采用GaN FET正反激高增益DC/DC电路以实现微型逆变器高效率、高升压比、减小变压器体积的目标。首先介绍GaN FET器件的结构及其特性;其次分析正反激高增益DC/DC电路的工作原理及其软开关特性,并给出该拓扑理论损耗分析;最后搭建200 W Ga...采用GaN FET正反激高增益DC/DC电路以实现微型逆变器高效率、高升压比、减小变压器体积的目标。首先介绍GaN FET器件的结构及其特性;其次分析正反激高增益DC/DC电路的工作原理及其软开关特性,并给出该拓扑理论损耗分析;最后搭建200 W GaN FET正反激高增益DC/DC电路的仿真及实验验证,理论和实验结果证明该拓扑适用于高效率的微型逆变器前级变换器。展开更多
偏磁控制技术是单级PFC双管正激变换器领域的关键问题之一,阐述偏磁产生的危害,分析偏磁现象在单级P F C双管正激变换器上产生的原因,提出一种合理和有效的偏磁控制电路方案,详述其工作过程和原理,制作一块单级P F C双管正激变换器测试...偏磁控制技术是单级PFC双管正激变换器领域的关键问题之一,阐述偏磁产生的危害,分析偏磁现象在单级P F C双管正激变换器上产生的原因,提出一种合理和有效的偏磁控制电路方案,详述其工作过程和原理,制作一块单级P F C双管正激变换器测试板,其间在主电路与偏磁控制电路设置了接通和断开的结点,并进行了对照实验,验证了其可行性和实效性。展开更多
文摘采用GaN FET正反激高增益DC/DC电路以实现微型逆变器高效率、高升压比、减小变压器体积的目标。首先介绍GaN FET器件的结构及其特性;其次分析正反激高增益DC/DC电路的工作原理及其软开关特性,并给出该拓扑理论损耗分析;最后搭建200 W GaN FET正反激高增益DC/DC电路的仿真及实验验证,理论和实验结果证明该拓扑适用于高效率的微型逆变器前级变换器。
文摘偏磁控制技术是单级PFC双管正激变换器领域的关键问题之一,阐述偏磁产生的危害,分析偏磁现象在单级P F C双管正激变换器上产生的原因,提出一种合理和有效的偏磁控制电路方案,详述其工作过程和原理,制作一块单级P F C双管正激变换器测试板,其间在主电路与偏磁控制电路设置了接通和断开的结点,并进行了对照实验,验证了其可行性和实效性。