期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
0.8V低功耗高速1∶2分频器 被引量:2
1
作者 苏燕 冯军 施欢东 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1152-1156,共5页
采用UMC0.13μm CMOS标准工艺,设计并实现了一种最高工作频率为17GHz的1∶2分频器芯片.该芯片由基本分频器单元和输入输出缓冲组成.设计中为使分频器在低电源电压下正常工作,通过分析不同高速锁存器的结构特点,选择单端动态负载锁存器... 采用UMC0.13μm CMOS标准工艺,设计并实现了一种最高工作频率为17GHz的1∶2分频器芯片.该芯片由基本分频器单元和输入输出缓冲组成.设计中为使分频器在低电源电压下正常工作,通过分析不同高速锁存器的结构特点,选择单端动态负载锁存器作为基本分频器单元.对单端动态负载锁存器进行直流分析可知,降低电源电压对采样模式的影响比保持模式大.在片测试结果表明:芯片电源电压最低可达0.8V;当电源电压为0.8V时,芯片在3~17GHz频率范围内正常工作;当输入信号频率分别为3和17GHz时,在10MHz频偏处,输出信号的相位噪声分别为-124.44和-120.62dBc/Hz.芯片面积为412μm×338μm,总功耗为3.84mW. 展开更多
关键词 分频器 单端动态负载锁存器 低电压
下载PDF
10~37 GHz CMOS四分频器的设计 被引量:1
2
作者 沈炎俊 冯军 《电子设计工程》 2009年第11期79-80,83,共3页
给出基于0.13μm CMOS工艺、采用单时钟动态负载锁存器设计的四分频器。该四分频器由两级二分频器级联而成,级间采用缓冲电路实现隔离和电平匹配。后仿真结果表明其最高工作频率达37 GHz,分频范围为27 GHz。当电源电压为1.2 V、工作频率... 给出基于0.13μm CMOS工艺、采用单时钟动态负载锁存器设计的四分频器。该四分频器由两级二分频器级联而成,级间采用缓冲电路实现隔离和电平匹配。后仿真结果表明其最高工作频率达37 GHz,分频范围为27 GHz。当电源电压为1.2 V、工作频率为37 GHz时,其功耗小于30 mW,芯片面积为0.33×0.28 mm2。 展开更多
关键词 光纤通信系统 CMOS工艺 动态负载锁存器 分频器
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部