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共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题
被引量:
8
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作者
张世林
郭维廉
+4 位作者
梁惠来
侯志娟
牛萍娟
赵振波
郭辉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期329-333,共5页
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
关键词
共振隧穿二极管
RTD
I-V特性
负阻伏安特性
开关时间
下载PDF
职称材料
题名
共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题
被引量:
8
1
作者
张世林
郭维廉
梁惠来
侯志娟
牛萍娟
赵振波
郭辉
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期329-333,共5页
基金
国防科技重点实验室基金资助项目 (NO.99JSO2 .4.2 JW14 0 3 )
文摘
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
关键词
共振隧穿二极管
RTD
I-V特性
负阻伏安特性
开关时间
Keywords
resonant tunneling diodes
negative resistance I V characteristics
switc hing time
分类号
TN313.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题
张世林
郭维廉
梁惠来
侯志娟
牛萍娟
赵振波
郭辉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
8
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