基于BCD工艺的局部电荷补偿超结LDMOS

针对功率集成电路中的高压器件应用,提出一种局部电荷补偿超结横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件结构。利用常规LDMOS工艺,通过调整n阱的版图尺寸,在漏区形成局部的电荷补偿,可以缓解横向超结器件中存在的衬底辅助耗尽效应,促进超结的电荷平衡。n型电荷补偿区与p型衬底在超结下方形成pn结,可以同时优化横向和纵向电场分布,提高超结器件的耐压。此器件结构可以通过BCD工艺实现,适用于功率集成电路。三维器件仿真结果表明,新结构的器件耐压达到490 V,较常规的电荷补偿超结器件提高了53%。