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Characterization of silicon microstrip sensors for space astronomy 被引量:1
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作者 Jia-Ju Wei Jian-Hua Guo Yi-Ming Hu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2020年第10期13-22,共10页
Silicon microstrip detectors are widely used in experiments for space astronomy.Before the detector is assembled,extensive characterization of the silicon microstrip sensors is indispensable and challenging.This work ... Silicon microstrip detectors are widely used in experiments for space astronomy.Before the detector is assembled,extensive characterization of the silicon microstrip sensors is indispensable and challenging.This work electrically evaluates a series of sensor parameters,including the depletion voltage,bias resistance,metal strip resistance,total leakage current,strip leakage current,coupling capacitance,and interstrip capacitance.Two methods are used to accurately measure the strip leakage current,and the test results match each other well.In measuring the coupling capacitance,we extract the correct value based on a SPICE model and two-port network analysis.In addition,the expression of the measured bias resistance is deduced based on the SPICE model. 展开更多
关键词 silicon microstrip sensor Space astronomy CHARACTERIZATION SPICE model
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Design of MEMS C-Band Microstrip Antenna Array Based on High-Resistance Silicon for Intelligent Ammunition
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作者 Xue Zhao Xiao-Ming Liu 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2013年第1期101-105,共5页
In recent years, microstrip antennas have been more widely applied in satellite communications, mobile phones, unmanned aerial vehicle (UAV), and weapons. A micro-electro-mechanical systems-based (MEMS-based) high... In recent years, microstrip antennas have been more widely applied in satellite communications, mobile phones, unmanned aerial vehicle (UAV), and weapons. A micro-electro-mechanical systems-based (MEMS-based) high-resistance silicon C-band microstrip antenna array has been designed for the intelligent ammunition. The center frequency is 4.5 GHz. A cavity has been designed in substrate to reduce the dielectric constant of silicon and high-resistance silicon has been used as the material of substrate to improve the gain of antenna. It is very easy to be manufactured by using MEMS technology because of the improved structure of the antenna. The results show that the gain of the antenna is 8 dB and voltage standing wave ratio (VSWR) is less than 2 by the analysis and simulation in high freauencv structure simulator (HFSS). 展开更多
关键词 C-BAND high frequency structure simulator high-resistance silicon intelligent ammunition microstrip antenna array.
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集成芯片硅微条探测器电子读出系统设计
3
作者 武梦龙 张家赫 +3 位作者 王东昱 黄明 龚轲 彭文溪 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第4期703-710,共8页
设计了基于VATA460.3专用集成芯片(ASIC)的多通道、低功耗带触发硅微条探测器读出系统,该系统实现了共32路粒子入射信息读出。测试结果表明:该系统各通道基线稳定,等效噪声水平均低于0.17 fC,动态范围可达90 fC。
关键词 硅微条 探测器读出设计 VATA460.3 径迹探测器
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基于自研ASIC芯片HEPS中硅微条探测器读出电子学原型系统设计与测试
4
作者 杨宗信 李航旭 +3 位作者 胡创业 周杨帆 陈一鸣 郑波 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第1期51-60,共10页
时间分辨X射线粉末衍射技术是探测物质晶体结构及其演变的重要手段。单光子计数型硅微条探测器因其灵敏度高和死时间低,在高能同步辐射光源(HEPS)的X射线粉末衍射实验中发挥着重要作用。研制适用于单光子计数型一维硅微条探测器的专用A... 时间分辨X射线粉末衍射技术是探测物质晶体结构及其演变的重要手段。单光子计数型硅微条探测器因其灵敏度高和死时间低,在高能同步辐射光源(HEPS)的X射线粉末衍射实验中发挥着重要作用。研制适用于单光子计数型一维硅微条探测器的专用ASIC读出芯片(SSDROC)及其读出电子学系统,并采用一种新标定方法解决了SSDROC各通道对同一输入输出响应不一致的问题,该方法可显著提高各通道数据一致性并减小衍射实验数据的统计误差。探测器完成各项性能测试,结果表明整体系统线性优秀、能量分辨能力强、噪声低以及计数率高,为将来大覆盖角度一维硅微条探测器系统研制奠定坚实基础。 展开更多
关键词 单光子计数 硅微条探测器 ASIC芯片 读出电子学 二次阈值标定
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硅微条粒子探测器 被引量:6
5
作者 王勇 张继盛 费圭甫 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期161-164,共4页
本文主要介绍硅微条粒子探测器的研究情况,侧重于器件的基本结构及其工作原理。
关键词 硅微条 粒子探测器 硅探测器 半导体探测器
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微机械微带贴片天线研究 被引量:5
6
作者 潘武 钟先信 巫正中 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2001年第3期247-251,共5页
究了以硅材料作基底的微机械微带贴片天线。采用微细加工技术 ,将金属导体贴片下方的硅基底背向刻蚀出一个空腔 ,形成硅材料和空气构成的混合结构 ,从而降低基底有效介电常数。对混合结构基底的等效介电常数。
关键词 微机械 微带天线 微细加工 金属导体贴片
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双面二维硅微条探测器的沾污失效分析及修复 被引量:1
7
作者 韩励想 李占奎 +3 位作者 鲁皖 胡钧 杨彦云 王柱生 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2616-2623,共8页
硅微条探测器通过微电子工艺制作,易因沾污导致性能下降甚至失效;裸露的键合引线,也易因机械力形成隐性或显性失效。对上述现象的研究可用于修复、维护探测器并在设计和工艺流程中改进其性能。本文通过光学、电气手段分析其结构和制作... 硅微条探测器通过微电子工艺制作,易因沾污导致性能下降甚至失效;裸露的键合引线,也易因机械力形成隐性或显性失效。对上述现象的研究可用于修复、维护探测器并在设计和工艺流程中改进其性能。本文通过光学、电气手段分析其结构和制作工艺流程,根据沾污性质在不同条件下清洗探测器,中测后根据芯片图形、封装方式和电气要求修复探测器,最后采用同位素α能谱测试修复效果。对一块沾污后失效(无法加载偏压)的硅微条清洗后在大气环境,N面接地,P面加载负偏压条件下进行了测试,结果显示:170 V全耗尽,平均漏电流2.94μA,5.486 MeV的α峰能量分辨率约1.28%。失效键合所在条的另一面各条能谱观测到假峰,键合修复后消除。因沾污失效的硅微条探测器经过合适的清洗、修复,部分可以恢复性能,但清洗对表面和结构有损伤,须谨慎。另外,键合失效后,因信号不能引出导致的电荷积累会通过电容效应影响其它灵敏区。文章提示,探测器应存放于洁净,恒温,低湿度,避光,避强电磁干扰的环境,以提高能量和位置分辨率,并增加工作稳定性,延长使用寿命。 展开更多
关键词 半导体探测器 硅微条P-N结 沾污 修复
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新型半导体探测器发展和应用 被引量:13
8
作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期87-96,共10页
新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器... 新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。 展开更多
关键词 半导体探测器 硅微条探测器 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室
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硅微条探测器 被引量:7
9
作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期4-18,共15页
硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。
关键词 硅微条探测器 P-N结 耗尽层 死层 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室
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基于高阻硅的毫米波IPD滤波器研究 被引量:6
10
作者 吕立明 曾荣 +1 位作者 方芝清 魏启甫 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第4期87-90,共4页
5G通信迫切需要毫米波集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD),要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅(High Resistivity Silicon,HRS)工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论... 5G通信迫切需要毫米波集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD),要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅(High Resistivity Silicon,HRS)工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论反提取得到四阶滤波器谐振器的真实无载品质因素。进而对高阻硅基的毫米波工艺参数(例如,损耗角正切)进行修正,利用电磁仿真软件进行验证;分析了金属粗糙度对于滤波器损耗的影响。修正后的模型仿真结果和测试结果吻合较好,验证了修正后毫米波段高阻硅基参数的有效性,为芯片级毫米波无源器件的设计提供了支撑。 展开更多
关键词 毫米波 微带滤波器 高阻硅 集成无源器件
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新型硅微条等探测器的发展及应用 被引量:1
11
作者 孟祥承 《电子元器件应用》 2004年第3期1-7,24,共8页
最近几年,新型半导体探测器如硅微条,pixel,CCD,硅漂移室等的发展很快,在高能物理和天体物理实验中广泛应用,作为顶点及径迹探测器,它们的位置分辨率非常高,硅微条探测器的位置分辨能力目前可达到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁... 最近几年,新型半导体探测器如硅微条,pixel,CCD,硅漂移室等的发展很快,在高能物理和天体物理实验中广泛应用,作为顶点及径迹探测器,它们的位置分辨率非常高,硅微条探测器的位置分辨能力目前可达到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难达到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理及其在高能物理、天体物理、核医学等领域的应用。 展开更多
关键词 半导体探测器 硅微条探测器 像素探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室 综述
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采用GPIB总线的硅微条探测器数据采集系统
12
作者 陈伯显 曹卫刚 张坤生 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期551-555,共5页
硅微条探测器具有高位置分辨性能,但数据的采集十分复杂。采用符合NIM标准的GPIB总线数据采集系统具有价格低、便于扩展、开发简单等优点,实现了硅微条探测器的数据采集和传送,获取了输出幅度谱。GPIB数据传递速度为20... 硅微条探测器具有高位置分辨性能,但数据的采集十分复杂。采用符合NIM标准的GPIB总线数据采集系统具有价格低、便于扩展、开发简单等优点,实现了硅微条探测器的数据采集和传送,获取了输出幅度谱。GPIB数据传递速度为20KB/s。 展开更多
关键词 硅微条 探测器 GPIB总线 数据采集系统
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硅基微带天线损耗机理分析 被引量:3
13
作者 姚科明 刘晓明 +2 位作者 朱钟淦 赵明锐 曹始建 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期639-642,共4页
硅基微带天线存在损耗大、效率低、增益不足等问题。其成因在于以下五种损耗:1.金属贴片及匹配微带线的导体损耗。2.介质的介电损耗。3.表面波损耗。4.半导体基底的电阻性损耗。5.由基底与绝缘层交界面上的载流子运动导致的界面损耗。... 硅基微带天线存在损耗大、效率低、增益不足等问题。其成因在于以下五种损耗:1.金属贴片及匹配微带线的导体损耗。2.介质的介电损耗。3.表面波损耗。4.半导体基底的电阻性损耗。5.由基底与绝缘层交界面上的载流子运动导致的界面损耗。在深入分析各种损耗的形成机理的基础上,研究了相应损耗的计算模型及其在总损耗中所占的地位,并提出了降低损耗的有效途径。实验结果显示,采用微机械(MEMS)工艺,在高阻硅与低介电常数介质的混合衬底上,生长一层多晶硅薄膜的方法,可有效降低损耗,使硅基微带天线单元的效率达到87%,增益达到8dB。 展开更多
关键词 微带天线 MEMS天线 硅基天线 损耗
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毫米波硅基微机械屏蔽膜微带线和滤波器 被引量:1
14
作者 戴新峰 郁元卫 +3 位作者 贾世星 朱健 於晓峰 丁玉宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期202-205,275,共5页
介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在... 介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在两层高阻硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中屏蔽膜微带线插入损耗小于0.1dB/mm。 展开更多
关键词 毫米波 硅基微机械 屏蔽膜微带线 滤波器
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宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列(英文) 被引量:3
15
作者 杨柳风 王婷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期155-159,共5页
针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过... 针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。 展开更多
关键词 微带天线 MEMS 缺陷地 抗干扰
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硅微条探测器X射线成像研究 被引量:1
16
作者 曹卫刚清华大学工程物理系 陈伯显 李毅强 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期38-42,共5页
本文描述了在硅微条探测器动态性能研究基础上,将硅微条探测器用于 X 射线成像的研究工作。硅微条探测器的条距为200μm。完成了64路读出电路、64路甄别器阵列、64路多通道计数器的研制,实现了成像数据的采集,建立了硅微条探测器成像应... 本文描述了在硅微条探测器动态性能研究基础上,将硅微条探测器用于 X 射线成像的研究工作。硅微条探测器的条距为200μm。完成了64路读出电路、64路甄别器阵列、64路多通道计数器的研制,实现了成像数据的采集,建立了硅微条探测器成像应用研究的实验装置。在此基础上,得到了一维成像图像,并提出了用一维扫描的方法,在一维硅微条探测器条件下,实现了二维成像的设想,得到了满意的图像结果,这个设想的实现具有重要的实用价值。 展开更多
关键词 硅微条 探测器 X射线 辐射成像 半导体
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基于MEMS硅基底的L波段圆极化微带天线的研究与设计 被引量:2
17
作者 赵明锐 刘晓明 +2 位作者 朱钟淦 魏景辉 郭以栋 《机械与电子》 2010年第7期3-6,共4页
对所设计的以硅为基底,中心频率在1.9GHz的圆极化微带天线进行了介绍.由于硅的介电常数较高,导致天线效率很低,在高频率段容易产生表面波,所以采用挖空气腔来降低相对介电常数.设计出的微带天线尺寸为55 mm×55 mm,尺寸较大,因而采... 对所设计的以硅为基底,中心频率在1.9GHz的圆极化微带天线进行了介绍.由于硅的介电常数较高,导致天线效率很低,在高频率段容易产生表面波,所以采用挖空气腔来降低相对介电常数.设计出的微带天线尺寸为55 mm×55 mm,尺寸较大,因而采用了加载和曲流技术来减小天线的尺寸.在此基础上设计出2×2天线阵列,并用HFSS进行仿真,方向图和增益均达到要求. 展开更多
关键词 微带天线 MEMS 硅基底
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硅粒子探测器自动中测系统
18
作者 张小军 张继盛 王勇 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期166-169,228,共5页
本文介绍了一种适合硅粒子探测器的自动中测系统。可同时测量16个样品,全部由微机控制。数据存放在微机中,可以给出统计数据,也可绘出特性曲线,从而大大提高了测试效率与质量。目前用于测量硅粒子探测器反向I-V曲线。实验表明... 本文介绍了一种适合硅粒子探测器的自动中测系统。可同时测量16个样品,全部由微机控制。数据存放在微机中,可以给出统计数据,也可绘出特性曲线,从而大大提高了测试效率与质量。目前用于测量硅粒子探测器反向I-V曲线。实验表明:本装置测得的数据是可靠的,并大大提高了效率。 展开更多
关键词 自动测量系统 硅粒子探测器 小电流 测试效率
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硅基参数对微带带通滤波器传输特性的影响 被引量:1
19
作者 闫军喜 张淑莉 彭玉峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期47-50,67,共5页
随着半导体工艺技术和IC设计技术的飞速发展,硅基滤波器技术也不断更新换代。滤波器传输性能取决于基片介电常数、损耗和厚度等参数。研究了硅基不同厚度、损耗以及掺杂浓度等情况下,中心频率为5.75 GHz附近的平行耦合微带带通滤波器的... 随着半导体工艺技术和IC设计技术的飞速发展,硅基滤波器技术也不断更新换代。滤波器传输性能取决于基片介电常数、损耗和厚度等参数。研究了硅基不同厚度、损耗以及掺杂浓度等情况下,中心频率为5.75 GHz附近的平行耦合微带带通滤波器的传输系数和反射系数的频率响应特性。结果表明:当微带线带通滤波器PCB版图确定时,滤波器正向传输系数S21随着基片材料厚度的减小,通频带宽变窄;随着硅掺杂浓度的增加,通带向低频方向偏移;当正切损耗为0.000 4,0.004和0.04时,中心频率处S21分别为-14.18,-2.08和-0.81 dB。理论结果与实验数据进行比较,两者符合较好。 展开更多
关键词 微带滤波器 耦合微带线 传输系数 介质参数 硅基滤波器
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基于MEMS高阻硅基底的X波段微带天线
20
作者 洪泉 刘晓明 +2 位作者 陈焕辉 邓振雷 朱钟淦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第10期629-634,共6页
对基于MEMS的高阻硅基底阵列式微带天线设计、制造及测试三部分内容进行了研究。此X波段阵列式微带天线以高阻硅为基底,采用背面刻蚀基底厚度一半的空气腔,使用侧馈的方式馈电,以二等功分器构成馈电网络。针对高阻硅脆性材料,天线加工... 对基于MEMS的高阻硅基底阵列式微带天线设计、制造及测试三部分内容进行了研究。此X波段阵列式微带天线以高阻硅为基底,采用背面刻蚀基底厚度一半的空气腔,使用侧馈的方式馈电,以二等功分器构成馈电网络。针对高阻硅脆性材料,天线加工采用深槽刻蚀、电镀、溅射、切割和封装。使用HFSS软件进一步分析刻蚀深度对天线驻波比、效率和损耗等电性能的影响,最终得出刻蚀深度应控制在221~224μm。对样品天线驻波比、增益和方向图进行测试,高阻硅基底阵列式微带天线样品测试驻波比为1.79,增益大于10 dB,测试结果满足设计和项目指标要求。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 微带天线 HFSS 高阻硅 空腔
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