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亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计(英文)
1
作者
殷华湘
徐秋霞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1267-1274,共8页
描述了一种用综合性方法设计的亚 5 0 nm自对准双栅 MOSFET,该结构能够在改进的主流 CMOS技术上实现 .在这种方法下 ,由于各种因素的影响 ,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制 .同时 ,侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表...
描述了一种用综合性方法设计的亚 5 0 nm自对准双栅 MOSFET,该结构能够在改进的主流 CMOS技术上实现 .在这种方法下 ,由于各种因素的影响 ,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制 .同时 ,侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应 .建立了关于这种效应的模型 ,并提供了相关的设计指导 .另外 ,还讨论了一种新型的沟道掺杂设计 ,命名为 SCD.利用 SCD的 DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡 .最后 ,总结了制作一个 SADG
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关键词
亚
50
nm
自对准双栅
mosfet
结构设计
侧墙效应
SCD
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职称材料
考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型
2
作者
张大伟
章浩
+1 位作者
余志平
田立林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期12-15,88,共5页
在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一...
在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。
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关键词
二维量子力学效应
WKB理论
全解析电荷模型
亚
50
纳米
金属氧化物半导体场效应晶体管
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职称材料
二维量子力学效应对阈值电压的影响
3
作者
张婷
代月花
高珊
《电脑知识与技术(过刊)》
2007年第20期494-495,共2页
在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量...
在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.
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关键词
二维量子力学效应
WKB理论
全解析模型
亚
50
nm
mosfet
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职称材料
题名
亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计(英文)
1
作者
殷华湘
徐秋霞
机构
中国科学院微电子中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1267-1274,共8页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 10 )
国家"973"资助项目~~
文摘
描述了一种用综合性方法设计的亚 5 0 nm自对准双栅 MOSFET,该结构能够在改进的主流 CMOS技术上实现 .在这种方法下 ,由于各种因素的影响 ,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制 .同时 ,侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应 .建立了关于这种效应的模型 ,并提供了相关的设计指导 .另外 ,还讨论了一种新型的沟道掺杂设计 ,命名为 SCD.利用 SCD的 DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡 .最后 ,总结了制作一个 SADG
关键词
亚
50
nm
自对准双栅
mosfet
结构设计
侧墙效应
SCD
Keywords
double gate
mosfet
structure design
sidewall effect
SCD
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型
2
作者
张大伟
章浩
余志平
田立林
机构
清华大学微电子学研究所
清华大学电子信息工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期12-15,88,共5页
文摘
在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。
关键词
二维量子力学效应
WKB理论
全解析电荷模型
亚
50
纳米
金属氧化物半导体场效应晶体管
Keywords
D QM effects
W KB the ory
fully analytical charge model
sub-
50
nm
mosfets
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
二维量子力学效应对阈值电压的影响
3
作者
张婷
代月花
高珊
机构
安徽大学电子科学与技术学院
出处
《电脑知识与技术(过刊)》
2007年第20期494-495,共2页
基金
安徽省教育厅自然科学研究重点项目(2006kj012a)
文摘
在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.
关键词
二维量子力学效应
WKB理论
全解析模型
亚
50
nm
mosfet
Keywords
2-D QM effects
WKB theory
fully analytical model
sub-50 nm mosfets
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计(英文)
殷华湘
徐秋霞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
2
考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型
张大伟
章浩
余志平
田立林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
3
二维量子力学效应对阈值电压的影响
张婷
代月花
高珊
《电脑知识与技术(过刊)》
2007
0
下载PDF
职称材料
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