倒装LED芯片的焊料互连可靠性评估

对比测试了两类不同焊垫的倒装LED芯片的焊料互连可靠性。结果表明,采用金锡共晶合金焊垫和金焊垫的倒装LED芯片适于金锡共晶焊,具有高的互连焊点可靠性,但共晶倒装焊设备昂贵,制造成本很高;若采用普通锡基焊料封装,则由于液-固和固-固界面的焊料反应,导致焊料与焊垫之间出现严重的界面不稳定状态,进而引起不受控的焊点剥离等一系列可靠性问题。而在倒装LED芯片的焊垫材料表层增加一层焊料阻挡层,则可以通过简单的工艺流程实现高可靠的互连封装。

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金(ElectrolessNickel&ImmersionGold;简称ENIG)沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金(Electroless Nickel & Immersion Gold;简称ENIG)沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。

倒装芯片互连时SnAg/95Pb5Sn焊料间的互扩散行为及Ni阻挡层的作用

本文研究了共晶ＳｎＡｇ／９５ＰｂＳｎ 扩散偶在２５０ ℃下的扩散行为。发现由于９５Ｐｂ５Ｓｎ 中的Ｐｂ 向熔融共晶ＳｎＡｇ 焊料中扩散而部分生成三元共晶Ｐｂ － Ｓｎ－ Ａｇ 相，其熔点约为１７８℃。化学镀Ｎｉ 层可以有效地阻止共晶ＳｎＡｇ 和９５Ｐｂ５Ｓｎ 间的互扩散，防止Ｐｂ－ Ｓｎ－ Ａｇ 共晶相的生成，从而提高焊点的耐热温度。文中还研究了与共晶ＳｎＡｇ／Ｎｉ／９５Ｐｂ５Ｓｎ 结构相关的相变及力学性能。