FORECAST OF BREAKING LENGTH OF SIDE CURLING SHORT SPIRAL CHIPS

The theoretical formula for estimating the side curling short spiral chips is simplified. On the basis of experiment, a practical formula for forecasting the chip breaking length is obtained. It is proved by experiment that the result from the practical formula fits well with that from the experiments.

外螺旋式月球极区采冰与冰屑运移仿真研究

针对月冰钻采多点位重复采集问题,提出一种基于深槽螺旋钻具通过外螺旋方式采冰方案。研究冰屑颗粒在钻采过程中的输送特性,建立冰屑颗粒受力、速度数学模型并推导出临界转速表达式,基于EDEM仿真研究不同螺旋转速对冰屑运移特性的影响。研究结果表明:螺旋转速为600r/min时,冰屑颗粒平均轴向速度较之前提升25%;冰屑颗粒平均轴向速度仿真值与理论值相对误差在12%以内。以上研究成果可为月球极区采冰装置的设计提供借鉴。

横向卷曲短螺卷屑折断数学模型与折断判据

借助于高这摄影技术对在金属切削加工中产生的横向卷曲短螺卷悄的形成进行了分析，并根据动力学原理对切用形成过程中的受力与行断进行了研究，建立了数学模型，并提出了切屑折断判据。

基于单螺旋微流控芯片的细菌气溶胶的高效富集

设计了一种单螺旋通道的聚二甲基硅氧烷（Poly（dimethylsiloxane）,PDMS）微流控芯片,用于副溶血性弧菌气溶胶的快速有效富集。该芯片的特征在于其通道呈螺旋分布,且通道内部含有均匀分布的鱼骨形结构。结果表明,在不同富集时间段内,采用该芯片方法捕获的细菌总数均远高于传统落板法。对于传统落板法无法有效捕获的低浓度样本（10~4CFU/mL）的缺陷,该方法的优势在于：芯片内部的螺旋通道可增大对气溶胶中微生物的离心力;鱼骨形结构的设计增加了待测样品与芯片内壁间的接触几率。此外,以无鱼骨形的螺旋芯片作为对照,验证了鱼骨形结构对于高效富集的意义。此芯片设计巧妙、易于制备、高效便携、富集效果较好,在气溶胶污染严重的水产加工等场所具有较大的应用前景。

Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO

A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of 1/ f noise.An on chip LC filtering technique is used to lower the high frequency noise.Accumulation varactors are used to widen frequency tuning.The measured tuning range is 23 percent.A single hexadecagon symmetric on chip spiral is used with grounded shield pattern to reduce the chip area and maximize the quality factor.A phase noise of -118dBc/Hz at 1MHz offset is measured.The power dissipation is 4mA at V DD =3 3V.

基于PEEC方法的片内螺旋电感建模

采用部分元等效电路方法,结合近似的三维闭式格林函数,在10GHz以下的频率范围提出了一种针对有耗硅衬底上螺旋电感的准静态建模新方法.该方法充分考虑了有耗的硅衬底、趋肤效应、接近效应等因素对螺旋电感电特性的影响,通过与全波分析方法对比,证明在相当宽的频率范围该方法是有效、可行的,可广泛应用于微波和射频硅集成电路的优化设计和仿真.

短螺卷切屑折断的实验研究

对横向卷曲短螺卷切屑折断的因素进行理论分析的基础上，考虑不同形式、不同程度上影响切屑折断长度的多种因素，进行了实验研究。根据试验数据采用回归分析的方法并通过处理，得到了横向卷曲短螺卷切屑折断长度的经验公式。解决了短螺卷切屑折断的问题，为实际切屑加工环境中切屑形状的预测提供直接判断依据。

集成CMOS行波放大器的设计和仿真

采用有耗片内螺旋电感和 0 .1 8μm CMOS工艺对集成行波放大器进行了设计 ,其仿真增益在 1 4GHz的频带内大于 1 5 d B.仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响 ,该仿真结果对放大器的设计和优化具有很好的指导作用 .

CMOS兼容高Q值微机电系统悬浮片上螺旋电感

利用微机电系统（MEMS）表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因素,显著提高了片上螺旋电感Q值.采用电磁场有限元分析软件HFSS对该电感模型进行了仿真研究,完成了悬浮片上螺旋电感的制备并进行了测量.测量结果表明：所设计的CMOS兼容MEMS悬浮片上螺旋电感Q值在1～7.6GHz测量频段均大于20,在7.4 GHz频段最大值达到了38.

一种3.8 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器的设计

从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作,用Hspice软件对电路进行了模拟。结果表明,该电路的正向功率增益为15.67 dB,NF为2.88 dB,IIP3为-0.21 dBm,功耗为25.79 mW。

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.

对判断螺卷形切屑折断的研究

本文以螺卷屑为研究对象,对其折断过程进行了分析,理论推导出螺卷屑的折断判据。并通过单因素实验,正交组合实验验证了这个判据的可靠性。从理论上证明了对螺卷形折断的判据可适用于 C 形屑,不断长螺卷屑。

YW2切削AISIH13钢切屑形成的试验与数值研究

文章以YW2对AISIH13钢进行切削及数值模拟实验。扫描电子显微镜和能谱散射仪被用于切屑微观形貌观察及成份分析。实验结果表明,切削用量对切屑形态的影响显著;切削热促使切屑表面氧化。模拟结果显示切屑温度高达700℃左右,其应力应变分布有助于"卷曲"生长,呈螺旋状;切屑发生碰撞而折断,其临界断裂应力与应变分别为702MPa及1.65mm/mm。

一种用于移动终端的新型内置五频芯片天线

研制了一种用于GSM850/GSM900/DCS1800/PCS1900/UMTS频段的五频内置芯片天线.芯片天线将FR-4介质（介电常数为4.4）上的曲折线和螺旋线相结合,两者分别产生谐振频段进行叠加从而实现天线宽频工作特性.弯曲的折线结构实现了天线尺寸的小型化,天线的体积为20 mm×8 mm×3.2 mm,适合用作移动手机终端的内置天线.电路板的尺寸为40 mm×93 mm,适用于新款小型手机.在驻波比小于3时,测试低频带宽为146 MHz（1030-1176 MHz）,高频工作带宽为530 MHz（1756-2286 MHz）.

双管智能型螺旋电子称设计

双管智能型螺旋电子称是一种以单片机为核心的智能化的调速螺旋电子称,它能对各种非粘结性粉状物料的流量进行自动检测,并能进行流量控制,实现定量给料,是一个机电一体化的计算机检测、控制系统。它主要由调速螺旋输送机、恒速称体和单片机检测、控制器等部分组成。该设计主要包括该装置的机械部分设计、单片机检测和控制部分的硬件、软件设计和抗干扰措施等。设计的该装置计量精密,控制精确,流量调节性能稳定,系统功能丰富,操作方便,智能化、自动化程度高,运行可靠,抗干扰能力强。可广泛用于建材、化工、冶金、粮食加工、发电等各行业。

加工滚刀螺旋容屑槽时中凸值的计算

本文在求解滚刀螺旋容屑槽成形铣刀廓形的基础上,给出了成形铣刀廓形上各点中凸值及成形铣刀最大中凸值的求解方法,提出了用一条圆孤代替成形铣刀廓形的近似设计方法,并对代用圆孤进行了误差分析。

横向卷曲短螺卷切屑的折断长度

在横向卷曲短螺卷切屑折射判据理论公式的基础上，根据实验结果对其进行了简化处理，得到了横向卷曲短螺卷切屑折断长度的实用公式。根据试验所得数据对实用公式中各函数进行拟合，得出了横向卷曲短螺卷切屑折断长度的预测公式，并对此进行了实验验证。

硅基片上螺旋电感宽带物理模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。

片上螺旋电感宽频带等效电路模型的建立

介绍了一种简单而有效的对片上螺旋电感建立集总等效电路模型的方法,并提出了用电容和电感补偿等效代替的思想,实现了9个参数的宽频带电路。通过仿真ADS中空气桥横跨式结构和电介质隔离地下通道式结构,该等效模型在26～40GHz带宽内获得了S参数、有效电感值和Q值比较好的拟合效果,为片上螺旋电感的提参建模提供了快速、可行的方案。

基于阿基米德螺线的三导线环形磁导引

提出了一种三线阿基米德螺线结构产生环形磁势阱以囚禁中性原子的导引方案.该结构具有π/3旋转对称性,由三根导线组成.每根导线包含一对由圆弧连接的阿基米德螺线,且具有中心对称性.这种结构能够避免电流引线端导致的导引缺口问题.当加载直流电时,可以形成闭合的环形磁导引,但导引中心存在磁场零点.利用时间轨道平均势原理,在直流电的基础上再加载交流调制,对调制电流的参数进行分析和讨论后给出优化方案,使环形磁导引中心无磁场零点,同时平滑了环形磁导引中心磁场强度在角向上的起伏变化.该结构可以刻蚀在芯片表面,具有生产工艺简单、调制稳定等优点,有利于实现导引型原子芯片陀螺仪.