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Measurement of Electron Affinity of Atomic Lutetium via the Cryo-SEVI Method
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作者 Xiao-xi Fu Ru-lin Tang +1 位作者 Yu-zhu Lu Chuan-gang Ning 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2019年第2期187-192,I0002,共7页
Electron affinities (EAs) of most lanthanide elements still remain unknown due to their relatively low EA values. In the present work, the cryogenically controlled ion trap is used for accumulating atomic lutetium ani... Electron affinities (EAs) of most lanthanide elements still remain unknown due to their relatively low EA values. In the present work, the cryogenically controlled ion trap is used for accumulating atomic lutetium anion Lu^-, which makes the measurement of electron affinity of lutetium become practicable. The high-resolution photoelectron spectra of Lu^- are obtained via the slow-electron velocity-map imaging method. The electron affinity of Lu is determined to be 1926.2(50) cm^-1 or 0.23882(62) eV. In addition, two excited states of Lu^- are observed. 展开更多
关键词 electron affinity Cryogenically controlled ion trap Lutetium anion
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用异质结构控制GaN阴极电子发射 被引量:1
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期517-523,560,共8页
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电势剪裁成半导体阴极所需的陡直下降的电势结构,进一步深入研究了双势垒异质结的电场结构,发现外面的异质结能屏蔽里面异质结的势垒。利用这种双势垒异质结的屏蔽效应设计出可由偏压直接控制电子亲合势的异质结构,从而为半导体阴极开辟出一条新的研究途径。 展开更多
关键词 半导体阴极 铝镓氮 氮化镓异质结中的屏蔽效应 阴极表面电势剪裁 偏压控制电子亲合势的阴极
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