快速热处理技术

本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.

100nm超浅结制作工艺研究

在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。

低能全元素离子注入机

本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到^(209)Bi;最低能量5keV的As^+、Se^+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注入温度:室温～400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。

场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计

采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计算，可作为这种结构的设计参考。

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。

等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。

激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用综述

综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术,不能适应纳米超浅源、漏结的制备及其原因,分析了激光的独特优点以及用于超浅结形成的可行性。纳米超浅结要求结深和杂质分布精确可控,结电阻要尽可能低。着重强调了激光能量密度、脉冲宽度、作用时间等工艺参数与结深、杂质分布以及结电阻之间的密切关联。

多晶硅膜离子注入和扩散掺杂制备浅结的研究

本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。

蒙特卡罗模拟Si^＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布

用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。