亚微米晶Cu-5%Cr冷拉拔后的回复再结晶及热稳定性

通过对冷拉拔的亚微米晶Cu-5%Cr丝材进行退火及高温热处理,研究其回复与再结晶、组织与性能的变化及其热稳定性。采用透射电镜(TEM)分析了退火后Cu-5%Cr的组织结构,并对其进行了硬度和导电性的测试。结果表明,冷拉拔的亚微米晶Cu-5%Cr丝材退火处理时析出大量的Cr相颗粒,Cu基体发生了回复和再结晶,其再结晶温度是在480℃～560℃范围内,其导电率在退火温度为550℃左右出现峰值。冷拉拔的亚微米晶Cu-5%Cr丝材在600℃以上热处理,硬度趋于稳定,其组织也比较稳定。在800℃热处理时,Cu晶粒虽有所长大,但其晶粒尺寸仍保持在500 nm～600 nm。这主要是因为Cr相颗粒有阻碍Cu晶粒长大的作用。同时发现,拉拔变形量大的在热处理时再结晶形核数量多,晶粒更细小。

线形结构的ZnO生长与光致发光特性研究

采用模板生长法在Si衬底上制备了具有线形结构的ZnO。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、AFM、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的线形ZnO为六方纤锌矿型晶体结构，线宽度大约为1μm，长度约10-30μm，具有良好的发光特性。我们对这种线形结构的形成作了推测。

亚微米级CuS线的源模板路线合成

本文报道了一种新颖的制备CuS亚微米线的方法。利用含铜元素的前驱体在固态时具有线性结构的特点,首先用新制的CuCl和4,4'-联吡啶反应制得前驱体,再用此前驱体作为反应物和模板,与Na2S·9H2O混合研磨而获得CuS亚微米线。

金属薄膜导线的亚微米局域电导率精确测量技术

作为薄膜器件最重要物理量之一的局域电导率的定量测定,能在保证性能、提高成品率、完善制作工艺等方面起关键作用。利用基于原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)的4电极微探针局域电导率测量技术,精确测量厚度为350nm、宽度分别为50.0μm、25.0μm、5.0μm、2.0μm及600nm、纯度为99.999%的铝薄膜导线的电导率。由于被测试件宽度和厚度方向的尺寸明显缩小且十分接近电极的最小间距,综合考虑电极尺寸、不同批次电极的加工精度和加工参数、4个电极间的位置误差等几个影响测量精度的因素,修正电导率的计算模型并将传统4电极电导率测量法的应用领域拓展到亚微米级微观尺度。试验结果证明基于AFM的4电极微探针技术在亚微米级局域电导率测量方面的能力。

深亚微米集成电路设计中的互连线延迟问题

深亚微米集成电路的互连线延迟是设计中需十分重视并必须解决的问题。本文讨论了影响互连线延迟的因素并对深亚微米物理设计的关键步骤中如何考虑并解决互连线延迟问题进行叙述和讨论。

一种0.18μm特大规模芯片快速收敛的设计方法

在0.18μm下,时序收敛的关键是互连线延时问题。文章介绍了一种时序快速收敛的RTL到GDSII的设计方法,该方法有效地消除了逻辑综合和物理设计之间的迭代。采用一个450万门超大规模DSP芯片设计验证了该方法。实例设计结果表明,这种新的方法不但有效地解决了互连线时延的问题,而且缩短了芯片的设计周期。

玻璃表面嵌入式亚微米金属线的制备

提出了一种在玻璃表面制备嵌入式亚微米金属线的方法。首先利用飞秒激光直写技术在玻璃表面烧蚀出亚微米线宽的凹槽,然后采用连续流化学镀工艺在样品表面沉积金属薄膜,再经过热处理和机械抛光,可实现玻璃表面嵌入式亚微米线宽金属结构的可控制备。将飞秒激光烧蚀的阈值效应与连续流化学镀相结合,可制备出最小线宽约为0.66μm的金属银线。四探针法测试结果表明,制备的亚微米金属银线具有良好的导电性,其电阻率约为体积银电阻率的1.2倍。