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SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料高温环境损伤原位监测研究进展 被引量:1
1
作者 吴晓晨 郑瑞晓 +3 位作者 李露 马浩林 赵培航 马朝利 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期609-622,共14页
连续SiC纤维增强SiC(SiC_(f)/SiC)复合材料具有高比强度、高比模量、耐高温、耐辐照等优点,在先进航空发动机热端部件和核反应堆包壳等领域具有广阔的应用前景。SiC_(f)/SiC复合材料具有纤维、界面、基体等复杂的多尺度结构,其服役环境... 连续SiC纤维增强SiC(SiC_(f)/SiC)复合材料具有高比强度、高比模量、耐高温、耐辐照等优点,在先进航空发动机热端部件和核反应堆包壳等领域具有广阔的应用前景。SiC_(f)/SiC复合材料具有纤维、界面、基体等复杂的多尺度结构,其服役环境苛刻、损伤失效过程复杂,深刻理解与准确分析其在近服役环境下损伤失效模式对于材料和构件的可靠服役具有重要意义。传统的“事后分析”方法无法获取材料在复杂服役环境下的损伤失效过程数据,因此迫切需要发展面向高温服役环境的复合材料原位表征测试技术。本文介绍了基于扫描电子显微镜、数字图像相关、显微计算机断层扫描、声发射、电阻等原位监测方法的基本原理、优势与局限性,重点讨论了以上各种原位监测方法及多种原位监测方法联用在SiC_(f)/SiC复合材料高温环境力学表征中的最新研究进展。最后,总结了SiC_(f)/SiC复合材料高温环境原位监测技术存在的挑战,并对多种原位技术联用、太赫兹辐射等新型检测技术、复杂构件的损伤原位监测方法等未来发展方向进行了初步展望。 展开更多
关键词 sic_(f)/sic复合材料 原位监测 数字图像相关 声发射 显微计算机断层扫描 综述
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新型SiC光学材料的制备及应用 被引量:9
2
作者 闫勇 金光 +2 位作者 张雷 王栋 姚劲松 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期145-150,共6页
随着空间成像技术的发展,当今各科技大国均加大了对新型光学材料的制备及应用的研究工作。近年来新近兴起的新型SiC材料因其良好的热稳定性、高比刚度、低密度、易于轻量化等优点,而成为未来空间相机主光学成像元件的首选材料。本文结... 随着空间成像技术的发展,当今各科技大国均加大了对新型光学材料的制备及应用的研究工作。近年来新近兴起的新型SiC材料因其良好的热稳定性、高比刚度、低密度、易于轻量化等优点,而成为未来空间相机主光学成像元件的首选材料。本文结合当前国内外SiC材料研究进展,介绍了新型SiC光学材料常用的几种制备技术及相关应用,对其制备方法和加工工艺进行了系统的阐述和总结,重点介绍了SiC材料与常规玻璃材料加工的不同之处,并对比了国内外的加工情况及我国目前SiC材料加工现状。从当前新型SiC加工情况看,SiC加工采用的数控光学加工技术CCOS大大提高了SiC材料的加工效率和加工精度,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 空间成像 sic光学材料 制备及应用 数控光学加工技术
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不同温度下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs迁移率的影响(英文) 被引量:1
3
作者 周郁明 陈伟伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期415-419,449,共6页
在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下... 在制造4H-SiC MOSFETs过程中,超过1 500℃的高温退火用来激活被注入的离子。经常在4H-SiC表面会涂上一层碳膜来进行保护,以此期待4H-SiC MOSFETs取得好的电特性。基于前期4H-SiC MOS电容的实验结果,采用计算机模拟研究了不同温度条件下的表面粗糙度对4H-SiC MOSFETs沟道迁移率的影响。结果表明,在较高的栅压下,限制沟道迁移率的主要机制是表面粗糙度散射,然而,表面粗糙度数值的大小对迁移率的影响不大。结果同时表明,迁移率的峰值会随着温度的增加而增加,然而,对于更高的温度,峰值会随着温度的继续增加而减小。 展开更多
关键词 4H-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 表面粗糙度 温度依赖 场效应迁移率 计算机模拟
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初始缺陷对平纹编织C/SiC复合材料热膨胀系数的影响 被引量:2
4
作者 姚磊江 王梦 +1 位作者 陈刘定 童小燕 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2015年第2期311-314,共4页
基于有限元细观计算力学(FECM)提出了一种获得平纹编织C/Si C复合材料的初始缺陷对其热膨胀系数影响关系的方法。首先通过扫描电镜(SEM)观察将初始缺陷进行分类并利用SEM图对各类初始缺陷的分布特征进行测量和统计,然后依据测量和统计... 基于有限元细观计算力学(FECM)提出了一种获得平纹编织C/Si C复合材料的初始缺陷对其热膨胀系数影响关系的方法。首先通过扫描电镜(SEM)观察将初始缺陷进行分类并利用SEM图对各类初始缺陷的分布特征进行测量和统计,然后依据测量和统计结果建立含初始缺陷的宏观材料代表体积单元(RVE)和纤维束RVE有限元模型,最后采用FECM方法预测含各类初始缺陷宏观材料RVE的热膨胀系数。基于以上方法得到了各类初始缺陷与宏观材料热膨胀系数之间的定量映射关系。 展开更多
关键词 C/sic复合材料 初始缺陷 热膨胀系数 有限元细观计算力学 扫描电镜
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CVD淀积SiC薄膜SiH_4、CH_4的分解反应的计算机模拟研究
5
作者 张洪涛 许辉 +4 位作者 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 《计算机与现代化》 2000年第3期21-25,40,共6页
采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中... 采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中是主要因素。 展开更多
关键词 化学气相淀积 sic薄膜 SIH4 CH4 计算机模拟
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一类时滞SICS计算机病毒传播模型
6
作者 魏苏林 杨正玲 +1 位作者 李春 齐子健 《滨州学院学报》 2017年第4期41-44,共4页
研究一类具有临时免疫期时滞的SICS计算机病毒传播模型。以模型中免疫节点的临时免疫期时滞为分岔参数,通过分析模型特征方程根的分布情况,给出模型局部渐近稳定的充分条件,得到模型产生局部Hopf分岔的时滞临界点。并给出仿真示例,验证... 研究一类具有临时免疫期时滞的SICS计算机病毒传播模型。以模型中免疫节点的临时免疫期时滞为分岔参数,通过分析模型特征方程根的分布情况,给出模型局部渐近稳定的充分条件,得到模型产生局部Hopf分岔的时滞临界点。并给出仿真示例,验证所得结果的正确性。 展开更多
关键词 计算机病毒 平衡点 sicS模型 HOPF分岔
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SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理 被引量:4
7
作者 张鸿 郭红霞 +6 位作者 顾朝桥 柳奕天 张凤祁 潘霄宇 琚安安 刘晔 冯亚辉 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期884-896,共13页
基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)... 基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失。SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小。利用计算机辅助设计工具(TCAD)开展SiC MOSFET的单粒子效应仿真,结果表明,重离子从源极入射器件时,具有更短的SEB发生时间和更低的SEB阈值电压。栅-源拐角和衬底-外延层交界处为SiC MOSFET的SEB敏感区域,强电场强度和高电流密度的同时存在导致敏感区域产生过高的晶格温度。SiC MOSFET在栅压偏置(U_(GS)=3 V,U_(DS)=0 V)下开展钴源总剂量效应实验,相比于漏压偏置(U_(GS)=0 V,U_(DS)=300 V)和零压偏置(U_(GS)=U_(DS)=0 V),出现更严重的电学性能退化。利用中带电压法分析发现,栅极偏置下氧化层内的垂直电场提升了陷阱电荷的生成率,加剧了阈值电压的退化。中子位移损伤会导致SiC JBS二极管的正向电流和反向电流减小。在漏极偏置下进行中子位移损伤效应实验,SiC MOSFET的电学性能退化最严重。该研究为空间用SiC器件的辐射效应机理及抗辐射加固研究提供了一定的参考和支撑。 展开更多
关键词 碳化硅结型肖特基二极管 碳化硅场效应晶体管 单粒子烧毁 计算机辅助设计 总剂量效应 位移损伤效应
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Removal of SiC particles from solar grade silicon melts by imposition of high frequency magnetic field
8
作者 Mehdi KADKHODABEIGI Jafar SAFARIAN +2 位作者 Halvard TVEIT Merete TANGSTAD Stein Tore JOHANSEN 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期2813-2821,共9页
Non-metallic particles and metallic impurities present in the feedstock affect the electrical and mechanical properties of high quality silicon which is used in critical applications such as photovoltaic solar cells a... Non-metallic particles and metallic impurities present in the feedstock affect the electrical and mechanical properties of high quality silicon which is used in critical applications such as photovoltaic solar cells and electronic devices. SiC particles strongly deteriorate the mechanical properties of photovoltaic cells and cause shunting problem. Therefore, these particles should be removed from silicon before solar cells are fabricated from this material. Separation of non-metallic particles from liquid metals by imposing an electromagnetic field was identified as an enhanced technology to produce ultra pure metals. Application of this method for removal of SiC particles from metallurgical grade silicon (MG-Si) was presented. Numerical methods based on a combination of classical models for inclusion removal and computational fluid dynamics (CFD) were developed to calculate the particle concentration and separation efficiency from the melt. In order to check efficiency of the method, several experiments were done using an induction furnace. The experimental results show that this method can be effectively applied to purifying silicon melts from the non-metallic inclusions. The results are in a good agreement with the predictions made by the model. 展开更多
关键词 sic particle electromagnetic separation solar grade silicon (SoG-Si) photovoltaic cells computational fluid dynamics(CFD) non-metallic particles metallic impurities
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表面改性非球面碳化硅反射镜的加工 被引量:17
9
作者 张峰 徐领娣 +2 位作者 范镝 高劲松 张学军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2479-2484,共6页
为了获得高质量光学表面的非球面碳化硅(SiC)反射镜,对碳化硅反射镜表面改性技术以及离子束辅助沉积(IBAD)Si改性后的非球面碳化硅反射镜的加工技术进行了研究。介绍了碳化硅反射镜表面改性技术以及本文所采用的离子束辅助沉积(IBAD)Si... 为了获得高质量光学表面的非球面碳化硅(SiC)反射镜,对碳化硅反射镜表面改性技术以及离子束辅助沉积(IBAD)Si改性后的非球面碳化硅反射镜的加工技术进行了研究。介绍了碳化硅反射镜表面改性技术以及本文所采用的离子束辅助沉积(IBAD)Si的改性方法。然后,采用氧化铈(CeO2)、氧化铝(Al2O3)以及二氧化硅(SiO2)等各种抛光液对离子束辅助沉积(IBAD)Si的碳化硅样片进行抛光实验。最后,在上述实验的基础上,采用计算机控制光学表面成型(CCOS)技术对尺寸为650mm×200mm的表面改性离轴非球面碳化硅反射镜进行加工。实验结果表明:CeO2抛光液的抛光效率较高;使用SiO2抛光液抛光后的样片表面质量最好;表面改性离轴非球面碳化硅反射镜加工后的最终检测结果为:实际使用口径内的面形精度(RMS值)为0.016λ(λ=0.6328μm),表面粗糙度为0.85nm(Rq值)。反射镜的加工结果满足设计技术指标的要求。 展开更多
关键词 离轴非球面 碳化硅反射镜 计算机控制光学表面成型 表面改性
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城市空间智能计算平台研究 被引量:5
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作者 朱钥 李琦 《地理与地理信息科学》 CSSCI CSCD 北大核心 2011年第1期11-15,20,共6页
该文提出了空间智能平台的概念,阐述了其研究意义和内容,明确了空间智能计算平台核心计算模型的建模对象和目标。在此基础上,分析了宏观数学模型、群体行为模型两种用来构建空间活动模型的建模方法以及适用于空间活动分析的物理环境建... 该文提出了空间智能平台的概念,阐述了其研究意义和内容,明确了空间智能计算平台核心计算模型的建模对象和目标。在此基础上,分析了宏观数学模型、群体行为模型两种用来构建空间活动模型的建模方法以及适用于空间活动分析的物理环境建模技术。从融合多尺度行为模型、构建城市日常生活模型、验证和校验核心模型以及平衡效率和效果4方面探讨了构建空间智能计算平台的关键技术。从实际功能看,城市空间智能平台是联系宏观复杂问题和微观机制的桥梁,是分析城市问题的工程化实验平台,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 复杂系统 空间智能计算 日常空间活动模型
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基于可靠性的低复杂度最小均方误差软干扰抵消MIMO Turbo接收机 被引量:1
11
作者 王军 李少谦 《信号处理》 CSCD 北大核心 2009年第1期28-33,共6页
计算复杂度高是MIMO最小均方误差软干扰抵消Turbo接收机面临的主要问题。一种方案提出在迭代检测阶段采用匹配滤波器取代最小均方误差滤波器,以避免矩阵求逆,但会导致性能显著下降。为了克服这一缺点,本文提出一种基于先验信息可靠性的... 计算复杂度高是MIMO最小均方误差软干扰抵消Turbo接收机面临的主要问题。一种方案提出在迭代检测阶段采用匹配滤波器取代最小均方误差滤波器,以避免矩阵求逆,但会导致性能显著下降。为了克服这一缺点,本文提出一种基于先验信息可靠性的低复杂度最小均方误差软干扰抵消Turbo接收机方案。该方案根据先验信息的可靠性动态选择最小均方误差和匹配滤波检测,从而在显著降低系统复杂度的同时使得引入的性能损失可以忽略不计。同时,通过合理设置选择门限,该方案还可以灵活地在复杂度和性能之间进行折中。 展开更多
关键词 多人多出 最小均方误差 软干扰抵消 计算复杂度 TURBO接收机
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计算机演示低碳钢拉伸实验 被引量:2
12
作者 夏健明 陈燕群 《广东水利电力职业技术学院学报》 2004年第1期40-42,共3页
用VisualBasic 6.0模拟低碳钢拉伸实验 ,提出低碳钢拉伸时的σ -ε曲线的数学模型 ,并用动画演示低碳钢的颈缩和断裂现象。
关键词 低碳钢 拉伸实验 σ-ε曲线 数学模型 多媒体教学
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大口径碳化硅平面反射镜的数控研磨与在线检测
13
作者 牛海燕 范镝 +2 位作者 郑立功 张峰 张学军 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2006年第4期8-11,共4页
本文介绍了480mm×280mm的船形碳化硅平面反射镜数控研磨的工艺参数的确定和工艺流程;并介绍了在研磨过程中使用的机床、磨具、磨料及采用的工艺参数和检测方法。给出了研磨前后480mm×280mm的船形碳化硅平面反射镜面形精度和... 本文介绍了480mm×280mm的船形碳化硅平面反射镜数控研磨的工艺参数的确定和工艺流程;并介绍了在研磨过程中使用的机床、磨具、磨料及采用的工艺参数和检测方法。给出了研磨前后480mm×280mm的船形碳化硅平面反射镜面形精度和表面粗糙度的检测结果:面形精度峰谷值(PV)由初始的21.7微米收敛到4.62微米,均方根值(RMS)由3.70微米收敛到0.558微米,并把轮廓检测结果与干涉检测结果进行了比较。 展开更多
关键词 碳化硅反射镜 数控研磨 轮廓检测 面形精度
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碳团簇与硅单晶表面重构的蒙特卡罗模拟探索 被引量:2
14
作者 梁志均 黄臻成 +2 位作者 王莉 邵元智 何振辉 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第S1期26-32,共7页
利用基于经验势(Tersoff势)的蒙特卡罗方法研究碳团簇稳定结构和硅片(100)表面重构这两个物理过程。模拟结果是含有偶数个原子的小团簇是主要由六圆环平铺而成,像石墨片似的平面结构。而含有奇数个原子的小团簇,会在团簇中心生成碳五圆... 利用基于经验势(Tersoff势)的蒙特卡罗方法研究碳团簇稳定结构和硅片(100)表面重构这两个物理过程。模拟结果是含有偶数个原子的小团簇是主要由六圆环平铺而成,像石墨片似的平面结构。而含有奇数个原子的小团簇,会在团簇中心生成碳五圆环,团簇的会围绕五圆环卷曲。得到的结论是碳团簇的结构与团簇的幻数有关。模拟硅片表面重构的结果显示硅单晶表面有五种不同的重构模式,并且在不同的温度条件下,这几种重构模式所占的比重也不一样。低温时,硅单晶表面是以无重构的1×1二聚体为主。随温度升高,硅单晶表面出现2×1、c(2×2)、c(4×2)等重构模式。而在高温时,单晶硅(100)表面将出现的一种新的重构方式———吸附二聚体,它很可能是硅片的外沿生长、成核过程的关键。 展开更多
关键词 Tersoff势 蒙特卡罗法 碳团簇 幻数 硅单晶表面重构 吸附二聚体
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射频功率放大器设计新方法 被引量:1
15
作者 王远 吴秀龙 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1514-1517,共4页
常用的射频微波功率放大器CAD设计方法中,保证电路的稳定往往要以损失增益与功率为代价。针对这个缺点,文章以稳定圆为理论基础,提出了一种新的CAD设计方法。这种方法通过设计恰当的偏置电路,然后找出并避开终端阻抗的不稳定区来保证电... 常用的射频微波功率放大器CAD设计方法中,保证电路的稳定往往要以损失增益与功率为代价。针对这个缺点,文章以稳定圆为理论基础,提出了一种新的CAD设计方法。这种方法通过设计恰当的偏置电路,然后找出并避开终端阻抗的不稳定区来保证电路稳定,最大限度地提高了增益与输出功率。利用ADS仿真软件对宽禁带SiC器件Cree24060进行了仿真,在2.2GHz处获得100 W的1dB压缩点输出功率与11dB的功率增益,使器件的性能得到充分发挥。 展开更多
关键词 功率放大器 稳定圆 计算机辅助设计 sic器件
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碳化硅阀片放电产生的辐射量计算
16
作者 王国按 杨保初 +1 位作者 杨进喜 张茂华 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期28-31,共4页
用等离子体理论计算了阀片放电通道产生的X射线剂量,并用热释光计量法进行了实测.
关键词 辐射 碳化硅阀片 放电 计算
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A generalized CFD model for evaluating catalytic separation process in structured porous materials
17
作者 Anshi Hong Zisheng Zhang +1 位作者 Xingang Li Xin Gao 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第11期168-177,共10页
A hybrid multiphase model is developed to simulate the simultaneous momentum, heat and mass transfer and heterogeneous catalyzed reaction in structured catalytic porous materials. The approach relies on the combinatio... A hybrid multiphase model is developed to simulate the simultaneous momentum, heat and mass transfer and heterogeneous catalyzed reaction in structured catalytic porous materials. The approach relies on the combination of the volume of fluid(VOF) and Eulerian–Eulerian models, and several plug-in field functions. The VOF method is used to capture the gas–liquid interface motion, and the Eulerian–Eulerian framework solves the temperature and chemical species concentration equations for each phase.The self-defined field functions utilize a single-domain approach to overcome convergence difficulty when applying the hybrid multiphase for a multi-domain problem. The method is then applied to investigate selective removal of specific species in multicomponent reactive evaporation process. The results show that the coupling of catalytic reaction and interface species mass transfer at the phase interface is conditional, and the coupling of catalytic reaction and momentum transfer across fluid–porous interface significantly affects the conversion rate of reactants. Based on the numerical results, a strategy is proposed for matching solid catalyst with operating condition in catalytic distillation application. 展开更多
关键词 CFD(computational fluid dynamics) Hybrid multiphase model sic foam Mass transfer Catalytic distillation
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颗粒尺寸对SiC_P预制体孔洞三维特征的影响 被引量:1
18
作者 龙晗 赵海东 +1 位作者 彭嘉林 刘锐哲 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期827-835,共9页
通过模压成型和高温烧结制备了不同SiC_P颗粒尺寸(20、50、100和150μm)的预制体,采用高分辨率(~1.0μm)三维X射线断层扫描和三维孔隙网络结构模型,研究了SiC_P颗粒尺寸对预制体孔洞三维特征的影响。结果表明:随着SiC_P颗粒尺寸的增大,... 通过模压成型和高温烧结制备了不同SiC_P颗粒尺寸(20、50、100和150μm)的预制体,采用高分辨率(~1.0μm)三维X射线断层扫描和三维孔隙网络结构模型,研究了SiC_P颗粒尺寸对预制体孔洞三维特征的影响。结果表明:随着SiC_P颗粒尺寸的增大,淀粉的间隙膨胀作用逐渐减弱,而颗粒堆积间隙逐渐增大。当SiC_P颗粒尺寸由20μm增大到100μm时,截面孔洞形貌更加平齐,面孔隙率均值减小,孔洞体积的空间分布均匀性和连通性都变差,孔洞和喉道的平均尺寸增大,而小尺寸孔喉数量减少,平均孔洞配位数减小;当颗粒尺寸继续增大至150μm时,间隙被更多较小尺寸颗粒填充,且颗粒表面残留网状粘结剂,都大大降低了孔洞体积的空间分布均匀性和连通性,使小尺寸孔喉数量增多,平均孔洞配位数增大。 展开更多
关键词 sicP预制体 颗粒尺寸 孔洞结构 三维X射线断层扫描 孔隙网络结构
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射流式碳化硅水冷镜数值模拟 被引量:7
19
作者 李斌 焦路光 +4 位作者 刘亮 李兰 周琼 袁圣付 刘文广 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期53-59,共7页
将射流水冷技术应用到高能激光器反射镜的冷却中,设计了射流式碳化硅水冷镜。利用通用有限元分析软件ANSYS的流体分析模块FLOTRAN,建立了流体对流换热系数和压力计算的二维模型,在验证模型可靠性的基础上计算了一定参数下的换热系数和... 将射流水冷技术应用到高能激光器反射镜的冷却中,设计了射流式碳化硅水冷镜。利用通用有限元分析软件ANSYS的流体分析模块FLOTRAN,建立了流体对流换热系数和压力计算的二维模型,在验证模型可靠性的基础上计算了一定参数下的换热系数和压力分布。利用ANSYS中的多物理场分析模块,建立了水冷镜形变计算的三维模型,计算了相应的镜体温度和形变分布,比较了不同材料和不同类型水冷镜的性能。计算结果表明,射流式碳化硅水冷镜可以获得很小的镜面形变,同时具有结构简单、冷却均匀性好、抗压性好等优点,在高能激光器中具有较广阔的应用前景。 展开更多
关键词 激光器 射流式碳化硅水冷镜 射流水冷技术 数值模拟 计算流体力学
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大口径离轴碳化硅非球面反射镜加工与检测技术研究 被引量:14
20
作者 王孝坤 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2012年第1期71-75,共5页
分析了碳化硅作为空间反射镜材料的各种优点,研究了加工和检测离轴碳化硅非球面反射镜的各项关键技术。利用自行开发的非球面加工中心FSGJ-2对离轴碳化硅非球面进行了研磨、抛光和轮廓测量,分析了计算全息补偿检测离轴非球面的基本原理... 分析了碳化硅作为空间反射镜材料的各种优点,研究了加工和检测离轴碳化硅非球面反射镜的各项关键技术。利用自行开发的非球面加工中心FSGJ-2对离轴碳化硅非球面进行了研磨、抛光和轮廓测量,分析了计算全息补偿检测离轴非球面的基本原理,并专门设计研制了计算全息衍射检测装置,对大口径离轴非球面反射镜进行了零位补偿干涉测量。结合工程实例对一口径为468mm×296mm的离轴碳化硅非球面进行了超精加工与检测,最终面形误差峰谷(PV)值为0.148λ,均方根(RMS)值为0.017λ(λ=632.8nm),达到了良好的效果。 展开更多
关键词 光学设计 碳化硅 非球面反射镜 离轴非球面 计算机控制光学表面成形 计算全息
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