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Optimized Operation of Park Integrated Energy System with Source-Load Flexible Response Based on Comprehensive Evaluation Index
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作者 Xinglong Chen Ximin Cao +1 位作者 Qifan Huang He Huang 《Energy Engineering》 EI 2024年第11期3437-3460,共24页
To better reduce the carbon emissions of a park-integrated energy system(PIES),optimize the comprehensive operating cost,and smooth the load curve,a source-load flexible response model based on the comprehensive evalu... To better reduce the carbon emissions of a park-integrated energy system(PIES),optimize the comprehensive operating cost,and smooth the load curve,a source-load flexible response model based on the comprehensive evaluation index is proposed.Firstly,a source-load flexible response model is proposed under the stepped carbon trading mechanism;the organic Rankine cycle is introduced into the source-side to construct a flexible response model with traditional combined heat and power(CHP)unit and electric boiler to realize the flexible response of CHP to load;and the load-side categorizes loads into transferable,interruptible,and substitutable loads according to the load characteristics and establishes a comprehensive demand response model.Secondly,the analytic network process(ANP)considers the linkages between indicators and allows decision-makers to consider the interactions of elements in a complex dynamic system,resulting in more realistic indicator assignment values.Considering the economy,energy efficiency,and environment,the PIES optimization operation model based on the ANP comprehensive evaluation index is constructed to optimize the system operation comprehensively.Finally,the CPLEX solver inMATLABwas employed to solve the problem.The results of the example showthat the source-load flexible response model proposed in this paper reduces the operating cost of the system by 29.90%,improves the comprehensive utilization rate by 15.00%,and reduces the carbon emission by 26.98%,which effectively enhances the system’s economy and low carbon,and the comprehensive evaluation index based on the ANP reaches 0.95,which takes into account the economy,energy efficiency,and the environment,and is more superior than the single evaluation index. 展开更多
关键词 Source-load flexible response comprehensive evaluation index stepped carbon trading optimal scheduling park integrated energy system
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Numerical Simulation of Flow over Stepped Spillways with Varying Step-Angle 被引量:1
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作者 Mohsen Nasrabadi Younes Aminpour 《Hydro Science & Marine Engineering》 2020年第2期20-31,共12页
In the present study,the flow over the stepped spillway was numerically investigated by using Flow3D model.The effect of step angle on different properties of Nappe flow regime such as the water surface profile,locati... In the present study,the flow over the stepped spillway was numerically investigated by using Flow3D model.The effect of step angle on different properties of Nappe flow regime such as the water surface profile,location of free-surface aeration inception,Froude number at the spillway’s toe,and pressure,flow velocity,air concentration and cavitation index were evaluated.The realizable k–εwas applied as the turbulence model,and Volume of Fluid(VOF)model was used to determine the free surface flow profiles of the spillway.The model was verified using experimental data.In order to investigate the different characteristics of Nappe flow regime,17 numerical runs was designed,in which,four step angles,four flow discharge were considered to investigate the flow characteristics over the stepped spillway.The results indicated that the numerical model is well suited with the experimental data over the stepped spillway(RMSE=0.147 and ARE=6.9%).In addition,with increasing the step angles,the aeration inception point is generally moved downstream.By increasing the step angles from zero to 10 degrees,the Froude number does not change significantly,however,at the angle of 15 degrees,the Froude number decreases by about 42 percent. 展开更多
关键词 stepped spillway Numerical method step angle Cavitation index
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Sub-bandgap refractive indexes and optical properties of Sidopedβ-Ga_(2)O_(3) semiconductor thin films
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作者 Yitian Bao Xiaorui Wang Shijie Xu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2022年第6期46-50,共5页
In this article,we present a theoretical study on the sub-bandgap refractive indexes and optical properties of Sidopedβ-Ga_(2)O_(3) thin films based on newly developed models.The measured sub-bandgap refractive index... In this article,we present a theoretical study on the sub-bandgap refractive indexes and optical properties of Sidopedβ-Ga_(2)O_(3) thin films based on newly developed models.The measured sub-bandgap refractive indexes ofβ-Ga_(2)O_(3) thin film are explained well with the new model,leading to the determination of an explicit analytical dispersion of refractive indexes for photon energy below an effective optical bandgap energy of 4.952 eV for theβ-Ga_(2)O_(3) thin film.Then,the oscillatory structures in long wavelength regions in experimental transmission spectra of Si-dopedβ-Ga_(2)O_(3) thin films with different Si doping concentrations are quantitively interpreted utilizing the determined sub-bandgap refractive index dispersion.Meanwhile,effective optical bandgap values of Si-dopedβ-Ga_(2)O_(3) thin films are further determined and are found to decrease with increasing the Si doping concentration as expectedly.In addition,the sub-bandgap absorption coefficients of Si-dopedβ-Ga_(2)O_(3) thin film are calculated under the frame of the Franz–Keldysh mechanism due to the electric field effect of ionized Si impurities.The theoretical absorption coefficients agree with the available experimental data.These key parameters obtained in the present study may enrich the present understanding of the sub-bandgap refractive indexes and optical properties of impurity-dopedβ-Ga_(2)O_(3) thin films. 展开更多
关键词 gallium oxide sub-bandgap refractive index si doping effective optical bandgap sub-bandgap absorption
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Investigation of Connecting Wind Turbine to Radial Distribution System on Voltage Stability Using SI Index and λ - V Curves
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作者 Gamal Abd El-Azeem Mahmoud Eyad Saeed Solimanx Oda 《Smart Grid and Renewable Energy》 2016年第1期16-45,共30页
The growth of wind energy penetration level in distribution system raises the concern about its impact on the operation of the power system, especially voltage stability and power loss. Among the major concerns, this ... The growth of wind energy penetration level in distribution system raises the concern about its impact on the operation of the power system, especially voltage stability and power loss. Among the major concerns, this paper studied the impact of connecting wind Turbine (WT) in radial distribution system with different penetration levels and different power factor (lead and lag) on power system voltage stability and power loss reduction. Load flow calculation was carried out using forward-backward sweep method. The analysis proceeds on 9- and 33-bus radial distribution systems. Results show that voltage stability enhancement and power loss reduction should be considered as WT installation objective. 展开更多
关键词 Power Loss Radial Distribution System si index Voltage Stability Optimal size and Location of Wind Turbine
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基于NDVI-SI特征空间的土壤盐渍化遥感模型 被引量:80
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作者 王飞 丁建丽 伍漫春 《农业工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期168-173,F0002,共7页
同时考虑植被和土壤信息,构建盐渍化遥感信息提取模型。选取具有长期研究基础的塔里木南缘于田绿洲为研究靶区,综合分析归一化差值植被指数(NDVI)、盐分指数(SI)二者之间的关系,在此基础之上提出NDVI-SI特征空间概念,并构建土壤盐渍化... 同时考虑植被和土壤信息,构建盐渍化遥感信息提取模型。选取具有长期研究基础的塔里木南缘于田绿洲为研究靶区,综合分析归一化差值植被指数(NDVI)、盐分指数(SI)二者之间的关系,在此基础之上提出NDVI-SI特征空间概念,并构建土壤盐渍化遥感监测指数模型(SDI),结果表明:土壤表层含盐量与SDI相关性较高,其R2=0.8596。非盐渍地、轻度盐渍地、中度盐渍地、重度盐渍地的SDI平均值分别为0.399,0.763,0.974和1.201,差异较大;经差异性矩阵分析,亦表明SDI能够很好的区分研究区内不同盐渍化程度地类的分布范围。SDI能反映盐渍化土壤地表盐量组合及其变化,具有明确的生物物理意义,并且指标简单、易于获取、有利于盐渍化定量分析与监测,对今后干旱区盐渍地信息提取以及动态监测研究具有重要意义。 展开更多
关键词 遥感 监测 模型 盐分指数(si) 归一化差值植被指数(NDVI) NDVI-si特征空间
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表面台阶对超高真空下Si(111)基片表面银原子吸附与重构的影响 被引量:2
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作者 邓冬梅 于新彪 +2 位作者 曹世勋 白丽华 张金仓 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期775-779,共5页
利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicina... 利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicinal样品产生的弱SinPout信号表明表面台阶的存在对Si(111)-3×3-Ag表面的成核生长过程有显著影响。低能电子衍射图片显示,500℃以上的高温下两种基片表面所形成的Si(111)-3×1-Ag重构分别为类单畴和三畴结构。类单畴和三畴结构Si(111)-3×1-Ag的光学表面二次谐波SinSout信号的一致性可能揭示了Si(111)-3×1-Ag结构中孪畴结构的存在。 展开更多
关键词 表面台阶 表面重构 si(111)-3×3-Ag si(111)-3×1-Ag 表面二次谐波法
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两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较 被引量:1
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作者 刘翔 吴长树 +5 位作者 张鹏翔 角忠华 赵德锐 陈庭金 廖仕坤 杨家明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期128-131,共4页
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量... 报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111) 展开更多
关键词 两步生长 直接生长 GAAS/si
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Al-24%Si合金中五星柱状初生Si的生长机制 被引量:5
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作者 胡慧芳 李华基 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2003-2008,共6页
研究Al-24%Si合金铸态组织中五星柱状初生Si的立体形貌及生长机制。结果表明:混合酸腐蚀后,五星柱状初生Si内部出现平行于表层晶面、层层堆叠的生长迹线,与螺旋式生长线存在明显差别,表明Si晶生长所依靠的台阶源并不是螺旋位错形成的;... 研究Al-24%Si合金铸态组织中五星柱状初生Si的立体形貌及生长机制。结果表明:混合酸腐蚀后,五星柱状初生Si内部出现平行于表层晶面、层层堆叠的生长迹线,与螺旋式生长线存在明显差别,表明Si晶生长所依靠的台阶源并不是螺旋位错形成的;层错堆垛在五角多面体Si晶核生长面{111}上产生高度分别为δ(111)/3和2δ(111)/3的亚台阶,两类亚台阶交替产生的过程为Si晶的生长提供永不消失的台阶源;萃取得到的五星柱状初生Si的完整形貌显示其生长终端界面形态与五角多面体晶核一致,呈五角多面凹坑状;八面体团簇五重凝并形成的五角多面体晶核,以层错在各{111}生长面产生的两类亚台阶为生长台阶源,层层堆砌长大形成五星柱状初生Si。 展开更多
关键词 五星柱状初生si 层状生长迹线 亚台阶生长理论
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基于SIS的实时考核报表系统的开发与应用 被引量:2
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作者 赵玉良 吴文祥 李郁 《热力发电》 CAS 北大核心 2012年第11期77-79,85,共4页
基于火电厂厂级监控信息系统(SIS)开发了实时考核报表系统,解决了小指标考核功能按照月度被考核指标的平均值进行考核不能满足实时监测和调整机组主要运行指标的要求,以及生成考核报表的速度较慢,不便于历史数据的查询,不利于机组的全... 基于火电厂厂级监控信息系统(SIS)开发了实时考核报表系统,解决了小指标考核功能按照月度被考核指标的平均值进行考核不能满足实时监测和调整机组主要运行指标的要求,以及生成考核报表的速度较慢,不便于历史数据的查询,不利于机组的全程考核和运行优化等问题。某电厂采用该系统进行实时考核,实现了对机组运行的优化,提高了机组运行的安全性和经济性。 展开更多
关键词 siS 实时考核报表系统 运行指标 小指标考核 报表生成
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地下水化学组分存在形式及其SI值计算 被引量:13
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作者 郭张军 宋汉周 《资源环境与工程》 2005年第3期200-202,219,共4页
地下水化学组分形式主要为络阴离子和单一离子,但络合物也是地下水化学组成不可忽视的存在形式。络合物的存在对饱和指数SI值具有重要影响。
关键词 地下水 组分存在形式 络合物 饱和指数si
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银纳米线在Si(5512)表面上自组装(英文) 被引量:1
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作者 张晋 曹祥熙 +2 位作者 全武贤 朱永哲 徐载明 《微纳电子技术》 CAS 2002年第10期18-22,共5页
由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5512)表面自组装纳米线的候选材料。本研究试用不同的银覆盖度和退火温度制作高纵横比的银纳米线。当覆盖度为0.1单原子层,先后两次退火温度分别为500℃和600~700℃... 由于银不会在硅表面与硅形成任何硅化物,银线成为在具有排状结构的Si(5512)表面自组装纳米线的候选材料。本研究试用不同的银覆盖度和退火温度制作高纵横比的银纳米线。当覆盖度为0.1单原子层,先后两次退火温度分别为500℃和600~700℃,经缓慢冷却过程,非常规则的银链优先吸附在Si(5512)面的四聚体上,从而形成高纵横比的银纳米线。这一自组装的两步退火过程可理解为:低温退火使吸附的银原子与Si表面结合;高温退火提供银原子扩散到Si表面四聚体位置的能量。 展开更多
关键词 银纳米线 si(5512)表面 自组装 两步退火 纳米材料 低温退火 高温退火
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超高真空磁控溅射Co/Si多层膜的X射线衍射分析 被引量:1
12
作者 马忠元 杨宇 吴兴惠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期489-491,共3页
采用X射线衍射分析表征了磁控溅射方法制备的Co/Si周期多层膜,由带折射修正的布喇格衍射定律导出多层膜周期厚度,对两组折射修正公式的计算结果进行对比,讨论了平均折射车修正值为负的原因,并应用薄膜光学理论分析小角X射线衍射谱... 采用X射线衍射分析表征了磁控溅射方法制备的Co/Si周期多层膜,由带折射修正的布喇格衍射定律导出多层膜周期厚度,对两组折射修正公式的计算结果进行对比,讨论了平均折射车修正值为负的原因,并应用薄膜光学理论分析小角X射线衍射谱中出现的一系列现象。 展开更多
关键词 多层膜 小角衍射 折射率修正值 磁控溅射
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Si原子在Si(001)表面及其台阶附近扩散的分子动力学模拟 被引量:1
13
作者 王昶清 秦臻 +1 位作者 王春雷 贾瑜 《洛阳理工学院学报(自然科学版)》 2008年第2期8-12,17,共6页
采用Stillinger-Weber势,利用分子动力学方法模拟了Si原子在Si(001)表面和该表面单层台阶附近扩散的动力学过程。(1)给出单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散的扩散路径和扩散机制。Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向... 采用Stillinger-Weber势,利用分子动力学方法模拟了Si原子在Si(001)表面和该表面单层台阶附近扩散的动力学过程。(1)给出单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散的扩散路径和扩散机制。Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散能够减弱Si原子在Si(001)表面扩散的各向异性。(2)模拟不仅给出与以往文献中原子从SA台阶下台面扩散到上台面相同的扩散路径而且还给出原子从成键的SB台阶上台面扩散到下台面的一种新的扩散机制:增原子通过与表面原子之间的交换。从而解释实验上观察到的Si(001)表面双层原子台阶形成的机制。无论是单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散还是在Si(001)表面的单层台阶附近扩散,增原子和表面原子之间的交换机制都起着重要的作用。 展开更多
关键词 表面扩散 分子动力学模拟 台阶 si(001)表面 Stillinger—Weber势
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一步法制备BN/Si复合团簇结构
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作者 任书霞 籍凤秋 +1 位作者 王建雷 张光磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期459-464,共6页
以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶。实验结果表明合成温度对BN/S... 以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶。实验结果表明合成温度对BN/Si复合结构形成有重要影响,只有在1250℃以上的温度才会生成BN/Si复合团簇结构,另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物。PL光谱显示复合产物在360 nm的激发下,其发光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)处。 展开更多
关键词 BN/si复合团簇结构 一步法 PL光谱
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CeO2掺杂Si-B复合涂层的制备及氧化行为
15
作者 张勇 张耿飞 +3 位作者 张宇涛 宁璠 晁奕 冯鹏发 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期18035-18038,共4页
采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO 2掺杂前后Si-B复合涂层在1150℃下氧化160 ... 采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO 2掺杂前后Si-B复合涂层在1150℃下氧化160 h的氧化动力学行为。结果表明:适量CeO 2的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO 2掺杂量为1%(质量分数)时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最大且均匀致密,但随着CeO 2掺杂量的增加,涂层厚度有所减小。CeO 2掺杂Si-B复合涂层在1150℃下氧化前70 h的氧化速率常数值(1.48×10-4 mg 2/(cm 4·h))较未掺杂时明显降低,这表明CeO 2掺杂Si-B复合涂层的高温抗氧化性能较好。 展开更多
关键词 两步包埋渗 si-B复合涂层 CEO 2掺杂
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Al-9Si合金中共晶Si生长机制研究
16
作者 许志鹏 周鹏飞 孙瑜 《铸造》 CAS 北大核心 2023年第4期388-393,共6页
亚共晶Al-Si合金中,Si相的生长机制已经有很多研究,但至今仍然存在分歧。利用扫描电镜、透射电镜等手段研究了不同冷却速率下亚共晶Al-Si合金中Si相的三维形貌,以及Si生长末端的形貌及其微观结构。结果表明,随着冷却速率的提高,共晶Si... 亚共晶Al-Si合金中,Si相的生长机制已经有很多研究,但至今仍然存在分歧。利用扫描电镜、透射电镜等手段研究了不同冷却速率下亚共晶Al-Si合金中Si相的三维形貌,以及Si生长末端的形貌及其微观结构。结果表明,随着冷却速率的提高,共晶Si的尺度进一步减小,分枝更为发达,但仍呈板片状。共晶Si的生长末端的特征主要有棱面端部、凹角端部、小面端部。对小面端部的衍射花样分析并没有典型的双斑点衍射花样,因此,提出了台阶凹角机制来解释共晶Si片状生长行为。 展开更多
关键词 AL-si合金 si 机制 生长末端 台阶凹角
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辉光功率对n型a-Si:H薄膜结构及性能的影响
17
作者 殷官超 夏冬林 +2 位作者 马晓 冯晋阳 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期338-342,共5页
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了辉光放电功率对薄膜微结构和光电性能的影响,采用XRD和拉曼散射光谱对薄膜的微... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了辉光放电功率对薄膜微结构和光电性能的影响,采用XRD和拉曼散射光谱对薄膜的微结构进行了表征,薄膜的折射率通过NKD-7000 W光学薄膜系统拟合,薄膜暗电导率利用高阻仪测试。结果表明:在辉光功率30-150 W范围内,所沉积的磷掺杂的硅薄膜为非晶态;非晶态薄膜结构中程有序度随辉光功率的增大先增大后减小,在功率为100 W时非晶硅薄膜中程有序程度最高;薄膜的折射率随着辉光功率的增大先增加后减小,在功率为70 W达到最大值3.7;薄膜暗电导率在100 W最大,其最大值为9.32×10^-3S/cm。 展开更多
关键词 氢化非晶硅薄膜 有序度 折射率 拉曼光谱 暗电导率
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Si(113)表面电子结构的研究
18
作者 张瑞勤 王家俭 +3 位作者 戴国才 吴汲安 张敬平 邢益荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第9期645-652,共8页
采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面... 采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验. 展开更多
关键词 表面悬键态 电子结构
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两步包埋法制备C/C复合材料SiC/Cr-Al-Si涂层研究
19
作者 黄敏 李克智 +3 位作者 李贺军 付前刚 王宇 雒设计 《西安石油大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第2期89-92,共4页
采用两步包埋法在碳/碳复合材料表面制备了SiC/Cr-Al-Si涂层.采用XRD、SEM和EDS分析了涂层的物相组成、微观结构及断面元素分布,测试了双涂层碳/碳复合材料试样在1 500℃静态空气中的抗氧化性能.结果表明:SiC/Cr-Al-Si涂层主要由SiC、Al... 采用两步包埋法在碳/碳复合材料表面制备了SiC/Cr-Al-Si涂层.采用XRD、SEM和EDS分析了涂层的物相组成、微观结构及断面元素分布,测试了双涂层碳/碳复合材料试样在1 500℃静态空气中的抗氧化性能.结果表明:SiC/Cr-Al-Si涂层主要由SiC、AlCr2Si及Al4Si2C三相组成,厚度约为120μm,无穿透性裂纹;与一步包埋法所得SiC涂层相比,SiC/Cr-Al-Si涂层碳/碳复合材料试样的抗氧化性能有所提高,该涂层试样氧化12 h后的失重不超过5%.两步包埋法所得SiC/Cr-Al-Si涂层表面存在微裂纹,并且包埋过程易于使Cr-Al-Si合金成分扩散到SiC涂层内部,从而无法形成内SiC涂层、外Cr-Al-Si涂层的双层涂层结构,降低了Cr-Al-Si合金涂层对C/C复合材料基体的高温氧化保护效果. 展开更多
关键词 碳/碳复合材料 两步包埋法 抗氧化涂层 siC涂层 Cr—Al-si涂层
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低压MOCVD法生长GaAs/Si单晶膜及膜的特性研究
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作者 尹民 楼立人 尾锅研太郎 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期228-231,共4页
本文通过低压MOCVD方法,采用改进的两步法工艺,即基片表面的高温处理一生长过渡层-退火-外延生长-退火工艺,在向[011]方向偏3°的Si(100)衬底上生长了GaAs膜,并对外延膜进行了X射线衍射,喇曼散射和... 本文通过低压MOCVD方法,采用改进的两步法工艺,即基片表面的高温处理一生长过渡层-退火-外延生长-退火工艺,在向[011]方向偏3°的Si(100)衬底上生长了GaAs膜,并对外延膜进行了X射线衍射,喇曼散射和光致发光分析.发现X射线衍射曲线光滑尖锐,无杂峰,(400)峰的摇摆曲线很锐,喇曼散射谱中TO峰与LO峰的强度比lTO/lLO很小,光致发光谱的半峰宽只有12.4meV,说明在Si上异质外延的GaAs单晶膜具有相当好的质量. 展开更多
关键词 MOCVD 砷化镓 单晶 薄膜 生长
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