高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制

设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波导长度为250μm,宽度为2.5μm的D-EAM在-3V偏压下电容为0.225pF,对应的调制带宽估算为28.3GHz;1 550nm输入波长条件下,D-EAM在偏压为-1V至-2V之间调制效率最大,达到10dB/V,而-3V、-6V下的调制深度分别为22dB和26dB,满足40Gbit/s光纤通信要求。