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Silicon photomultiplier based scintillator thermal neutron detector for China Spallation Neutron Source(CSNS) 被引量:1
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作者 岳秀萍 朱志甫 +11 位作者 唐彬 黄畅 于潜 陈少佳 王修库 许虹 周诗慧 蔡小杰 杨浩 万志勇 孙志嘉 刘云涛 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第9期35-41,共7页
The energy-resolved neutron imaging spectrometer(ERNI)will be installed in 2022 according to the spectrometer construction plan of the China Spallation Neutron Source(CSNS).The instrument requires neutron detectors wi... The energy-resolved neutron imaging spectrometer(ERNI)will be installed in 2022 according to the spectrometer construction plan of the China Spallation Neutron Source(CSNS).The instrument requires neutron detectors with the coverage area of approximately 4 m^(2)in 5°-170°neutron diffraction angle.The neutron detection efficiency needs to be better than 40%at 1 A neutron wavelength.The spatial resolution should be better than 3 mm×50 mm in the horizontal and vertical directions respectively.We develop a one-dimensional scintillator neutron detector which is composed of the^(6)Li F/Zn S(Ag)scintillation screens,the wavelength-shifting fiber(WLSF)array,the silicon photomultipliers(Si PMs),and the self-designed application-specific integrated circuit(ASIC)readout electronics.The pixel size of the detector is designed as 3 mm×50 mm,and the neutron-sensitive area is 50 mm×200 mm.The performance of the detector prototype is measured using neutron beam 20#of the CSNS.The maximum counting rate of 247 k Hz,and the detection efficiency of63%at 1.59 A are obtained.The test results show that the performance of the detector fulfills the physical requirements of the ERNI under construction at the CSNS. 展开更多
关键词 neutron detector silicon photomultipliers(sipms) ^(6)LiF/ZnS(Ag) China Spallation Neutron Source(CSNS)
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Low-power SiPM readout BETA ASIC for space applications
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作者 Anand Sanmukh Sergio Gómez +9 位作者 Albert Comerma Joan Mauricio Rafel Manera Andreu Sanuy Daniel Guberman Roger Catala Albert Espinya Marina Orta Oscar de la Torre David Gascon 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期153-169,共17页
The BETA application-specific integrated circuit(ASIC)is a fully programmable chip designed to amplify,shape and digitize the signal of up to 64 Silicon photomultiplier(SiPM)channels,with a power consumption of approx... The BETA application-specific integrated circuit(ASIC)is a fully programmable chip designed to amplify,shape and digitize the signal of up to 64 Silicon photomultiplier(SiPM)channels,with a power consumption of approximately~1 mW/channel.Owing to its dual-path gain,the BETA chip is capable of resolving single photoelectrons(phes)with a signal-to-noise ratio(SNR)>5 while simultaneously achieving a dynamic range of~4000 phes.Thus,BETA can provide a cost-effective solution for the readout of SiPMs in space missions and other applications with a maximum rate below 10 kHz.In this study,we describe the key characteristics of the BETA ASIC and present an evaluation of the performance of its 16-channel version,which is implemented using 130 nm technology.The ASIC also contains two discriminators that can provide trigger signals with a time jitter down to 400 ps FWHM for 10 phes.The linearity error of the charge gain measurement was less than 2%for a dynamic range as large as 15 bits. 展开更多
关键词 Radiation detectors silicon photomultipliers Photon sensors Front-end electronics Mixed-mode ASICs Space technology
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基于WLS光纤及SiPM读出的反符合探测器单元研究
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作者 王珂 宋海声 +10 位作者 方芳 余玉洪 唐述文 刘相满 孙志宇 马朋 杨贺润 王世陶 章学恒 闫铎 张永杰 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期42-52,共11页
中高能区中完全运动学测量是研究丰中子奇异核结构与性质的常用实验方法。反符合(Veto)探测器是CSR-RIBLLII(CoolingStorageRing-RadioactiveIonBeamLineinLanzhou)外靶实验终端(ExternalTarget Facility,ETF)开展丰中子测量的关键设备... 中高能区中完全运动学测量是研究丰中子奇异核结构与性质的常用实验方法。反符合(Veto)探测器是CSR-RIBLLII(CoolingStorageRing-RadioactiveIonBeamLineinLanzhou)外靶实验终端(ExternalTarget Facility,ETF)开展丰中子测量的关键设备之一,其功能是消除带电粒子干扰以提高丰中子的有效事例数。然而,原有的Veto探测器存在探测效率低、均匀性差等缺点,可能导致实验与理论计算结果出现偏差。为了解决原有探测器的问题,设计了一种新的Veto探测器单元构型,即采用在Veto探测器单元中嵌入波长位移转换光纤(Wave Length Shifter Fiber,WLS),并使用硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)读出的方案。搭建了专门的测试平台并对新型Veto探测器单元进行细致研究,其关键性能参数反符合效率可大于99.9%,相比于原有的Veto探测器提升了22.74%。这一研究结果为CSR-RIBLLII外靶实验终端提供了有效的升级方案,为下一步丰中子奇异核的实验研究奠定了良好的基础。 展开更多
关键词 外靶实验终端 反符合探测器 波长位移光纤 硅光电倍增管 探测效率
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Design and performance of a high-speed and low-noise preamplifier for SiPM 被引量:2
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作者 Xi‑Yang Wang Hong‑Yu Zhang +4 位作者 De‑Qing Fang Wan‑Bing He Xiao‑Long Wang Qi‑Bin Zheng Shi‑Ming Zou 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第11期93-102,共10页
Considering the R&D for upgrading the K^(0)_(L) andμdetectors in the Belle II experiment using a scintillator and silicon pho-tomultiplier(SiPM),we designed a compact high-speed and low-noise preamplifier.The pre... Considering the R&D for upgrading the K^(0)_(L) andμdetectors in the Belle II experiment using a scintillator and silicon pho-tomultiplier(SiPM),we designed a compact high-speed and low-noise preamplifier.The preamplifier demonstrated a good gain stability,bandwidth of 426 MHz,baseline noise level ofσ≈0.6 mV,dynamic range of up to170 mV of the input signal amplitude,good time resolution of 20 ps,and it can be comprehensively applied to SiPMs.Adopting pole-zero-cancelation in the preamplifier reduces both the rise and fall times of the SiPM signal,which can significantly improve the time resolution and reduce the pile-up when using a large SiPM or an array of SiPMs.Various combinations of the preamplifier and several types of SiPMs demonstrated time resolutions better than 50 ps for most cases;when the number of detected photons was larger than 60,a time resolution of approximately 25 ps was achieved. 展开更多
关键词 silicon photomultiplier High-speed amplifier Low noise High time resolution
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Design and development of multi-channel front end electronics based on dual-polarity charge-to-digital converter for SiPM detector applications 被引量:2
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作者 Yu‑Ying Li Chang‑Yu Li Kun Hu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第2期1-12,共12页
With the development of silicon photomultiplier(SiPM)technology,front-end electronics for SiPM signal processing have been highly sought after in various fields.A compact 64-channel front-end electronics(FEE)system ac... With the development of silicon photomultiplier(SiPM)technology,front-end electronics for SiPM signal processing have been highly sought after in various fields.A compact 64-channel front-end electronics(FEE)system achieved by fieldprogrammable gate array-based charge-to-digital converter(FPGA-QDC)technology was built and developed.The FEE consists of an analog board and FPGA board.The analog board incorporates commercial amplifiers,resistors,and capacitors.The FPGA board is composed of a low-cost FPGA.The electronics performance of the FEE was evaluated in terms of noise,linearity,and uniformity.A positron emission tomography(PET)detector with three different readout configurations was designed to validate the readout capability of the FEE for SiPM-based detectors.The PET detector was made of a 15×15 lutetium–yttrium oxyorthosilicate(LYSO)crystal array directly coupled with a SiPM array detector.The experimental results show that FEE can process dual-polarity charge signals from the SiPM detectors.In addition,it shows a good energy resolution for 511-keV gamma photons under the dual-end readout for the LYSO crystal array irradiated by a Na-22 source.Overall,the FEE based on FPGA-QDC shows promise for application in SiPM-based radiation detectors. 展开更多
关键词 Readout electronics Charge measurement Radiation detector silicon photomultiplier Field-programmable gate array
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SiPM电流模式前端信号读出电路技术分析
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作者 吴猜 张静 闫江 《集成电路应用》 2023年第9期1-3,共3页
阐述硅光电倍增器(SiPM)阵列信号的前端读出电路存在许多设计难点,包括噪声抑制、功耗高以及灵敏度低的问题。探讨各种不同的前端读出电路的工作原理,提出几种读出电路的设计思路,分析电路结构和性能参数。
关键词 电路设计 硅光电倍增器 前端读出 电流监测
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硅光电倍增器件(SiPM)的自动增益校正 被引量:13
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作者 范鹏 许天鹏 +2 位作者 王石 刘亚强 马天予 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期4-7,共4页
硅光电倍增器件(SiPM)是近年来逐渐兴起的一种用于PET(Positron Emission Tomography)的光电探测器件。与传统的光电倍增管(PMT)相比,它有着尺寸小、工作电压低、对磁场不敏感等优点,但其缺点是增益对环境温度敏感。在PET探测器的研发中... 硅光电倍增器件(SiPM)是近年来逐渐兴起的一种用于PET(Positron Emission Tomography)的光电探测器件。与传统的光电倍增管(PMT)相比,它有着尺寸小、工作电压低、对磁场不敏感等优点,但其缺点是增益对环境温度敏感。在PET探测器的研发中,为了改善温度变化引起的增益漂移,设计了一个SiPM的增益校正系统。该系统通过测量环境温度对SiPM的偏置电压实时调节,从而保证其增益的相对稳定。最后对该系统对温度变化引起的SiPM增益漂移的抑制能力做了定量评估。采用增益校正系统后,在相似的温度变化范围内,SiPM的最大增益漂移由校正前的79.67%减小到11.03%。该结果显示此系统对温度变化引起的SiPM增益漂移具有良好的抑制能力。该系统能够补偿因温度变化引起的SiPM增益漂移,从而提高基于SiPM阵列探测器模块的PET系统的稳定性。 展开更多
关键词 硅光电倍增器件 增益漂移校正 精密电压控制
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SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化 被引量:7
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作者 聂瑞杰 徐智勇 +2 位作者 张启衡 王华闯 程华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1661-1668,共8页
从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波... 从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波特性,设计了高速、高带宽的前置放大器,并对前置放大器进行了交流分析和瞬态分析。结果表明,该前置放大电路在带宽内具有很高的增益平坦度,相位裕度大于60°,基本保证了信号的完整性,同时保持了激光脉冲的波形。分析和测试结果表明,该探测器和电路设计方案完全能够满足水下三维测深的需要。 展开更多
关键词 硅光电倍增管(sipm) 微等离子体 电子行为模型 三维测深仪 前置放大电路 最优设计
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微小角中子散射谱仪的高分辨中子闪烁体探测器研究
9
作者 刘慧银 杨洁 +11 位作者 黄畅 唐彬 周诗慧 蔡小杰 王修库 曾莉欣 岳秀萍 陈少佳 许虹 郭大威 陈旭 孙志嘉 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期66-75,共10页
微小角中子散射谱仪是中国散裂中子源(China spallation neutron source,CSNS)工程目前在建的谱仪之一,为了实现微小角散射模式下中子衍射的精确测量,要求中子探测器的位置分辨≤2 mm、探测效率≥60%@0.4 nm。在此物理精度需求下,研制... 微小角中子散射谱仪是中国散裂中子源(China spallation neutron source,CSNS)工程目前在建的谱仪之一,为了实现微小角散射模式下中子衍射的精确测量,要求中子探测器的位置分辨≤2 mm、探测效率≥60%@0.4 nm。在此物理精度需求下,研制了基于^(6)LiF/ZnS(Ag)闪烁屏、波移光纤阵列和硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)结构的位置灵敏型闪烁体探测器,以实现热中子的高效率和高分辨实时探测。探测效率测试以标准3He管的入射中子数归一化计算得到,位置分辨通过含有“CSNS”字样的含硼铝板验证。本文详细研究了0.5 mm直径波移光纤的光传输性能,对比了不同硅光电倍增管的增益和热噪声特性,并以此设计了有效面积为300 mm×300 mm的探测器工程样机。经测试,该探测器的位置分辨为1.2 mm×1.2 mm,探测效率为(61.8±0.2)%@0.4 nm,达到了工程设计指标,满足了CSNS工程微小角谱仪的中子衍射测量需求。 展开更多
关键词 闪烁体探测器 硅光电倍增管 波移光纤 位置分辨 探测效率
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硅光电倍增管(SiPM)适配电路设计 被引量:6
10
作者 桑涛 郝晓剑 张根甫 《光电技术应用》 2015年第4期46-50,共5页
硅光电倍增管(Si PM)是一种新型的光电探测器件,具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。研究并设计了硅光电倍增管(Si PM)的适配电路,包括电源电路及跨阻放大电路。应用仿真软件对设计的电路进行仿真,并对... 硅光电倍增管(Si PM)是一种新型的光电探测器件,具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。研究并设计了硅光电倍增管(Si PM)的适配电路,包括电源电路及跨阻放大电路。应用仿真软件对设计的电路进行仿真,并对电路的结构参数进行了优化。最后,制作了适配电路。测试结果表明,该适配电路对频率100 k Hz的光信号有较好的输出响应,输出幅值达到伏级,满足设计要求。 展开更多
关键词 硅光电倍增管(Si PM) 光电探测 适配电路 电路设计
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SIPM在脉冲光检测系统中的应用研究 被引量:6
11
作者 陈忠祥 武晓东 +2 位作者 吴云良 王策 裴智果 《光学仪器》 2014年第6期476-480,485,共6页
为了实现硅光电倍增管(silicon photomultiplier,SIPM)对超出光子计数极限的微弱脉冲光信号的测量,建立了基于SIPM积分工作模式的脉冲光检测系统。测试了SIPM在同一光信号照射下,偏置电压与增益以及信噪比之间的关系,并测试了同一增益... 为了实现硅光电倍增管(silicon photomultiplier,SIPM)对超出光子计数极限的微弱脉冲光信号的测量,建立了基于SIPM积分工作模式的脉冲光检测系统。测试了SIPM在同一光信号照射下,偏置电压与增益以及信噪比之间的关系,并测试了同一增益条件下,SIPM对不同光信号的响应特性。结果表明:SIPM在积分工作模式下,其增益可以达到104以上,并随着偏置电压的增加而指数增长;其信噪比也随着电压的增加而增加,在光强比较微弱的情况下,SIPM对光强是线性响应的。所设计的系统可以在一定程度上替代光电倍增管进行微弱脉冲光信号的测量。 展开更多
关键词 硅光电倍增管(sipm) 多像素光子计数器(MPPC) 微弱光检测
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硅光电倍增管偏置补偿电源电路的设计分析
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作者 葛莉 刘金莲 李昌 《通信电源技术》 2024年第6期10-12,共3页
硅光电倍增管是一种先进的固态光子探测技术,继承了传统光电倍增管(Photomultiplier Tube,PMT)的高性能特征,并以其独特的架构集成了大量工作在盖革模式下的SPAD,具有显著优势。硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)的工作击穿... 硅光电倍增管是一种先进的固态光子探测技术,继承了传统光电倍增管(Photomultiplier Tube,PMT)的高性能特征,并以其独特的架构集成了大量工作在盖革模式下的SPAD,具有显著优势。硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)的工作击穿电压会随着温度变化而出现漂移现象,影响内部增益的稳定性,并对图像重建精度和能量分辨率等关键性能指标产生不利影响。基于此,研发了一种能够实时适应环境温度变化的动态补偿电路,实现对SiPM的偏置电压精密调控,有效抑制因温度导致的增益漂移效应,使SiPM器件在不同温度条件下均能保持偏置电压稳定。 展开更多
关键词 硅光电倍增管(sipm) 偏置补偿电源 动态补偿电路
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全数字PET关键器件硅光电倍增器研究进展
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作者 胡文韬 劳慧 +1 位作者 邱奥 谢庆国 《CT理论与应用研究(中英文)》 2024年第4期421-432,共12页
近年来,硅光电倍增器(SiPM)凭借其出色的性能表现,已经成为正电子发射断层成像(PET)中的首选光电转换器件。SiPM具有单光子分辨能力和低于100 ps的时间分辨率,使得精确测量光子到达时间成为可能,催生了飞行时间PET、光子计数计算机断层... 近年来,硅光电倍增器(SiPM)凭借其出色的性能表现,已经成为正电子发射断层成像(PET)中的首选光电转换器件。SiPM具有单光子分辨能力和低于100 ps的时间分辨率,使得精确测量光子到达时间成为可能,催生了飞行时间PET、光子计数计算机断层扫描、正电子素寿命显像等新兴应用领域,这些应用又对SiPM的性能提出了更高的挑战。因此,如何将SiPM性能推进至其物理极限已成为新一代SiPM的研究的关键方向。在传统的SiPM架构中,信号经过多次处理和模数转换,带来噪声增加和时间性能恶化的问题,从而限制了SiPM的性能潜力。随着半导体制造工艺的快速发展,SiPM可在标准CMOS工艺节点上制造,标志着可以将数字逻辑集成在SiPM器件内,这是SiPM领域的一次重大突破,使我们能在单一SiPM内实现更精确的时间、能量、位置信息获取,为推进SiPM达到性能极限提供了一条可能的途径。本文综述SiPM的发展历史、工作原理和性能参数,分析传统SiPM的局限性,梳理数字SiPM研究的关键问题,介绍当前几种数字化SiPM架构,最后对数字SiPM的关键技术进行总结和展望。 展开更多
关键词 硅光电倍增器 弱光探测 全数字 光子计数 多计数阈值
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Development of a scintillating-fiber-based beam monitor for the coherent muon-to-electron transition experiment
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作者 Yu Xu Yun-Song Ning +7 位作者 Zhi-Zhen Qin Yao Teng Chang-Qing Feng Jian Tang Yu Chen Yoshinori Fukao Satoshi Mihara Kou Oishi 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期156-164,共9页
The coherent muon-to-electron transition(COMET)experiment is a leading experiment for the coherent conversion of μ^(-)N→e^(-)N using a high-intensity pulsed muon beamline,produced using innovative slow-extraction te... The coherent muon-to-electron transition(COMET)experiment is a leading experiment for the coherent conversion of μ^(-)N→e^(-)N using a high-intensity pulsed muon beamline,produced using innovative slow-extraction techniques.Therefore,it is critical to measure the muon beam characteristics.We set up a muon beam monitor(MBM),where scintillating fibers woven in a cross shape were coupled to silicon photomultipliers to measure the spatial profile and timing structure of the extracted muon beam for the COMET.The MBM detector was tested successfully with a proton beamline at the China Spallation Neutron Source and took data with good performance in the commissioning run.The development of the MBM,including its mechanical structure,electronic readout,and beam measurement results,are discussed. 展开更多
关键词 Beam instrumentation Profile monitor Scintillating fiber silicon photomultipliers
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小型智能程控SiPM电源设计与验证 被引量:7
15
作者 侯会良 黄跃峰 +1 位作者 程懋松 戴志敏 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期82-86,共5页
硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)作为一种新型光电转换器件,具有增益高(106量级)、功耗低(工作电流在μA量级)、体积小(mm量级)、工作电压低(小于100 V)等优点,相对于传统光电倍增管不受磁场影响。但SiPM存在增益受温度影... 硅光电倍增器(Silicon Photomultiplier,SiPM)作为一种新型光电转换器件,具有增益高(106量级)、功耗低(工作电流在μA量级)、体积小(mm量级)、工作电压低(小于100 V)等优点,相对于传统光电倍增管不受磁场影响。但SiPM存在增益受温度影响大的缺点,温度每上升10℃增益约下降5×105,对于能谱测量和辐射成像应用会产生较大影响。为此,研发了一款小型带电压补偿功能的SiPM专用高压电源模块,并使用能谱测试系统对SiPM的增益特性进行测试。通过不同温度条件下241Amγ能谱中全能峰峰位的对比,验证了电压补偿对于稳定SiPM增益的效果,从5℃到40℃最大增益漂移由补偿前的87.3%下降到了2.76%。这种增益漂移校正有助于拓宽SiPM的应用范围。 展开更多
关键词 硅光电倍增器 增益漂移校正 Γ能谱
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基于fNIRS与SiPM的脑血氧检测电路设计 被引量:5
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作者 吴凯 刘燕 +2 位作者 佟宝同 邢晓曼 戴亚康 《电子技术应用》 北大核心 2017年第1期95-98,共4页
脑血氧检测作为大脑功能检测之一,是认知神经科学和生物医学领域必不可少的研究工具。其研究方法之一——功能性近红外光谱技术,利用组织中血液的主要成分对近红外光的良好吸收性和散射性,而获得组织内氧合血红蛋白和脱氧血红蛋白的变... 脑血氧检测作为大脑功能检测之一,是认知神经科学和生物医学领域必不可少的研究工具。其研究方法之一——功能性近红外光谱技术,利用组织中血液的主要成分对近红外光的良好吸收性和散射性,而获得组织内氧合血红蛋白和脱氧血红蛋白的变化情况,从而实现对脑血氧的检测。硅光电倍增器件是近几年兴起的光电探测器件,具有尺寸小、增益高、工作电压低、对磁场不敏感等特点。为了检测脑血氧的变化,设计一个基于近红外光谱技术与硅光电倍增管的新型脑血氧检测电路,并通过前臂阻断实验验证了电路设计的性能满足需求。 展开更多
关键词 近红外光谱技术 氧合血红蛋白 脱氧血红蛋白 硅光电倍增器件
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基于LED纳秒级脉冲的SiPM阵列监测电路 被引量:1
17
作者 赵申森 沈仲弢 +3 位作者 周安顺 牛亚洲 封常青 刘树彬 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1047-1054,共8页
环形正负电子对撞机(CEPC)电磁量能器(ECAL)原型机的探测单元采用硅光电倍增管(SiPM)作为光电转换器件.由于SiPM具有温度依赖性强和响应速度快的特点,需监测电路产生与SiPM响应速度相匹配的脉冲光激发SiPM,对其增益和动态范围进行监测.... 环形正负电子对撞机(CEPC)电磁量能器(ECAL)原型机的探测单元采用硅光电倍增管(SiPM)作为光电转换器件.由于SiPM具有温度依赖性强和响应速度快的特点,需监测电路产生与SiPM响应速度相匹配的脉冲光激发SiPM,对其增益和动态范围进行监测.本文根据模拟仿真结果,设计了基于双NMOS的驱动电路和相应的控制电路,该电路驱动发光二极管(LED)发射纳秒级窄脉冲光,且强度可调.利用光电倍增管(PM T)测得单路LED发光时域特性,脉冲时间宽度约为10 ns.在CEPC ECAL电子学联测中,SiPM监测电路正常工作,批量测得ECAL原型机中SiPM的增益指标,满足原型机的自检需求. 展开更多
关键词 发光二极管 脉冲驱动 硅光电倍增器 增益监测
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基于SiPM的高灵敏度大响应范围的弱光探测系统 被引量:3
18
作者 刘刚 贾宏志 涂建坤 《光学仪器》 2019年第4期69-73,共5页
为了满足在极低和较高光功率范围内对光信号的探测,提出了基于硅光电倍增管(SiPM)的弱光检测系统,该系统包含自动调节偏压电路、电流?电压转换电路、小信号放大电路和滤波电路。测量不同偏压下SiPM的输出与入射光信号之间的关系,实验结... 为了满足在极低和较高光功率范围内对光信号的探测,提出了基于硅光电倍增管(SiPM)的弱光检测系统,该系统包含自动调节偏压电路、电流?电压转换电路、小信号放大电路和滤波电路。测量不同偏压下SiPM的输出与入射光信号之间的关系,实验结果显示,偏压对SiPM的输出有很大影响,不同偏压下,SiPM的探测能力和探测范围都不相同。此外,该系统对25 pW到1.75μW的光信号都有响应,能在极低和较高光功率范围内对光信号进行连续探测。 展开更多
关键词 硅光电倍增管(sipm) 弱光探测 自动偏压控制 大范围响应
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基于BGO与SiPM耦合的平板乳腺PET扫描仪研制
19
作者 陈艳华 谢靓 +5 位作者 杨勇 袁夏冰 侯立群 李轶 赵永界 王元吉 《中国生物医学工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期754-758,共5页
设计一种专用于乳腺癌早期检查的高分辨率、高灵敏度、低成本的平板乳腺PET扫描仪。这种PET扫描仪采用带有弧度的平板探测器结构,将BGO(Bi_4Ge_3O_2)晶体与新型光电探测器件硅光电倍增管(SiPM)耦合。Si PM具有探测效率高、工作电压小等... 设计一种专用于乳腺癌早期检查的高分辨率、高灵敏度、低成本的平板乳腺PET扫描仪。这种PET扫描仪采用带有弧度的平板探测器结构,将BGO(Bi_4Ge_3O_2)晶体与新型光电探测器件硅光电倍增管(SiPM)耦合。Si PM具有探测效率高、工作电压小等优点。探测器面积为180 mm×120 mm,平板探测器间距为160 mm;电子学部分采用模块化设计,能够有效地采集到数据。样机实验结果表明,可实现优于3.0 mm的空间分辨率、2.5%的高灵敏度的图像质量;仪器其他各参数的测试实验表明,该仪器的各个指标和性能稳定,安全可靠;动物实验表明,该仪器能较好地实现对肿瘤组织(10mm)血流代谢成像。 展开更多
关键词 乳腺癌早期检查 平板探测器 BGO晶体 sipm
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EQR SiPM with P-on-N diode configuration 被引量:3
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作者 Jian-Quan Jia Jia-Li Jiang +2 位作者 Kun Liang Ru Yang De-Jun Han 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第8期19-25,共7页
The silicon photomultiplier(SiPM) with epitaxial quenching resistor(EQR) is an emerging and developing technology that has recently attracted the interest from the research community. It has characteristics of a conti... The silicon photomultiplier(SiPM) with epitaxial quenching resistor(EQR) is an emerging and developing technology that has recently attracted the interest from the research community. It has characteristics of a continuous low-resistance cap layer and integrated quenching resisters in epitaxial silicon layer, which makes it possible to increase microcell density or reduce microcell size, thus obtaining large dynamic range and high photon detection efficiency(PDE) simultaneously. Results published show that the EQR SiPM with N-on-P diode configuration had relatively low PDE at peak wavelength of 480 nm as 16%. This paper reported the EQR SiPM with P-on-N diode configuration having active area of 3 × 3 mm^2 and cell density of 10,000/mm^2(total 90,000 pixels). It was characterized with gain of 2E5, dark count rate of 7 MHz, crosstalk of 7%, dynamic range of 85,000 pixels, overall recovery time of 32 ns at room temperature and over-voltage of 3.5 V. The improved PDE at peak wavelength of 420 nm was 30%. 展开更多
关键词 silicon photomultiplier Epitaxial quenching P-on-N DIODE Characteristics
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