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Subtle Variations in Surface Properties of Black Silicon Surfaces Influence the Degree of Bactericidal Efficiency
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作者 Chris M.Bhadra Marco Werner +9 位作者 Vladimir A.Baulin Vi Khanh Truong Mohammad Al Kobaisi Song Ha Nguyen Armandas Balcytis Saulius Juodkazis James Y.Wang David E.Mainwaring Russell J.Crawford Elena P.Ivanova 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2018年第2期239-246,共8页
One of the major challenges faced by the biomedical industry is the development of robust synthetic surfaces that can resist bacterial colonization. Much inspiration has been drawn recently from naturally occurring me... One of the major challenges faced by the biomedical industry is the development of robust synthetic surfaces that can resist bacterial colonization. Much inspiration has been drawn recently from naturally occurring mechano-bactericidal surfaces such as the wings of cicada(Psaltoda claripennis) and dragonfly(Diplacodes bipunctata) species in fabricating their synthetic analogs. However,the bactericidal activity of nanostructured surfaces is observed in a particular range of parameters reflecting the geometry of nanostructures and surface wettability. Here,several of the nanometer-scale characteristics of black silicon(bSi) surfaces including the density and height of the nanopillars that have the potential to influence the bactericidal efficiency of these nanostructured surfaces have been investigated. The results provide important evidence that minor variations in the nanoarchitecture of substrata can substantially alter their performance as bactericidal surfaces. 展开更多
关键词 Black silicon Nanoarchitecture Bactericidal efficiency Deep reactive ion etching(drie) Neural network analysis
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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 被引量:2
2
作者 阮勇 叶双莉 +2 位作者 张大成 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期37-39,共3页
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1,因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应,扫... 提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1,因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应,扫描电镜结果也证明,采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。 展开更多
关键词 微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤
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基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析 被引量:6
3
作者 王家畴 荣伟彬 +1 位作者 李昕欣 孙立宁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期636-641,共6页
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减... 针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。 展开更多
关键词 体硅工艺 深度反应离子刻蚀 背片技术 面内侧面压阻 纳米级定位平台
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高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究 被引量:3
4
作者 朱泳 闫桂珍 +1 位作者 王成伟 王阳元 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期113-115,共3页
体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0~ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的D... 体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0~ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充 。 展开更多
关键词 高深宽比 深隔离槽 刻蚀技术 体硅集成MEMS器件 电隔离 微电子机械系统
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ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究 被引量:7
5
作者 王成伟 闫桂珍 朱泳 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期104-107,共4页
在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小... 在高密度反应离子刻蚀技术中 ,存在明显的线宽损失 ,对小尺寸MEMS结构影响很大 ,将使MEMS器件灵敏度下降 ,稳定性降低。本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术 ,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4 F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间 ,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的 15 5nm减少到 5 5nm。此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中 。 展开更多
关键词 ICP 硅深槽刻蚀 线宽控制 离子刻蚀 MEMS结构 微机电系统
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硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构的研制 被引量:1
6
作者 寇志伟 刘俊 +2 位作者 曹慧亮 石云波 张英杰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第3期178-182,218,共6页
根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频... 根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频率差为5 Hz,表明该敏感结构在结构设计上具有高灵敏度。研究了基于深反应离子刻蚀(DRIE)与阳极键合技术的玻璃上硅(SOG)结构加工制造流程,并成功制作了该环形谐振结构。模态响应测试表明该硅基MEMS环形波动陀螺敏感结构的工作模态谐振频率为10.985 0和10.962 5 kHz,与动力学仿真分析结果的相对误差为7.21%,表明该陀螺谐振结构设计合理,加工工艺流程可行。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 环形波动陀螺 谐振结构 深反应离子刻蚀(drie) 玻璃上硅(SOG)结构
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Notching效应在MEMS风速仪制造工艺中的应用 被引量:1
7
作者 常洪龙 周平伟 +3 位作者 谢建兵 杨勇 谢中建 袁广民 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期191-194,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应... 深反应离子刻蚀(DRIE)工艺在目前的硅微机械高深宽比结构加工中应用十分广泛。在SOI硅片DRIE刻蚀过程中,存在着一些被认为对刻蚀速率和结构轮廓不利的效应,如横向刻蚀(Notching)效应。通过在结构旁布置牺牲结构-硅岛,利用Notching效应加工出以悬空硅作为敏感单元的风速仪,其响应时间常数和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistant)分别为1.08μs和4 738×10-6/℃。正如所描述的,对于特定的微机械应用,Notching效应可以转变为一种加工优势,提高了微加工过程中的变化性。 展开更多
关键词 MEMS风速仪 悬空硅 横向刻蚀效应 深反应离子刻蚀
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微剪切应力传感器的加工工艺
8
作者 袁明权 雷强 王雄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期102-106,共5页
提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流... 提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流量300cm3/min,O2流量300cm3/min。采用Cr/Au掩膜,30℃恒温低浓度HF溶液解决了玻璃浅槽腐蚀深度控制问题;喷淋腐蚀和基片旋转等措施提高了玻璃浅槽腐蚀表面质量。采用上述MEMS工艺制作了微剪切应力传感器样品,样品测试结果表明:弹性悬梁长度和宽度误差均在2μm以内、玻璃浅槽深度误差在0.03μm以内、静态电容误差在0.2pF以内,满足了设计要求。 展开更多
关键词 高超声速飞行器 微剪切应力传感器 硅深刻蚀 喷淋腐蚀
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用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法 被引量:4
9
作者 袁娇娇 吕植成 +4 位作者 汪学方 师帅 吕亚平 张学斌 方靖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期118-123,128,共7页
提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反... 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。 展开更多
关键词 3D集成 硅通孔(TSV) 减薄 深反应离子刻蚀(drie) 湿法腐蚀 电镀
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硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究 被引量:2
10
作者 颜改革 韩敬宁 +1 位作者 殷志富 邹赫麟 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第11期1-3,14,共4页
文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4... 文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4F_8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C_4F_8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C_4F_8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO_2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO_2薄膜过刻蚀。 展开更多
关键词 深反应离子刻蚀 刻蚀钝化时间比 射频功率 黑硅 SIO2薄膜
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基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备 被引量:3
11
作者 杨海博 戴风伟 +1 位作者 王启东 曹立强 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第7期580-585,592,共7页
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充... 为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充。在转接板背面工艺中首先通过光刻将双面TSV的重叠部分控制在一个理想的范围内,然后经深反应离子刻蚀(DRIE)工艺形成深度为20μm的TSV并完成绝缘层开窗,最后使用保型性电镀完成TSV互连。通过解决TSV刻蚀中侧壁形貌粗糙、TSV底部金属层过薄和光刻胶显影不洁等关键问题,最终得到了双面互连电阻约为20Ω、厚度约为323μm的硅转接板。 展开更多
关键词 转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(drie) 保型性电镀
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基于SOI衬底加工的微型电场传感器研究(英文)
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作者 邓凯 夏善红 +2 位作者 龚超 白强 陈绍凤 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2004年第4期284-287,共4页
提出了一种基于微机械技术的微型电场传感器.该器件由振动部分和感应电极组成,通过静电梳齿结构驱动,并利用溅射到衬底的栅状金电极作为工作电极.基于SOI衬底加工的设计流程能够简化悬浮结构的制备.由于器件运动中受滑膜阻尼作用,因此... 提出了一种基于微机械技术的微型电场传感器.该器件由振动部分和感应电极组成,通过静电梳齿结构驱动,并利用溅射到衬底的栅状金电极作为工作电极.基于SOI衬底加工的设计流程能够简化悬浮结构的制备.由于器件运动中受滑膜阻尼作用,因此可在大气下测试和封装,能够节约成本.阐述了器件的工作原理、结构仿真以及其键合/减薄工艺流程.该器件具有小尺寸和批量生产的优势,有望在安全预警和航天器升空环境探测等方面得以 应用. 展开更多
关键词 SOI 衬底 器件 小尺寸 键合 微型 封装 电场传感器 环境探测 测试
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转动竖直镜面的微机械光开关
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作者 杨艺榕 刘文平 +1 位作者 王跃林 吴亚明 《科技通讯(上海)》 CSCD 2004年第1期54-58,共5页
提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关,采用曲线形状的电极设计,有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压,采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧。芯片经初步封装后进行了电学测试... 提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关,采用曲线形状的电极设计,有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压,采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧。芯片经初步封装后进行了电学测试和光学测试,测得吸合电压78.5V,谐振频率2.3kHz,光开关损耗5dB,隔离度45dB。 展开更多
关键词 各向异性腐蚀 深反应离子刻蚀 MEMS 光开关 微机械 静电耦合分析 有限元
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