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锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
1
作者
孙静静
邹志强
+2 位作者
王丹
赵明海
陈礼
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期564-568,共5页
采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度...
采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代。随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合。
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关键词
扫描隧道显微镜(STM)
Si(100)
-
2×1重构表面
纳米线
棒状物
三维岛状硅化物
原文传递
题名
锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
1
作者
孙静静
邹志强
王丹
赵明海
陈礼
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院
上海交通大学分析测试中心
上海交通大学物理系
上海交通大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期564-568,共5页
基金
上海市科委基础研究重点项目(No.07JC14026)
文摘
采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代。随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合。
关键词
扫描隧道显微镜(STM)
Si(100)
-
2×1重构表面
纳米线
棒状物
三维岛状硅化物
Keywords
scanning tunneling microscopy ( STM )
Si ( 100 )
-
2 × 1 restructed surface
nanowire
stick - like manganese silicide
3D
silicide
island
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
O613.72 [理学—无机化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长
孙静静
邹志强
王丹
赵明海
陈礼
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
原文传递
已选择
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参考文献
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