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Temperature coefficient of resistivity of TiAlN films deposited by radio frequency magnetron sputtering 被引量:4
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作者 Min-Ho PARK Sang-Ho KIM 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第2期433-438,共6页
Titanium aluminum nitride (TiAlN) film, as a possible substitute for the conventional tantalum nitride (TAN) or tantalum-aluminum (TaAl) heater resistor in inkjet printheads, was deposited on a Si(100) substra... Titanium aluminum nitride (TiAlN) film, as a possible substitute for the conventional tantalum nitride (TAN) or tantalum-aluminum (TaAl) heater resistor in inkjet printheads, was deposited on a Si(100) substrate at 400 ℃ by radio frequency (RF) magnetron co-sputtering using titanium nitride (TIN) and aluminum nitride (AlN) as ceramic targets. The temperature coefficient of resistivity (TCR) and oxidation resistance, which are the most important properties of a heat resistor, were studied depending on the plasma power density applied during sputtering. With the increasing plasma power density, the crystallinity, grain size and surface roughness of the applied film increased, resulting in less grain boundaries with large grains. The Ti, Al and N binding energies obtained from X-ray photoelectron spectroscopy analysis disclosed the nitrogen deficit in the TiAlN stoichiometry that makes the films more electrically resistive. The highest oxidation resistance and the lowest TCR of-765.43×10^-6 K-l were obtained by applying the highest plasma power density. 展开更多
关键词 inkjet printhead TIALN radio frequency magnetron sputtering temperature coefficient of resistivity
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Influence of Temperature and Frequency on Minority Carrier Diffusion Coefficient in a Silicon Solar Cell under Magnetic Field 被引量:2
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作者 Seydina Diouf Mor Ndiaye +8 位作者 Ndeye Thiam Youssou Traore Mamadou Lamine Ba Ibrahima Diatta Marcel Sitor Diouf Oulimata Mballo Amary Thiam Ibrahima Ly Grégoire Sissoko 《Energy and Power Engineering》 2019年第10期355-361,共7页
In this study, the effects of temperature and frequency on minority carrier diffusion coefficient in silicon solar cell under a magnetic field are presented. Using two methods (analytic and graphical), the optimum tem... In this study, the effects of temperature and frequency on minority carrier diffusion coefficient in silicon solar cell under a magnetic field are presented. Using two methods (analytic and graphical), the optimum temperature corresponding to maximum diffusion coefficient is determined versus cyclotronic frequency and magnetic field. 展开更多
关键词 SOLAR Cell DIFFUSION coefficient temperature Magnetic Field frequency
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Temperature Dependence of Osciliating Frequency of an Electrode-Separated Piezoelectric Sensor
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作者 康琪 张利 +1 位作者 冯业铭 申大忠 《International Journal of Mining Science and Technology》 SCIE EI 1997年第1期47-52,共6页
In this paper, the dependences of the frequeucy-temperature coefficient (df/dt) of an electrode-sepa-rated piezolectric sensor(ESPS) on desity, viscosity, permittivity and conductivity of the solution to be tested wer... In this paper, the dependences of the frequeucy-temperature coefficient (df/dt) of an electrode-sepa-rated piezolectric sensor(ESPS) on desity, viscosity, permittivity and conductivity of the solution to be tested were investigated’ A comparison of the frequency -temperature coefficient between the ESPS and a conwentioal piezoelectric quartz crystal was made, In a nou-electrolyte liquid, the df/dt)walwe of the ESPS increases with the increase of viscosity, density and permittivity of the liquid There is df/dt>0 in low or high conductivity solutions, but df/dt>0 in middle conductivity solution.And two zoues where df/dt is approximately equal to zero are observed in electrolyte 展开更多
关键词 PIEZOELECTRIC chemical sensor temperature coefficient OSCILLATING frequency liquid properties
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Research on frequency-temperature compensated sapphire-SrTiO_3 loaded cavity for hydrogen maser
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作者 Wang Nuanrang Zhou Tiezhong +2 位作者 Gao Lianshan Yang Chuntao Feng Keming 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 2009年第4期711-717,共7页
To obtain frequency-temperature compensation in a sapphire loaded cavity for hydrogen maser, a dielectric named SrTiO3 is employed whose temperature coefficient of permittivity is opposite to that of sapphire. Based o... To obtain frequency-temperature compensation in a sapphire loaded cavity for hydrogen maser, a dielectric named SrTiO3 is employed whose temperature coefficient of permittivity is opposite to that of sapphire. Based on theoretical analysis and computer simulation, a TE011 mode of a sapphire loaded cavity associated with two small rings of SrTiO3 with different thickness is solved, and the useful parameters that influence the temperature coefficient of cavity are calculated. Finally an experiment is brought forward and its results are very close to the computing results. When the thickness of SiTiO3 dielectric is 7 mm and the diameter is 17 mm in configuration b, the temperature coefficient of cavity is decreased from -58.8 kHz/K to -8.2 kHz/K and the quality factor is 40248. 展开更多
关键词 atomic hydrogen maser frequency-temperature compensation sapphire loaded cavity temperature coefficient.
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Effects of Material and Dimension on TCF,Frequency,and Q of Radial Contour Mode AlN-on-Si MEMS Resonators 被引量:2
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作者 Thi Dep Ha 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS CSCD 2021年第4期319-334,共16页
This paper investigates the effects of material and dimension parameters on the frequency splitting,frequency drift,and quality factor(Q)of aluminium nitride(AlN)-on-n-doped/pure silicon(Si)microelectromechanical syst... This paper investigates the effects of material and dimension parameters on the frequency splitting,frequency drift,and quality factor(Q)of aluminium nitride(AlN)-on-n-doped/pure silicon(Si)microelectromechanical systems(MEMS)disk resonators through analysis and simulation.These parameters include the crystallographic orientation,dopant,substrate thickness,and temperature.The resonators operate in the elliptical,higher order,and flexural modes.The simulation results show that i)the turnover points of the resonators exist at 55°C,-50°C,40°C,and-10°C for n-doped silicon with the doping concentration of 2×1019 cm-3 and the Si thickness of 3.5μm,and these points are shifted with the substrate thickness and mode variations;ii)compared with pure Si,the modal-frequency splitting for n-doped Si is higher and increases from 5%to 10%for all studied modes;iii)Q of the resonators depends on the temperature and dopant.Therefore,the turnover,modal-frequency splitting,and Q of the resonators depend on the thickness and material of the substrate and the temperature.This work offers an analysis and design platform for high-performance MEMS gyroscopes as well as oscillators in terms of the temperature compensation by n-doped Si. 展开更多
关键词 Anisotropic contour mode doping GYROSCOPE microelectromechanical systems(MEMS)resonator PIEZOELECTRIC temperature coefficient of frequency(tcf) temperature compensation thin-film piezoelectric-on-substrate(TPoS)
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AC Back Surface Recombination Velocity as Applied to Optimize the Base Thickness under Temperature of an (n+-p-p+) Bifacial Silicon Solar Cell, Back Illuminated by a Light with Long Wavelength
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作者 Khady Loum Ousmane Sow +7 位作者 Gora Diop Richard Mane Ibrahima Diatta Malick Ndiaye Sega Gueye Moustapha Thiame Mamadou Wade Gregoire Sissoko 《World Journal of Condensed Matter Physics》 CAS 2023年第1期40-56,共17页
The bifacial silicon solar cell, placed at temperature (T) and illuminated from the back side by monochromatic light in frequency modulation (ω), is studied from the frequency dynamic diffusion equation, relative to ... The bifacial silicon solar cell, placed at temperature (T) and illuminated from the back side by monochromatic light in frequency modulation (ω), is studied from the frequency dynamic diffusion equation, relative to the density of excess minority carriers in the base. The expressions of the dynamic recombination velocities of the minority carriers on the rear side of the base Sb1(D(ω, T);H) and Sb2(α, D(ω, T);H), are analyzed as a function of the dynamic diffusion coefficient (D(ω, T)), the absorption coefficient (α(λ)) and the thickness of the base (H). Thus their graphic representation makes it possible to go up, to the base optimum thickness (Hopt(ω, T)), for different temperature values and frequency ranges of modulation of monochromatic light, of strong penetration. The base optimum thickness (Hopt(ω, T)) decreases with temperature, regardless of the frequency range and allows the realization of the solar cell with few material (Si). 展开更多
关键词 Bifacial Silicon Solar Cell Absorption coefficient frequency temperature Recombination Velocity Optimum Thickness
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基于空耦超声激励的微结构模态频率温度特性研究
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作者 佘东生 于震 田江平 《国外电子测量技术》 2024年第6期127-133,共7页
为了研究微悬臂结构弯曲振动模态频率的温度特性,首先针对各向异性材料的等截面矩形微悬臂结构建立了其各阶模态频率温度系数的理论模型;然后搭建了包括激光测振单元、空耦超声激励单元和温度控制单元的非接触式微结构动态特性测试系统... 为了研究微悬臂结构弯曲振动模态频率的温度特性,首先针对各向异性材料的等截面矩形微悬臂结构建立了其各阶模态频率温度系数的理论模型;然后搭建了包括激光测振单元、空耦超声激励单元和温度控制单元的非接触式微结构动态特性测试系统;最后利用所搭建的测试系统分别对等截面矩形单晶硅微悬臂梁在室温~300℃时的动态特性进行了测试,获得了微悬臂梁前三阶弯曲振动模态频率随温度的变化规律和频率温度系数。研究结果表明,单晶硅微悬臂梁前三阶弯曲振动模态频率随着温度的升高而呈近似线性的减小,并且微悬臂梁前三阶弯曲振动模态具有几乎相同的频率温度系数,其中一阶模态频率的温度系数为-2.18×10-5/℃,二阶模态频率的温度系数为-1.91×10^(-5)/℃,三阶模态频率的温度系数为-2.01×10^(-5)/℃,前三阶模态频率温度系数的测试结果与理论模型预测值的偏差分别3×10^(-7)/℃,3×10^(-6)/℃和2×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 空耦超声激励 微结构 频率温度系数 弯曲振动模态
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轴向应变放大式谐振温度传感器研究
8
作者 滕飞 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第6期111-116,共6页
试验机专用改装系统成为开展民机适航、审定试飞的重要手段之一。为进一步提升系统性能,满足高精度高可靠性要求,该文提出一种基于轴向应变放大结构的谐振式温度传感器。基于应变放大结构建立频率-温度模型,推导频率温度系数作为衡量灵... 试验机专用改装系统成为开展民机适航、审定试飞的重要手段之一。为进一步提升系统性能,满足高精度高可靠性要求,该文提出一种基于轴向应变放大结构的谐振式温度传感器。基于应变放大结构建立频率-温度模型,推导频率温度系数作为衡量灵敏度的物理量。为降低理论模型与仿真模型的相对误差,该文进行仿真分析与误差修正,将二者误差降低至0.5%。测试结果表明,当外界温度在273~293 K范围内变化时,器件的频率温度系数为13104×10^(−6)K^(-1),仿真结果为12935×10^(−6)K^(-1),二者相比,相对误差为1.3%。与以往谐振式温度传感器比较,相对灵敏度最大提高了83倍。该结构可用于高灵敏度谐振式温度传感器的优化设计,满足试验机改装系统的应用需求。 展开更多
关键词 轴向应变放大 频率温度系数 谐振式温度传感器 高灵敏度
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高频低温漂TC-SAW滤波器的设计 被引量:1
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作者 王巍 滕洪菠 +3 位作者 王方 张迎 袁军 宋小瑛 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期544-548,553,共6页
该文设计了一款温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器,建立了弹性材料及压电材料温度方程,对滤波器的温度场进行仿真分析。通过在压电材料(128°YX-LiNbO3)上沉积SiO2作为温度补偿层,降低了滤波器的频率温度系数。为了解决在沉积SiO2... 该文设计了一款温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器,建立了弹性材料及压电材料温度方程,对滤波器的温度场进行仿真分析。通过在压电材料(128°YX-LiNbO3)上沉积SiO2作为温度补偿层,降低了滤波器的频率温度系数。为了解决在沉积SiO2温度补偿层后,谐振器的反谐振频率处出现杂散响应,通过增加电极厚度,降低了谐振器杂散响应对滤波器性能的影响。采用四阶级联提高滤波器的带外抑制。仿真结果表明,设计的TC-SAW滤波器中心频率为2497 MHz,频率温度系数为-9.89×10^(-6)/℃,-30~85℃工作温度范围内的带内最大插损为1.95 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于97 MHz。 展开更多
关键词 TC-SAW滤波器 谐振器 频率温度系数 电极厚度 SiO2温度补偿层
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高性能温补型薄膜体声波滤波器的研制
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作者 刘娅 陈凤 +4 位作者 黄晶 黄龙 吕峻豪 孙明宝 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第6期795-799,共5页
该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真,在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的TC-FBAR滤... 该文研制了一种高性能温补型薄膜体声波谐振(TC-FBAR)滤波器。采用COMSOL软件对高性能温补型结构的谐振器进行建模和仿真,在常规一维Mason等效电路模型的基础上进行修正,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的TC-FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出温补型FBAR滤波器芯片,同时在常规TC-FBAR基础上制备空气桥和凸起层结构,得到双空气桥结构的高性能TC-FBAR滤波器。测试结果表明,滤波器的中心频率为2.43 GHz,最小插损为1.02 dB,1 dB带宽为70.5 MHz,频率温度系数为1.82×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 温补型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR) 滤波器 温补层 频率温度系数(tcf)
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微波介质材料谐振频率温度系数调控的研究现状与展望
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作者 陈德钦 曹雪凤 +2 位作者 黎峰荣 崔永葆 李纯纯 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第22期23-35,共13页
无线通信技术的发展离不开微波介质材料。温度稳定性是微波元器件的主要性能参数之一,近零的谐振频率温度系数(τf)可以减少中心谐振频率的漂移。众多国内外学者已经从固溶、复合、叠层等手段对谐振频率温度系数进行了深入研究。本文重... 无线通信技术的发展离不开微波介质材料。温度稳定性是微波元器件的主要性能参数之一,近零的谐振频率温度系数(τf)可以减少中心谐振频率的漂移。众多国内外学者已经从固溶、复合、叠层等手段对谐振频率温度系数进行了深入研究。本文重点从谐振频率温度系数的调控手段方面,介绍了氧八面体倾斜/畸变、键价等相关理论,分别综述了国内外学者在谐振频率温度系数调控领域的研究进展,对各调控方法的特点进行了详细阐述,最后展望了近零谐振频率温度系数相关研究的发展方向和开放性课题。 展开更多
关键词 微波介质材料 谐振频率温度系数 谐振器 陶瓷
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橄榄石型微波介质陶瓷的研究进展
12
作者 苏聪学 郑俊豪 +3 位作者 李纯纯 敖来远 覃杏柳 方亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1-10,共10页
随着通信技术趋向毫米波段方向发展,橄榄石微波介质陶瓷因其介电常数(ε_(r))低、品质因数(Q×f)高以及谐振频率温度系数(τ_(f))从负到正系列化分布而备受关注,并有望从橄榄石中发掘出低ε_(r)、低损耗、高稳定性、可调制的自主创... 随着通信技术趋向毫米波段方向发展,橄榄石微波介质陶瓷因其介电常数(ε_(r))低、品质因数(Q×f)高以及谐振频率温度系数(τ_(f))从负到正系列化分布而备受关注,并有望从橄榄石中发掘出低ε_(r)、低损耗、高稳定性、可调制的自主创新微波介质陶瓷材料。本文介绍了橄榄石陶瓷的晶体结构与制备工艺,从降温烧结、材料复合改性和离子置换改性等角度综述了橄榄石型硅酸盐、锗酸盐和磷酸盐的研究进展,并着重从影响τ_(f)值和Q×f值的结构因素来分析Li基橄榄石存在的问题,最后对橄榄石型Li基硅酸盐微波介质陶瓷的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 橄榄石 低介电 谐振频率温度系数 品质因数
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薄膜体声波谐振器温度-频率漂移特性分析 被引量:3
13
作者 周斌 高杨 +2 位作者 何移 李君儒 何婉婧 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期171-175,共5页
薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典... 薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo结构的FBAR进行温度-频率漂移特性的仿真,在-50^+150℃温度范围内得到其温度频率系数为-33.6×10-6/℃。通过在FBAR结构中添加一层正温度系数的补偿层,分析了补偿层厚度对FBAR温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计的温度补偿FBAR其温度频率系数为0.872×10-6/℃,比未添加补偿层时有很大改善。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器 温度-频率漂移 温度频率系数 谐振频率 机电耦合 有限元分析
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AT切石英谐振器频率温度系数的研究 被引量:10
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作者 田文杰 路峻岭 +1 位作者 张福学 张伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1-3,共3页
分析了AT切石英谐振器的频率温度系数与晶体弹性模量、密度、尺寸及环境因素间的关系.引进了1~3阶频率温度系数的修正系数,解释了频率温度系数的变化问题.结果表明,对切角及环境因素进行控制,可使石英晶体谐振器的频率–温度特性满足工... 分析了AT切石英谐振器的频率温度系数与晶体弹性模量、密度、尺寸及环境因素间的关系.引进了1~3阶频率温度系数的修正系数,解释了频率温度系数的变化问题.结果表明,对切角及环境因素进行控制,可使石英晶体谐振器的频率–温度特性满足工程的需要. 展开更多
关键词 石英谐振器 频率温度系数 环境因素控制 修正系数 AT切石英晶体
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高介电常数微波介质陶瓷材料的研究现状 被引量:16
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作者 王光辉 梁小平 +1 位作者 史奕同 陆青 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期312-317,共6页
综述了微波介质陶瓷材料特性、影响因素及高介电常数微波介质陶瓷材料的发展现状,讨论了提高微波介质材料性能的途径。分别介绍三类高介电常数微波介质陶瓷的研究现状,并探讨了微波介质陶瓷今后的发展趋势。
关键词 微波陶瓷 介电常数 品质因数 谐振频率温度系数
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同轴相位法井下原油含水率温度特性的实验研究 被引量:8
16
作者 刘翠玲 李亮亮 王进旗 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第3期82-84,共3页
针对同轴相位找水仪,用理论计算与实验分析结合法研究了介质温度对仪器测量含水率响应的特性。相同含水率下,同轴相位含水率计的输出随介质温度升高而降低;而且含水率越高,降低幅度越大;含水率低于20%时,仪器输出受温度影响较小。应用... 针对同轴相位找水仪,用理论计算与实验分析结合法研究了介质温度对仪器测量含水率响应的特性。相同含水率下,同轴相位含水率计的输出随介质温度升高而降低;而且含水率越高,降低幅度越大;含水率低于20%时,仪器输出受温度影响较小。应用研究结果对解释模型进行温度补偿。 展开更多
关键词 温度 介电常数 含水率 仪器频率响应
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微波介质陶瓷分类及各体系研究进展 被引量:11
17
作者 贾琳蔚 李晓云 +1 位作者 丘泰 贾杪蕾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期10-13,29,共5页
根据介电常数的大小将微波介质陶瓷归为低介、中介和高介3类,总结了国内外目前研究较多的各种体系的晶体结构和介电性能以及现有的不足之处和改性情况,重点介绍了低介中的A(B′1/3B″2/3)O3系、中介中的BaO-TiO2系以及高介中的(A′1-xA... 根据介电常数的大小将微波介质陶瓷归为低介、中介和高介3类,总结了国内外目前研究较多的各种体系的晶体结构和介电性能以及现有的不足之处和改性情况,重点介绍了低介中的A(B′1/3B″2/3)O3系、中介中的BaO-TiO2系以及高介中的(A′1-xA″x)BO3系的研究进展,并讨论了微波介质陶瓷的发展趋势。 展开更多
关键词 介电常数 介质损耗 品质因数 谐振频率温度系数
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一种窄带温补型声表面波滤波器 被引量:2
18
作者 冷俊林 董加和 +7 位作者 陆川 陈运祥 李桦林 陈尚权 彭霄 寇俊 唐永红 米佳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第1期67-70,共4页
该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进... 该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1360 MHz,在-55~85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10^-6/℃,插入损耗约1.3 dB。 展开更多
关键词 声表面波滤波器 温补型声表面波 频率温度系数
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CTLA陶瓷微波介电性能及烧结特性研究 被引量:11
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作者 方有维 刘林 +2 位作者 庄文东 唐斌 张树人 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期288-292,共5页
采用固相反应法制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3(CTLA)陶瓷,研究了CTLA陶瓷的物相组成、烧结特性及微波介电特性。结果表明,CTLA陶瓷只含有Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3主晶相,不存在第二相。烧结温度在1 380~1 450℃间,陶瓷的微波介电性... 采用固相反应法制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3(CTLA)陶瓷,研究了CTLA陶瓷的物相组成、烧结特性及微波介电特性。结果表明,CTLA陶瓷只含有Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3主晶相,不存在第二相。烧结温度在1 380~1 450℃间,陶瓷的微波介电性能最佳,介电常数εr=44.5,频率温度系数τf≈0,品质因数与频率之积Q×f≈43 948GHz。当w(Nb2O5)=10%时能使陶瓷致密化烧结温度降到1 300℃,但微波性能变差,εr=38.3,τf=-2.8×10-6/℃,Q×f=13 260GHz。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3 介电常数 品质因数 频率温度系数
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检测电流型电子式电压互感器的开发及精度分析 被引量:5
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作者 曹志辉 周有庆 +2 位作者 吴涛 彭红海 彭春燕 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期179-184,共6页
提出了一种高压电容器串接精密电流传感器,通过测量流经电容器的电流来反映一次电压变化的方法。精密电流传感器副边的感应电流经二次处理电路后可输出一个与一次高压成线性变化的电压信号,从而构成了基于检测电容电流型电子式电压互感... 提出了一种高压电容器串接精密电流传感器,通过测量流经电容器的电流来反映一次电压变化的方法。精密电流传感器副边的感应电流经二次处理电路后可输出一个与一次高压成线性变化的电压信号,从而构成了基于检测电容电流型电子式电压互感器。高压电容器和精密电流传感器放置于开关站场地,通过铜导线将二次电流引入控制室,其它电子器件组装于机箱内放置在控制室以输出二次电压。针对影响电子式电压互感器的因素进行了分析,并对互感器做了相应的改进。文中提出的电子式电压互感器结构简单、体小质轻、无铁磁谐振、无须油箱及其绝缘介质,实验结果表明,其具有测量精度高、响应速度快、抗干扰能力强和工作稳定可靠等优点。 展开更多
关键词 电子式电压互感器 电流–电压变换 分布电容 频率波动 温度系数
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