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等离子体增强化学气相沉积技术制备锗反蛋白石三维光子晶体(英文) 被引量:2
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作者 李宇杰 谢凯 +3 位作者 张良静 许静 韩喻 李运鹏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1315-1318,共4页
采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板,以锗烷(GeH4)为先驱体气用等离子增强化学气相沉积法在350℃填充高折射率材料锗,获得了锗反蛋白石光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪对锗反蛋白石... 采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板,以锗烷(GeH4)为先驱体气用等离子增强化学气相沉积法在350℃填充高折射率材料锗,获得了锗反蛋白石光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪对锗反蛋白石的形貌、成分、结构进行了表征。结果表明:锗在SiO2微球空隙内填充均匀,得到的锗为多晶态。锗反蛋白石光子晶体为三维有序多孔结构。等离子体增强化学气相沉积的潜在优势在于可实现材料的低温填充,从而以高分子材料为模板进行复型,得到多种结构的三维光子晶体。 展开更多
关键词 光子晶体 锗反蛋白石 等离子增强化学气相沉积 溶剂蒸发对流自组装 低温填充
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中红外完全光子带隙Ge反蛋白石三维光子晶体的制备(英文)
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作者 李宇杰 谢凯 许静 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期585-590,共6页
采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO_2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板。以锗烷(GeH_4)为先驱体气,用等离子增强化学气相沉积法向胶体晶体的空隙中填充高折射率材料Ge。酸洗去除二氧化硅微球,得到Ge反蛋白石三维光子晶体... 采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO_2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板。以锗烷(GeH_4)为先驱体气,用等离子增强化学气相沉积法向胶体晶体的空隙中填充高折射率材料Ge。酸洗去除二氧化硅微球,得到Ge反蛋白石三维光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪和傅里叶变换显微红外光谱仪对锗反蛋白石的形貌、成分和光学性能进行了表征。结果表明:Ge在SiO_2微球空隙内填充致密均匀,得到的锗为多晶态,锗反蛋白石为三维有序多孔结构。锗反蛋白石的测试光谱图有明显的光学反射峰,表现出光子带隙效应。测试的完全光子带隙位于中红外3.4μm处,测试的光学性能与理论计算基本吻合。 展开更多
关键词 光电子学 锗反蛋白石 光子晶体 完全光子带隙 等离子增强化学气相沉积 溶剂蒸发对流自组装 中红外
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Nanopattern Transformation ofABC Triblock Copolymer Thin Films Induced by Strong Solvent Selectivity and Annealing
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作者 HUANG Hailiang ZU Xihong +2 位作者 YI Guobin ZHONG Benbin LUO Hongsheng 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2017年第4期684-688,共5页
Nanopattem transformation behaviors of polyisoprene-block-polystyrene-block-poly(2-vinylpyridine) (PI-b-PS-b-P2VP) asymmetric ABC triblock copolymer were investigated systematically with various control para- mete... Nanopattem transformation behaviors of polyisoprene-block-polystyrene-block-poly(2-vinylpyridine) (PI-b-PS-b-P2VP) asymmetric ABC triblock copolymer were investigated systematically with various control para- meters, including different solvents for polymer solution and annealing conditions in this paper. Ordered nanopattern of PI-b-PS-b-P2VP with hexagonal cylinders could be obtained when PI-b-PS-b-P2VP toluene solution was spin-coated on silicon substrate followed by toluene vapor annealing process. When the film with hexagonal and cylindrical nanopattern was exposed to saturated toluene vapor, the order-order transition of cylindrical nanopattern to parallel nanopattern was observed due to the strong selectivity of toluene to PS and PI blocks. Furthermore, fingerprint nanopattern could also be obtained by solvent annealing in tetrahydrofuran vapor. The nanopattern trans- formation was due to different selectivity of solvents and incompatibilities of the three blocks of PI-b-PS-b-P2VP under various solvent annealing conditions. 展开更多
关键词 Triblock copolymer NANOPATTERN self-assembly solvent vapor annealing
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