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基于无迹卡尔曼滤波和门控循环单元的道路坡度估计 被引量:1
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作者 秦大同 王康 +3 位作者 冯继豪 刘永刚 程坤 夏玉 《汽车工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第10期1547-1555,1580,共10页
针对外接激光雷达等传感器普适性差,而传统道路坡度估计方法仅根据车载CAN总线数据在车辆起步、换挡、制动和停车4种特殊工况中的估计误差较大的问题,提出了一种基于无迹卡尔曼滤波(UKF)和门控循环单元(GRU)的道路坡度估计方法。根据车... 针对外接激光雷达等传感器普适性差,而传统道路坡度估计方法仅根据车载CAN总线数据在车辆起步、换挡、制动和停车4种特殊工况中的估计误差较大的问题,提出了一种基于无迹卡尔曼滤波(UKF)和门控循环单元(GRU)的道路坡度估计方法。根据车速等数据识别工况,在非特殊工况下,建立车辆动力学模型并采用UKF来估计坡度;在特殊工况下,将规律性不稳定的时序坡度转换为距序坡度,并利用GRU进行短距坡度预测。仿真和实车试验结果表明:在非特殊工况下,该方法通过UKF可准确估计道路坡度;在特殊工况下,该方法通过GRU可有效跟踪距序坡度变化趋势,显著提高了道路坡度估计精度。 展开更多
关键词 坡度估计 无迹卡尔曼滤波 门控循环单元 短距坡度
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多泥沙河流覆盖层基础上的水闸消能工研究 被引量:3
2
作者 张彦辉 于海龙 刘春玉 《中国水能及电气化》 2016年第7期54-61,共8页
水闸是一种利用闸门挡水和泄水的低水头水工建筑物,在水利工程中有十分广泛的应用[1]。目前很多水闸建在多泥沙河流覆盖层地基上,水闸在泄流时,尽管流速不高,但水流仍具有一定的剩余能量,而土基的抗冲能力较低,可能引起水闸下游的冲刷,... 水闸是一种利用闸门挡水和泄水的低水头水工建筑物,在水利工程中有十分广泛的应用[1]。目前很多水闸建在多泥沙河流覆盖层地基上,水闸在泄流时,尽管流速不高,但水流仍具有一定的剩余能量,而土基的抗冲能力较低,可能引起水闸下游的冲刷,威胁水闸安全。本文结合宜昌市公益类科技项目"鄂西地区多泥沙河流覆盖层基础上的水闸消能工研究",根据多泥沙河流的特点,将四川省甘孜州得荣县门扎水电站水闸及其所在河段地形条件按一定比例缩小制成模型进行试验,对闸孔全开和单孔局开下泄各级流量的动床模型的冲坑位置、冲坑深度及冲刷范围进行比较,提出对消能建筑物的优化方案,为类似工程提供依据。 展开更多
关键词 水闸 斜坡护坦 海漫 模型试验
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高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析 被引量:2
3
作者 陈卫兵 徐静平 +2 位作者 邹晓 李艳萍 赵寄 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期417-421,共5页
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考... 对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑 ,得出选用k <5 0且Tk/L≤ 0 .2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能。 展开更多
关键词 高K栅介质 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阈值电压 亚阈斜率
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超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
4
作者 陈娟娟 徐静平 陈卫兵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期575-579,共5页
采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k... 采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k值需小于50,固定电荷面密度至少应在1.0×1012cm-2以下。 展开更多
关键词 Ge-pMOSFET 高K栅介质 超薄栅介质 亚阈斜率
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简单件低压铸造充型平稳曲线的研究
5
作者 施得运 徐宏 +1 位作者 马国云 谢红霞 《铸造技术》 CAS 北大核心 2010年第11期1418-1421,共4页
提出在低压铸造充型过程中,在不同截面采用不同的内浇道速度的方法,结合数值模拟,分析与验证了变斜率的有效性。对于简单件,在内浇道处采用比较低的速度,进入大截面后,提高速度,当从大截面流入小截面后,适当减小速度,而从小截面流向大... 提出在低压铸造充型过程中,在不同截面采用不同的内浇道速度的方法,结合数值模拟,分析与验证了变斜率的有效性。对于简单件,在内浇道处采用比较低的速度,进入大截面后,提高速度,当从大截面流入小截面后,适当减小速度,而从小截面流向大截面时,则尽可能的降低速度,为了防止充型结束时,产生额外的压力,也降低了速度。最后,得到了内浇道速度-时间的关系。 展开更多
关键词 变斜率 低压铸造 充型 数值模拟 内浇道速度-时间
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獾子洞水库安全检测评估
6
作者 丁立国 魏景忠 《吉林水利》 2003年第5期5-7,共3页
通过对獾子洞水库主坝、副坝、输水洞、溢洪闸等建筑物的现场检测 ,综合分析评估 。
关键词 獾子洞水库 输水网 溢洪闸 安全检测 除险加固
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脉冲功率应用的IGBT快速驱动电路 被引量:4
7
作者 朱晓光 张政权 +2 位作者 刘庆想 刘猛 王庆峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期112-116,共5页
根据绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性,研究设计了一种应用于脉冲功率系统的开关驱动电路,实现了IGBT的快速开通。阐述了驱动电路的原理,设计了基于平面变压器的驱动电路,在驱动芯片基础上为栅极提供幅值为60V脉冲电压,提高开关速度... 根据绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性,研究设计了一种应用于脉冲功率系统的开关驱动电路,实现了IGBT的快速开通。阐述了驱动电路的原理,设计了基于平面变压器的驱动电路,在驱动芯片基础上为栅极提供幅值为60V脉冲电压,提高开关速度。最后使用Blumlein双线结构对驱动电路的性能进行了实验验证。应用这种驱动方式,提高了集电极电流上升速率。实验结果表明,在1000V的工作电压下,通过IGBT的脉冲电流达到了470.53A,脉冲前沿为40ns,di/dt达到9.41A/ns,相比数据手册提供的数据,该电流上升速度提高了7.53倍,实现了对IGBT的快速驱动。 展开更多
关键词 IGBT 栅极驱动 DI/DT 平面变压器 脉冲功率系统
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语音编码PCM-CVSD全数字转换器的设计与实现 被引量:1
8
作者 屈星 高嵩 阳武娇 《信息与电子工程》 2012年第5期542-546,共5页
提出并实现一种16 kbps连续可变斜率增量调制(CVSD)编码与64 kbps A律脉冲编码调制(PCM)的全数字转换技术。该转换技术满足单值对应准则和多次转接无误差累计特性。解决了CVSD编解码器和PCM编解码器全数字化问题,实现了基于多径搜索算法... 提出并实现一种16 kbps连续可变斜率增量调制(CVSD)编码与64 kbps A律脉冲编码调制(PCM)的全数字转换技术。该转换技术满足单值对应准则和多次转接无误差累计特性。解决了CVSD编解码器和PCM编解码器全数字化问题,实现了基于多径搜索算法的PCM-CVSD转换器的数字化。该方案可用来解决CVSD通信网和PCM通信网的衔接问题,实际运行效果良好。 展开更多
关键词 连续可变斜率增量调制 脉冲编码调制 语音编码 现场可编程门阵列
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TOF-SIMS纳秒级脉冲发生器的设计 被引量:1
9
作者 孙玉桥 邱春玲 +1 位作者 杨光 李春生 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2018年第6期72-75,共4页
脉冲发生器可为飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)各部件提供精确的工作时序,确保整机正常工作。基于FPGA/NIOS II技术,整个装置具有集成度高、设计灵活的优点。针对TOF-SIMS对延时精度的要求,该装置采用FPGA内部计数器实现10 ns以上的... 脉冲发生器可为飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)各部件提供精确的工作时序,确保整机正常工作。基于FPGA/NIOS II技术,整个装置具有集成度高、设计灵活的优点。针对TOF-SIMS对延时精度的要求,该装置采用FPGA内部计数器实现10 ns以上的粗延时,用简化后的斜坡电路实现10 ns以下的细延时,并对斜坡电路进行误差分析。实测本脉冲发生器延时分辨率达100 ps,输出信号峰峰值抖动小于200 ps。TOF-SIMS仪器锆石谱图测试结果表明,脉冲发生器的指标满足整机仪器的要求。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 延时 斜坡电路 同步
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绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究 被引量:3
10
作者 谭骥 朱阳军 +5 位作者 卢烁今 田晓丽 滕渊 杨飞 张广银 沈千行 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第15期253-259,共7页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)多用于感性负载下的电力电子线路中,这导致了在器件关断过程中集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值,从而造成大量的能量损耗.集电极电压的上升过程可以看作是栅极电流对集电极与栅极之间的电容(即米勒电容)充电的过程.本文提出一种解析模型,通过计算米勒电容值随时间的变化来预测IGBT在关断过程中集电极电压值的变化.在对米勒电容的计算上,不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系,同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响,使得模型更加准确.最后,运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟,对本文提出的模型进行了验证.仿真结果与模型计算结果显示出良好的一致性. 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 感性负载 电压变化率 米勒电容
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短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型
11
作者 赵青云 于宝旗 +1 位作者 苏丽娜 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期311-316,365,共7页
在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈... 在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。 展开更多
关键词 三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅
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基于斜率计算的酒精浓度测试通道控制系统 被引量:2
12
作者 陈燕生 夏春华 《山西电子技术》 2009年第6期29-30,共2页
针对现有酒精传感器的恢复时间较长的问题,提出了利用斜率计算来检测呼出气体酒精浓度的方法。这种方法有效地缩短了传感器的恢复时间,为快速的通道控制提供了可能。呼出气体酒精浓度测试仪配接三棍闸通道控制系统实现了对饮酒者的通行... 针对现有酒精传感器的恢复时间较长的问题,提出了利用斜率计算来检测呼出气体酒精浓度的方法。这种方法有效地缩短了传感器的恢复时间,为快速的通道控制提供了可能。呼出气体酒精浓度测试仪配接三棍闸通道控制系统实现了对饮酒者的通行控制。该套系统可广泛应用于对饮酒者有限制的各种场合。 展开更多
关键词 酒精传感器 斜率计算 三棍闸 通道控制
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消除或减少立柱滑座铸件中气孔的措施
13
作者 张继波 杨远东 +2 位作者 聂爽 佟晶涛 孟君 《铸造工程》 2015年第2期44-46,共3页
立柱滑座的立柱结合面加工后发现气孔等铸造缺陷,分析了气孔缺陷产生的原因.通过采用倾斜浇注,提高铁液在铸型中的压力,使低温铁液从铸型末端冒口处流出,保证铸型中铁液能够同时凝固,从而避免了铸件产生的气孔等缺陷.因气孔缺陷造成的... 立柱滑座的立柱结合面加工后发现气孔等铸造缺陷,分析了气孔缺陷产生的原因.通过采用倾斜浇注,提高铁液在铸型中的压力,使低温铁液从铸型末端冒口处流出,保证铸型中铁液能够同时凝固,从而避免了铸件产生的气孔等缺陷.因气孔缺陷造成的铸件废品率由5%降低到1%,效果明显. 展开更多
关键词 铸造工艺 倾斜浇注 浇注系统 熔炼工艺 气孔
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浅议防洪堤中涵闸渗透破坏及防渗设计 被引量:1
14
作者 潘志勇 《城市道桥与防洪》 2004年第3期59-60,共2页
分析了穿堤涵闸的工作特点和破坏现象及其原因 。
关键词 穿堤涵闸 渗透比降 防渗排水设计 防洪堤 伸缩缝设计
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对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型 被引量:1
15
作者 辛艳辉 袁合才 辛洋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2768-2772,共5页
基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流... 基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫Si Ge层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响,并对亚阈值性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好. 展开更多
关键词 亚阈值电流 亚阈值斜率 三材料双栅 应变硅
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4H-SiC MESFET特性对比及仿真
16
作者 侯斌 邢鼎 +2 位作者 张战国 臧继超 马磊 《电子技术应用》 北大核心 2017年第1期13-15,19,共4页
通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP_(CG),通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EP_(... 通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP_(CG),通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EP_(CG)分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明,当EP_(CG)为1/2栅时,最大饱和漏电流取得最大值,在V_G=0 V、V_(DS)=40 V的条件下达到了545 mA;当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时,最大饱和漏电流均不如EP_(CG)为1/2栅时取得的最大值。 展开更多
关键词 仿真 4H—SiC MESFET 阶梯栅 坡形栅
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浅谈泄水闸工作门槽侧轨变形及修复 被引量:2
17
作者 曹建伟 《红水河》 2020年第6期137-140,共4页
笔者对某水利枢纽泄水闸工作门槽侧轨变形的原因进行了分析,并结合门槽侧轨的实际运行工况,对原侧轨修复材料进行了比选,采用将槽钢更换为工字钢并用环氧混凝土进行修补的施工工艺。修复后的侧轨运行正常,较好地解决了门槽侧轨在复杂工... 笔者对某水利枢纽泄水闸工作门槽侧轨变形的原因进行了分析,并结合门槽侧轨的实际运行工况,对原侧轨修复材料进行了比选,采用将槽钢更换为工字钢并用环氧混凝土进行修补的施工工艺。修复后的侧轨运行正常,较好地解决了门槽侧轨在复杂工况下产生不利变形的问题。同时,为行业内类似缺陷的修复以及相关专业的设计提供借鉴。 展开更多
关键词 泄水闸 工作门槽 侧轨 变形 修复
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RELATIONSHIP OF FIRST STEP HEIGHT,STEP SLOPE AND CAVITY IN X-SHAPED FLARING GATE PIERS 被引量:6
18
作者 WANG Bo WU Chao HU Yao-hua MO Zheng-yu 《Journal of Hydrodynamics》 SCIE EI CSCD 2007年第3期349-355,共7页
The energy dissipation of X-shaped flaring gate piers ahead of a stepped spillway was adopted in the Suofengying Hydroplant. Under the circumstance that the first step is higher than others, at the step surface an aer... The energy dissipation of X-shaped flaring gate piers ahead of a stepped spillway was adopted in the Suofengying Hydroplant. Under the circumstance that the first step is higher than others, at the step surface an aerated cavity occured behind piers. The interaction of the weir head, the elevation difference between crest and chamber outlet, the first step height, the slopes of weir end and step, and the size of cavity, was investigated, the expression was derived to characterize their relationship, and the corresponding curves were plotted. The comparison of the calculated and simulated results with the measured data was performed. When the slopes of step and weir end are equivalent, the relative height difference between the first and second steps becomes the main factor influencing the aerated cavity. These findings may be useful in practical applications. 展开更多
关键词 X-shaped flaring gate pier first step height slope of weir end step slope size of cavity
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图解分析法在斜坡卧底闸设计中的应用
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作者 谌伟宁 年夫喜 《水电与新能源》 2022年第9期40-42,46,共4页
橡胶坝为柔性结构,与梯形河床横断面可接近于完全一致,无需渐变连接段;刚性闸门启闭方式灵活多样,但其边闸墩表面铅直,必须设置进出口渐变段以便与上下游梯形断面河渠倾斜岸坡衔接。结合斜坡橡胶坝和刚性闸门的优点,应用图解分析法设计... 橡胶坝为柔性结构,与梯形河床横断面可接近于完全一致,无需渐变连接段;刚性闸门启闭方式灵活多样,但其边闸墩表面铅直,必须设置进出口渐变段以便与上下游梯形断面河渠倾斜岸坡衔接。结合斜坡橡胶坝和刚性闸门的优点,应用图解分析法设计了一种斜坡卧底闸。工程实例证明,可行。 展开更多
关键词 输水渠道 橡胶坝 斜坡卧底闸 图解分析法
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阴坪水电站泄洪闸深厚覆盖层地基渗流分析 被引量:4
20
作者 刘彦琦 王瑞瑶 《水电能源科学》 北大核心 2019年第3期67-70,49,共5页
分析深厚覆盖层条件下大坝的渗流特性,对于保证大坝防渗体系及工程整体安全有重要意义。结合ANSYS大型有限元分析软件,以阴坪水电站为例,研究了在深厚覆盖层及复杂地基情况下,闸基在各典型工况的渗透特性,并对各覆盖层渗透性、防渗墙深... 分析深厚覆盖层条件下大坝的渗流特性,对于保证大坝防渗体系及工程整体安全有重要意义。结合ANSYS大型有限元分析软件,以阴坪水电站为例,研究了在深厚覆盖层及复杂地基情况下,闸基在各典型工况的渗透特性,并对各覆盖层渗透性、防渗墙深度及水平铺盖长度进行了敏感性分析。结果表明,各工况下的渗流参数符合规范要求,对于阴坪水电站深厚覆盖层基础,采用垂直混凝土防渗墙加水平铺盖的防渗措施安全有效,渗流量与渗透坡降均很小,满足渗流稳定性要求。研究成果可供类似工程参考。 展开更多
关键词 闸坝 深厚覆盖层 渗流特性 渗流量 坡降 渗压
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