期刊文献+
共找到14篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Space-charge limiting currents for magnetically focused intense relativistic electron beams
1
作者 李建清 莫元龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第9期2716-2720,共5页
The self-consistent differential equations, which describe a laminar-flow equilibrium state in a magnetically focused intense relativistic electron beam propagating inside a conducting waveguide, are presented. The ca... The self-consistent differential equations, which describe a laminar-flow equilibrium state in a magnetically focused intense relativistic electron beam propagating inside a conducting waveguide, are presented. The canonical angular momentum, Pe, defined under the conditions at the source, uniquely determines the possible solutions of these equations. By numerically solving these equations, the space-charge limited current and the externally applied magnetic field are obtained in a solid beam and a hollow beam in two cases of Pθ= 0 (magnetically shielded source) and Pθ= const. (immersed source) separately. It is shown that the hollow beam is more beneficial to the propagation of the intense relativistic beam through a drift tube than the solid beam. 展开更多
关键词 space-charge limiting current intense relativistic beam laminar-flow equilibrium state
下载PDF
n^+-i-n^+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析
2
作者 林鸿生 林臻 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期279-287,共9页
将描述电极性质的结区电场选作n^+-i-n^+或(n^+-n-n^+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度... 将描述电极性质的结区电场选作n^+-i-n^+或(n^+-n-n^+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。 展开更多
关键词 a-Si:H膜 隙态密度 结区电场 sclc
下载PDF
Photocurrent analysis of organic photovoltaic cells based on CuPc/C_(60) with Alq_3 as a buffer layer
3
作者 王娜娜 于军胜 +1 位作者 臧月 蒋亚东 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期579-583,共5页
The performance of an organic photovoltaic (OPV) cell based on copper phthatocyanine CuPc/C60 with a tris- (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) buffer layer has been investigated. It was found that the power c... The performance of an organic photovoltaic (OPV) cell based on copper phthatocyanine CuPc/C60 with a tris- (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) buffer layer has been investigated. It was found that the power conversion efficiency of the device was 1.51% under illumination with an intensity of 100 mW/cm^2, which was limited by a squareroot dependence of the photocurrent on voltage. The photocurrent optical power density characteristics showed that the OPV cell had a significant space-charge limited photocurrent with a varied saturation voltage and a three quarters power dependence on optical power density. Also, the absorption spectrum was measured by a spectrophotometer, and the results showed that the additional Alq3 layer has a minor effect on photocurrent generation. 展开更多
关键词 organic photovoltaic (OPV) cells buffer layer ALQ3 space-charge limited current
下载PDF
Charge transport properties and variable photo-switching of three-terminal Cs_(2)AgBiBr_(6) device
4
作者 Iman Biswas Arka Dey +2 位作者 Jean Michel Nunzi Nilanjan Halder Aniruddha Mondal 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第11期89-98,共10页
In this study,we present an in-depth exploration of charge transport phenomena and variable photo-switching characteristics in a novel double-perovskite-based three-terminal device.The Cs_(2)AgBiBr_(6) thin film(TF)wa... In this study,we present an in-depth exploration of charge transport phenomena and variable photo-switching characteristics in a novel double-perovskite-based three-terminal device.The Cs_(2)AgBiBr_(6) thin film(TF)was synthesized through a three-step thermal evaporation process followed by precise open-air annealing,ensuring superior film quality as confirmed by structural and morphological characterizations.Photoluminescence spectroscopy revealed distinct emissions at 2.28 and 2.07 eV,indicative of both direct and indirect electronic transitions.Our device exhibited space-charge limited current(SCLC)behaviour beyond 0.35 V,aligning with the relationship Current(I)∝Voltage(V)^(m),where the exponent m transitioned from≤1 to>1.Detailed analysis of Schottky parameters within the trap-filled limit(TFL)regime was conducted,accounting for variations in temperature and optical power.Significantly,the self-powered photodetector demonstrated outstanding performance under illumination.The sensitivity of the device was finely tunable via the applied bias voltages at the third terminal.Notably,an optimal bias voltage of±100μV yielded maximum responsivity(R)of 0.48 A/W and an impressive detectivity(D*)of 1.07×10^(9) Jones,highlighting the potential of this double-perovskite-based device for advanced optoelectronic applications. 展开更多
关键词 DOUBLE-PEROVSKITE charge-transport mechanism space-charge limited current(sclc) three-terminal device voltage-dependent photo-switching
下载PDF
Sol-gel法制备SrTiO_3薄膜的电阻开关性能研究 被引量:4
5
作者 苏朝辉 张婷 +2 位作者 王继鹏 张盈 张伟风 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期66-69,共4页
采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能。结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析,发现在高阻态... 采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能。结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析,发现在高阻态时,有空间电荷限制电流机制(SCLC)和肖特基势垒导电机制存在。应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论,解释了这种电阻开关现象。 展开更多
关键词 电阻开关 交流阻抗谱 肖特基发射 空间电荷限制电流 电子陷阱
下载PDF
聚苯乙炔的伏安特性 被引量:1
6
作者 周淑琴 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第6期730-733,共4页
聚苯乙炔的伏安特性周淑琴(中国科学院化学研究所北京100080)关键词聚苯乙炔,伏安特性,欧姆电导,空间电荷限制电流,高斯分布陷阱能级,陷阱态密度聚苯乙炔(PPA)是一种具有π电子的共轭高分子聚合物,它的光电导特... 聚苯乙炔的伏安特性周淑琴(中国科学院化学研究所北京100080)关键词聚苯乙炔,伏安特性,欧姆电导,空间电荷限制电流,高斯分布陷阱能级,陷阱态密度聚苯乙炔(PPA)是一种具有π电子的共轭高分子聚合物,它的光电导特性引起了同行的兴趣[1].目前高分... 展开更多
关键词 聚苯乙炔 伏安特性 构型 电性能
下载PDF
激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质 被引量:3
7
作者 方应龙 贾彩虹 +1 位作者 陈秀文 张伟风 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1043-1046,1052,共5页
采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性... 采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。 展开更多
关键词 AlN/Si(111) 异质结 激光分子束外延 空间电荷限制电流 电导法 界面态密度
下载PDF
BST薄膜漏电流温度特性研究 被引量:1
8
作者 卢肖 吴传贵 +1 位作者 张万里 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期57-59,共3页
采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295~375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响。实验发现:J∝V^m在低场下(V〈1.8V)m≈1,高场下(V〉1.8V)m≈8。随着测试温度升高,在低场下电流密度增... 采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295~375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响。实验发现:J∝V^m在低场下(V〈1.8V)m≈1,高场下(V〉1.8V)m≈8。随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数优值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数优值减小。通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足InJ∝-1/T,在高场下满足logJ∝1/t。 展开更多
关键词 BST薄膜 漏电流 温度特性 空间电荷限制电流
下载PDF
Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的I-V特性测量及导电机理 被引量:4
9
作者 沈效农 王弘 尚淑霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第4期337-340,共4页
Bi_4Ti_3O_(12)薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用MOCVD方法制备的Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的I-V特性测量及其导电机理。结果表明,在低场下,Bi_4Ti_3O_(12)薄... Bi_4Ti_3O_(12)薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用MOCVD方法制备的Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的I-V特性测量及其导电机理。结果表明,在低场下,Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的I-V特性表现为欧姆性质,在中强场下,薄膜的导电机理遵从SCLC理论。 展开更多
关键词 铁电薄膜 MOCVD技术 离子跳跃电导 肖特基发射
下载PDF
影响空间电荷限制电流法测量钙钛矿迁移率的因素
10
作者 黄勇涛 胡书 盛传祥 《光电子技术》 CAS 2021年第4期262-273,282,共13页
讨论了离子迁移、介电常数依赖性、内建电场、陷阱、厚度与注入势垒等对空间电荷限制电流测量方法的影响。简要介绍了一些解决措施,例如针对离子迁移问题可以使用脉冲空间电荷限制电流法,针对缺陷问题可以使用不同的迁移率描述模型等。... 讨论了离子迁移、介电常数依赖性、内建电场、陷阱、厚度与注入势垒等对空间电荷限制电流测量方法的影响。简要介绍了一些解决措施,例如针对离子迁移问题可以使用脉冲空间电荷限制电流法,针对缺陷问题可以使用不同的迁移率描述模型等。这为后续学者更加精确地使用空间电荷限制电流法测量钙钛矿迁移率提供参考。 展开更多
关键词 钙钛矿 迁移率 测量方法 空间电荷限制电流法
下载PDF
阻变式存储器存储机理 被引量:8
11
作者 王永 管伟华 +2 位作者 龙世兵 刘明 谢常青 《物理》 CAS 北大核心 2008年第12期870-874,共5页
阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存... 阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向.但阻变式存储器的电阴转变机理不明确,制约它的进一步研发与应用.文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳,总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型. 展开更多
关键词 非挥发性 阻变式存储器(RRAM) 综述 空间电荷限制电流(sclc) 细丝
原文传递
量子点发光二极管中载流子注入机理的研究 被引量:3
12
作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期681-686,共6页
针对量子点(QDs)发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对载流子的注入机理进行了研究。在隧穿注入和空间电荷限制电流(SCLC)模型的基础上,仿真分析了空穴和电子在QDs层的注入情况,制备了QLED的样品。CdSe/CdS作为QDs层,PEDOT:PSS... 针对量子点(QDs)发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对载流子的注入机理进行了研究。在隧穿注入和空间电荷限制电流(SCLC)模型的基础上,仿真分析了空穴和电子在QDs层的注入情况,制备了QLED的样品。CdSe/CdS作为QDs层,PEDOT:PSS作为空穴注入层(HIL),TPD作为空穴传输层(HTL),Alq3作为电子传输层(ETL)。优选的QDs层厚为25nm时,确定了TPD和Alq3的理论最优厚分别为48和22nm。研究发现,当驱动电压低于6.5V时,隧穿注入电流在载流子的传输过程中起主导作用;高于6.5V时,SCLC在载流子的传输过程中起主导作用。实验结果表明,当Alq3厚为20nm时,器件发出QDs的红光,随着Alq3厚度的增加,器件开始出现绿光,实验结果与仿真结果基本吻合。研究结果对QLED的制备具有理论借鉴意义。 展开更多
关键词 量子点(QDs) 隧穿注入 空间电荷限制电流(sclc) 能级 电流密度
原文传递
(La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3)_m(BiFeO_3)_n超晶格结构的导电机理
13
作者 朱晖文 姜平 +2 位作者 王顺利 毛凌峰 唐为华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期5710-5714,共5页
利用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001)基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构.对所制备的超晶格结构进行了50—150℃温度范围内的电流-电压测试分析.结果表明,随着BiFeO3薄膜的厚度减小,温度的升高,(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO... 利用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001)基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构.对所制备的超晶格结构进行了50—150℃温度范围内的电流-电压测试分析.结果表明,随着BiFeO3薄膜的厚度减小,温度的升高,(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构的电流变大.进一步根据介质导电模型对(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构的导电特性做了分析.在温度较低或者电场较弱时,所制备的(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构表现为欧姆导电,而在高温,高电场的情况下,其导电行为由空间电荷限制电流机理主导. 展开更多
关键词 超晶格薄膜 多铁 空间电荷限制电流
原文传递
SnO_2:F沉积的La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜的电阻开关特性研究
14
作者 孙新格 张婷 +1 位作者 刘晓娜 张伟风 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期481-485,共5页
采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜。室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件进行了电化学测试。结果显示样品具有明显的双极性电阻开关性能。通过对I-V特性曲线进行分析,认为在高阻... 采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜。室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件进行了电化学测试。结果显示样品具有明显的双极性电阻开关性能。通过对I-V特性曲线进行分析,认为在高阻态时肖特基势垒和空间电荷限制电流输运机制调控。在高场区,电阻开关的高低阻态现象由电子陷阱中心分布的不对称引起的空间电荷限制电流理论来解释。 展开更多
关键词 激光沉积 电阻开关 LA0.67SR0.33MNO3 空间电荷限制电流
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部