地下水中偏硅酸测定的两种常用方法研究

本文对地下水中偏硅酸的两种常用测定方法—钼硅黄比色法(UV法)和电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES法)进行比较研究,分别从方法的检出限、精密度、准确度等方面进行分析,讨论出最适合地下水中偏硅酸的检测方法,为地下水中偏硅酸的测定提供方法借鉴。

电感耦合等离子体发射光谱法测定钼铬合金中9种元素

介绍了用硝酸钾、氢氧化钠熔融钼铬合金样品,硫酸酸化,在钼铬基体中加入待测元素的标准溶液绘制工作曲线,将试液雾化后导入ICP,同时测定铝、钴、铜、铁、锰、镍、硅、钛、钨元素发射光强度,计算各元素的百分含量。

不同因素对柠檬酸浸提-硅钼蓝比色法测试土壤有效硅的影响及优化措施

准确测定土壤中有效硅含量可以了解土壤硅素肥力状况,有助于指导施肥、改善土壤质量。同时土壤中有效硅含量作为第三次全国土壤普查必测的一项参数,有利于全面摸清土壤硅的含量水平。通过改变浸提方式、浸提剂浓度以及显色方式等参数对柠檬酸浸提-硅钼蓝比色法测试土壤有效硅进行考察,对测试过程中的影响因素进行分析,并进行针对性的优化,最后对改进后的测试条件进行方法学研究。结果表明,浸提时间不足、浸提剂浓度偏低以及显色时温度不稳定均会导致所测的有效硅含量偏低。采用连续振荡2 h的方式浸提、增加浸提剂浓度为0.050 mol/L、显色过程全程于35℃水浴中操作等措施可以较好地减少误差,获得更准确的结果。改进后的方法线性良好,相关系数r为0.999 6,检出限为1.0 mg/kg,精密度RSD(n=6)最大为2%,准确度相对误差最大为-4.7%。测定结果可靠,可以为第三次全国土壤普查内业检测提供参考和借鉴。

葫芦科作物叶片硅含量测定方法的优化

为优化葫芦科作物硅含量的测定方法,给园艺植物硅肥应用与硅营养研究提供技术支持,以‘津优1号’黄瓜、‘蜜本’南瓜和‘早佳8424’西瓜3种葫芦科作物为研究材料,分析硅提取与含量测定过程中不同的研磨温度、研磨时间、浸提时间、硅钼黄显色反应水浴时间、硅钼蓝还原反应时间、显色液吸光度测定波长等对作物叶片硅含量测定结果的影响。结果表明:在植物样品硅提取过程中,研磨仪低温(液氮,-196℃)研磨硅含量测定值高于室温研磨。在样品研磨时间与浸提时间方面,正交试验与全因子试验结果均显示,50 Hz低温研磨30 s、浸提10 min组合测定效果最佳。在硅显色测定方面,硅钼黄显色反应水浴3 min后测定值趋于稳定,硅钼蓝还原反应2 min后测定结果趋于稳定,硅钼蓝显色反应液在波长810 nm附近出现最大吸收峰。针对葫芦科作物叶片硅含量的最优测定流程为植物样品采用研磨仪50 Hz液氮研磨30 s,常温浸提10 min,50℃水浴3 min进行硅钼黄显色反应,硅钼蓝还原反应2 min,810 nm处测定吸光度,该方法回收率为93%~108%。

碳化钼/纳米硅/碳复合微球的制备及其储锂性能

石墨负极材料是现在商业化应用最广泛的负极材料。但是商业化石墨负极比容量较低,难以满足现在所需求的高能量密度电池。因此,需要开发新一代高能量密度负极材料。以盐酸多巴胺、钼酸铵、纳米二氧化硅为原料,通过溶液自组装法制备微米球前驱体,后经碳化、镁热还原获得碳化钼复合碳包覆纳米硅(Si@α-MoC_(1-x)/C)微米球结构,其中α-MoC_(1-x)原位生成于碳壳层中,二氧化硅还原的硅颗粒稳固结合在壳层之内。纳米硅的引入大大提高了α-MoC_(1-x)/C复合负极的比容量,同时α-MoC_(1-x)碳壳层作为保护层,避免电解液与纳米硅直接接触、缓解纳米硅嵌锂后的体积膨胀。产物Si@α-MoC_(1-x)/C表现良好的循环性能和倍率性能,在200 mA/g电流密度下循环150圈后容量保持率为63.1%(498 mAh/g)。

一种快速测定选矿废水中硅酸根离子的方法

本白钨浮选的废水主要污染物有PH值、COD、SiO32-和一些固定悬浮物等,其中大量水玻璃作为白钨浮选抑制剂的使用,在选矿废水和尾砂库溢流水回用中产生大量硅酸根,也是造成废水在回用于浮选生产中影响选矿指标和精矿质量的主要因素。本文主要研究白钨选矿废水中硅酸根离子快速检测方法,草酸和二氯化锡联合使用将硅钼黄还原成硅钼蓝,然后在最大吸收波长下测定吸光度,根据朗伯比尔定律即可得到各水质废水点中硅酸根离子的含量。此方法可以快速检测出废水中硅酸根含量,方法快速,精确度高,能快速指导生产。

沉淀法去除钼酸钠溶液中磷和硅试验研究

采用沉淀法去除钼酸钠溶液中的杂质磷和硅,研究了沉淀剂种类、溶液pH值、时间、温度等条件对P、Si杂质去除率及除杂过程中Mo损失率的影响,结果表明:以氯化镁为沉淀剂时,除P率最高可达到92.9%,除Si率83.2%,因生成的镁盐呈胶体状态,具有吸附钼酸钠的能力,导致Mo损失率高达4.8%。直接以CaCl_(2)为沉淀剂,钙离子会同时与P、Si、Mo形成沉淀,导致P、Si去除率不理想且Mo损失率高达20.88%。将钼酸钠氧化为过氧钼酸钠后,再采用CaCl_(2)作为沉淀剂,可实现P、Si去除率均高于97.9%,Mo损失率低于0.25%。最佳工艺参数为:料液pH值8~10,沉淀剂用量系数为2,反应温度24~45℃,反应时间90~120 min。

铁合金中钼、镍、锰、硅快速测定方法探析

铁合金材料在当下的社会工业生产中具有极其重要的地位和作用,在我国的国民经济生产中起到决定性的作用。对于铁合金材料来说,自身性质的主要影响因素为化学成分,基于此需要对铁合金材料的成分钼、镍、锰和硅等进行快速的测定和鉴定,掌握在其形成过程当中对其他因素产生的影响,确保可以科学地利用铁合金材料。

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定ASTM F75中的硅,锰,铁,铬,钼含量

采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定ASTM F75中的硅,锰,铁,铬,钼含量,用镍坩埚碱熔融试样,于电感耦合等离子体原子发射光谱仪测试,分析谱线分别为硅185.005nm,锰257.610nm,铁259.940nm,铬267.716nm,钼204.598nm。分别测定F75合金中硅,锰,铁,铬,钼元素其检出限很低,在确定的条件下加标回收率在98%~104%之间,相对标准偏差均小于2%。

强碱三元复合驱钙、硅垢沉积模型及结垢预测

以Oddo-Tomson饱和指数法和硅钼黄法测定低聚硅为基础,研究了大庆油田强碱三元复合驱区块的温度、压力、pH值和离子强度等因素对CaCO_3垢和硅垢沉积的影响规律;采用多项式函数和MATLAB中exponention函数对钙、硅混合垢沉积数据进行拟合,建立了钙、硅混合垢沉积预测方程,并结合成垢离子数据、pH值等,建立了大庆油田三元复合驱钙、硅混合垢各阶段结垢的量化预测方法。针对不同油藏区块,通过水驱空白CaCO_3饱和指数值和低聚硅理论饱和值对三元复合驱混合垢预测模型进行修正,可以提高结垢预测准确率;对大庆油田喇北东区33口井和南五区39口井进行结垢预测验证,钙、硅混合垢结垢预测的准确率分别为92.8%和89.6%。

硅和少量钼对Mn-B系贝氏体钢转变动力学的影响

研究了不同硅含量和少量钼对中碳Ｍｎ－Ｂ贝氏体钢连续转变动力学（ＣＣＴ曲线）的影响，发现随钢中硅含量的增加，Ｃ曲线的高温转变部分向左移动，并使转变温度升高，而中温贝氏体转变曲线向右下方移动，推迟了贝氏体转变，少量钼能有效地推迟珠光体转变。

硅钼蓝光度法测定萤石及其精矿中二氧化硅的含量

提出硅钼蓝分光光度法测定萤石块矿及其精矿中不同含量范围内二氧化硅的改进方法。以氢氧化钠作为熔剂,样品的熔融在银坩埚内进行,以避免使用昂贵的铂坩埚及造成其损坏;优化了待测试液制备操作过程,通过采用返酸化法制备试液提高试液的稳定性;用三氯化铝替代具有缓冲作用的硼酸,消除溶液中过量的氟元素对测定的影响;操作全程避免玻璃器皿中二氧化硅的引入;改变标准溶液的酸化方式,校准曲线在50～1 000μg范围内线性相关系数r≥0.999 7。经对五种不同二氧化硅含量的萤石标准样品进行分析比较,本法的测定结果与认定值及HF挥散重量法的测定值相一致,相对标准偏差均小于0.5%。经t检验法验证,测定结果同认定值之间不存在显著性差异。改进后的方法显色体系简单,可测定萤石中62.00%以内的二氧化硅含量。

铁矿石中二氧化硅含量的快速测定

将铁矿石试样用NaOH+Na2O2混合熔剂分解,再用稀盐酸浸取,使硅成硅酸状态,然后采用硅钼蓝分光光度法测定二氧化硅的含量。该方法简便、准确、可靠,实现了铁矿石中常量硅的快速测定,能够很好地适应选矿过程控制的需要。

汽车用排气歧管材料的应用现状及发展方向

综述了汽车用排气歧管材料的主要性能和发展历程。随着汽车发动机压缩比提高,排气温度随之提高,排气歧管材料经历了灰铸铁、球墨铸铁、硅钼铸铁和高镍球铁这一发展过程,文中讨论了上述材料的特点。结合一汽铸造有限公司硅钼球铁和高镍球铁排气歧管的研究与开发,论述了排气歧管材质研发存在的问题和主要发展方向。

弱碱三元复合驱硅质垢形成影响因素与机理研究

在弱碱三元复合驱驱油过程中,弱碱药剂碳酸钠会导致油层及采出系统中形成硅质垢,不仅会造成油层伤害,还会给生产带来极大不便.因此,开展弱碱三元复合驱硅质垢形成影响因素与机理研究,可对现场防垢除垢技术起到理论指导作用,进一步促进弱碱三元复合驱技术的推广应用.采用硅钼黄分光光度法,研究了pH值、温度和碳酸盐垢等3个主要因素对硅质垢形成的影响.结果表明,pH=8.2-10.2,随pH值增大,硅成垢趋势减弱;温度为25℃-65℃,随温度升高,硅成垢趋势减弱;碳酸盐垢可促进硅质垢生成,并且随碳酸盐垢含量的增加,硅成垢趋势增强.此外,依据硅酸聚合经典理论,详细分析了弱碱三元复合驱中硅质垢的形成机理,概括为：单分子硅酸→多聚硅酸→硅酸凝胶→硅质垢.

MoSi_2发热元件在不同气氛中使用损毁分析

对分别在空气气氛中使用100炉和在氮气气氛中使用5炉后(每炉均设定为1 500℃保温3 h)的国产MoSi2发热元件进行了XRD、SEM和EDS分析,并探讨了其损毁机制。结果表明:1)国产MoSi2发热元件未变层气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与MoSi2反应造成损毁,少量的杂质相也可加速损毁;2)MoSi2发热元件在空气气氛中损毁的原因在于SiO2玻璃相以SiO气体挥发致使电阻不均,局部过热;3)氮气气氛中不能形成保护性玻璃膜,N2和少量CO与MoSi2反应生成Mo5Si3、Mo3Si、Mo、Mo2C和Si3N4,使其变质损毁。

在2种蔬菜土壤上铜钼硅对苦瓜产量和品质的影响研究

在质地为细砂土和粉壤土的2种土壤上,研究铜、钼、硅施用对苦瓜产量及品质的影响。结果表明,与对照相比,在细砂土上施铜能显著提高苦瓜产量,在粉壤土上施硅极显著提高了苦瓜产量;在细砂土上施铜、钼极显著降低了苦瓜硝酸盐含量,而施硅未降低硝酸盐含量,在粉壤土上施铜、钼、硅均使苦瓜硝酸盐含量降低,且与对照的差异达到显著或极显著水平;在2种质地的土壤上施铜、钼、硅对维生素C含量没有明显的影响,在细砂土上施铜、钼、硅极显著提高了可溶性糖含量,在粉壤土上施铜、钼亦极显著提高了可溶性糖含量,而施硅显著降低了可溶性糖含量。本试验结果表明在不同的质地上施用不同的铜、钼、硅肥对苦瓜的增产效应和品质改善效应不同。

SiC颗粒强韧化MoSi_2复合材料

通过湿法混料和热压烧结工艺成功地制备了 2 0 vo1% Si CP/ Mo Si2 复合材料 ,并测定了其显微组织和力学性能。结果表明 :Si CP/ Mo Si2 复合材料主要由 Mo Si2 和 Si C颗粒组成 ,还有少量的 Mo5Si3,致密度为 92 .3 %。与Mo Si2 相比 ,其室温抗弯强度提高了 30 .6 % ,断裂韧性提高了 5 3 % ,12 0 0℃的抗压强度提高了 44 % ,140 0℃的抗压强度提高了 5 3 % ;其硬度、弹性模量等性能有较大提高。在 Al2 O3和 Si C对磨盘上表现出极其优异的耐磨性能。Si C颗粒对 Mo Si2 的室温增韧。

硅与铬对球墨铸铁组织和高温性能的影响

通过高温抗热疲劳试验、高温抗氧化、生长试验以及自己设计的高温抗变形试验,模拟了烧结机台车体的工况条件,并研究了硅、铬、钼元素对球墨铸铁组织及高温性能的影响。在试验条件下,采用以铬代替钼,硅铬铜的合理配合,使获得的铬铜球墨铸铁高温抗变形和抗热疲劳性能达到了钼铜球墨铸铁的指标,满足了台车体的组织和性能要求,降低了生产成本。

硅钼蓝-紫外可见分光光度法测定里松温泉水中硅的含量

采用硅钼蓝-紫外可见分光光度法测定里松温泉源头水中硅的质量浓度。实验结果表明:体系中硅钼蓝的λmax=814 nm,硅质量浓度在0~0.019 63μg/m L范围内与吸光度具有良好的线性关系,其线性方程为y=0.212 5+1.197 2x,相关系数为0.999 6,回收率为96.47%~105.0%,RSD为0.358%~1.191%。该方法操作简便、精密度好、准确率高,可用于温泉水中硅质量浓度的测定。