Effect of Non-Uniform Temperature Gradient on the Onset of Rayleigh-Bénard Electro Convection in a Micropolar Fluid

The effects of electric field and non-uniform basic temperature gradient on the onset of Rayleigh-Bénard convection in a micropolar fluid are studied using the Galerkin technique. The eigenvalues are obtained for free-free, rigid-free and rigid-rigid velocity boundary combinations and for isothermal and/or adiabatic temperature boundaries. The microrotation is assumed to vanish at the boundaries. A linear stability analysis is performed. The influence of various micropolar fluid parameters and electric Rayleigh number on the onset of convection has been analyzed. One linear and five non-uniform temperature profiles are considered and their comparative influence on onset is discussed.

Effect of Non-Uniform Basic Temperature Gradient on the Onset of Rayleigh-Bénard-Marangoni Electro-Convectionin a Micropolar Fluid

The effects of electric field and non-uniform basic temperature gradient on the onset of Rayleigh-Bénard-Marangoni convection in a micropolar fluid are studied using the Galerkin technique. The eigenvalues are obtained for an upper free/adiabatic and lower rigid/isothermal boundaries. The microrotation is assumed to vanish at the boundaries. A linear stability analysis is performed. The influence of various micropolar fluid parameters and electric Rayleigh number on the onset of convection has been analysed. Six different non-uniform temperature profiles are considered and their comparative influence on onset is discussed.

CaF_2晶体的生长与光学性能

采用导向温度梯度法(TGT)生长CaF2晶体,建立了生长炉内的垂直温度梯度场。研究表明影响晶体质量及光学性能的主要因素包括坩埚材料、温度场、生长程序及原料纯度等。从大量的实验中总结出TGT法生长高质量CaF2晶体的生长条件如下:石墨坩埚;轴向梯度≤2℃/mm;生长降温速率1.5～2.5℃/h;冷却速率≤40℃/h。

γ-LiAlO_2晶体的退火研究

利用温度梯度法生长出了透明的γ LiAlO2 单晶 ,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的 ( 0 0 1 )晶片表面结构的影响。结果表明 :1 1 0 0℃ / 70h空气和真空中的退火处理使γ LiAlO2 晶片表层变成LiAl5O8多晶 ,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发 。

γ-LiAlO_2晶体生长挥发和腐蚀研究

本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ LiAlO2 晶体 ,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程 ,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2 多晶体 ,中部 [10 0 ]方向自由结晶形成了单一透明的γ LiAlO2 晶体 ,下部为钼金属颗粒 ,蓝宝石籽晶被严重污染 ;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2

温梯法生长掺碳强韧化蓝宝石单晶的研究

研究了温梯法生长不同浓度石墨碳掺杂蓝宝石单晶的室温力学性能。实验发现在蓝宝石单晶中,掺入适量石墨碳可以显著提高晶体常温断裂强度和断裂韧性,而不损害晶体的可见和近红外透过性能。当其掺入的石墨浓度为5×10-3时,蓝宝石单晶的断裂强度和断裂韧性平均分别提高到752 MPa和2.81 MPa.m1/2,而其可见和近红外透过率依然达80%。掺杂的石墨碳在蓝宝石晶体中部分作为晶格间隙离子,对蓝宝石单晶的开裂具有钉扎作用,达到提高蓝宝石单晶常温力学性能的效果。但是过量石墨碳的掺杂会引起掺质的组分偏析,晶体中出现碳包裹物,从而导致晶体力学性能和光学性能的下降。

温梯法生长CaF_2晶体中包裹物的研究

本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究,用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌,对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析,对包裹物所含的杂质进行了解释,提出了减小或消除包裹物的措施。分析结果表明:包裹物的主要成分是碳和氧,碳来源于石墨坩埚和石墨发热体,而杂质氧则来源于原料中的含氧化合物和生长过程气氛中氧的进入。

温梯法大尺寸白宝石单晶的生长

应用温梯法生长出直径１２０ｍｍ，质量为４ｋｇ的白宝石晶体。进行了杂质定量分析和光谱分析，对晶体中杂质的来源进行了讨论。确定了晶体有Ｆ心引起的紫外吸收和杂质离子的吸收。

r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。

骨水泥温度梯度灌注技术在经皮椎体后凸成形术中的应用

目的：通过与传统的骨水泥单次灌注技术进行比较,评估骨水泥温度梯度灌注技术在经皮椎体后凸成形术（PKP）治疗骨质疏松性椎体骨折（OVCF）中的临床疗效。方法：收集我院2006年1月~2010年1月共234例行PKP的OVCF患者,根据骨水泥灌注方法的不同分为温度梯度灌注组（采用缓慢、低压、间隔1~2min将骨水泥分次灌注入椎体内）和传统灌注组（采用传统的骨水泥调制好一次性灌注的方法）。温度梯度灌注组：129例患者,160个手术椎体;传统灌注组：105例患者,128个手术椎体。比较术后1周内及末次随访时两组的VAS评分、ODI、伤椎椎体后凸角、伤椎前缘相对高度及骨水泥渗漏率。结果：温度梯度灌注组术后随访25.3±12.2个月;传统灌注组术后随访24.7±11.5个月,两组间差异无显著性（P〉0.05）。温度梯度灌注组：术前VAS评分、ODI、伤椎的椎体后凸角及前缘相对高度分别为7.19±0.94、71.55±7.83、16.66°±8.40°和（62.50±24.64）%;术后为2.18±0.62、28.86±4.71、11.72°±7.81°和（84.50±14.92）%;末次随访时为2.1±1.9、28.79±6.25、11.87°±8.34°和（85.49±12.67）%。传统灌注组：术前VAS评分、ODI、伤椎的椎体后凸角和前缘相对高度分别为7.20±1.07、70.49±9.28、16.97°±9.48°和（61.91±24.84）%;术后为2.25±0.64、28.55±4.46、11.90°±7.42°和（85.09±10.71）%;末次随访时为2.3±2.5、28.51±6.55、11.92°±9.03°和（85.10±14.61）%。两组患者VAS评分、ODI、伤椎的前缘相对高度和椎体后凸角手术后与手术前比较均有统计学差异（P〈0.05）;末次随访时与术后比较无统计学差异（P〉0.05）;两组之间比较术前、术后及末次随访时的上述指标均无统计学差异（P〉0.05）。传统灌注组有9例患者发生骨水泥渗漏,渗漏率8.60%;温度梯度灌注组有3例患者发生骨水泥渗漏,渗漏率2.3%,显著低于传统灌注组的骨水泥渗漏率（P〈0.05）。结论：骨水泥温度梯度灌注技术可以获得满意的影像学及临床效果,并且可以显著降低骨水泥渗漏的发生率。

温梯法生长φ110mm×80mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析

利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ） 生长了１１０ ｍ ｍ ×８０ ｍ ｍ 的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况，发现在晶体放肩处的（１１２０） 面位错密度约为１０４ ｃｍ － ２ 量级，等径生长过程中靠近晶体中心处（０００１） 面位错密度为（３ ～４） ×１０３ｃｍ －２ ，靠近坩埚壁处（０００１） 面晶体位错密度为（５ ～６） ×１０３ｃｍ －２ ． 用同样方法分析了提拉法（Ｃｚ） 生长的５０ ｍｍ ×８０ ｍ ｍ 蓝宝石晶体的位错． 相比而言，ＴＧＴ法生长的Ａｌ２Ｏ３ 位错密度比Ｃｚ 法的Ａｌ２Ｏ３ 晶体低得多，约低一个数量级，ＴＧＴ 法可以生长大尺寸、高完整性的Ａｌ２Ｏ３ 晶体，这与ＴＧＴ 法的特殊生长工艺有密切关系．

滴丸成形工艺实验研究

采用温度梯度冷凝法,用自制滴丸机对中药川芎滴丸的成形工艺条件进行了实验研究。考察了基质的配比、滴距等因素对滴丸质量指标的影响,为改进滴丸制备设备、优化滴丸成形条件提供参考。

采用改进的温梯法生长氟化钙晶体

对现有的晶体生长温梯法进行改进,将炉内温场分为坩埚底部温度高于坩埚顶部温度的化料区和坩埚底部温度低于坩埚顶部温度的温梯生长区两部分。通过对坩埚相对于温场位置的控制,获得适宜进行熔体均一化和晶体生长条件。生长了尺寸为φ135mm×150mm氟化钙(CaF2)晶体,生长的CaF2晶体质量较好,位错密度<330/mm2,从190nm到9000nm透过良好,紫外200nm处和红外9μm处透过率可达80%以上。

温度梯度法生长BaY2F8晶体

应用温度梯度法生长了BaY2F8单晶。实验表明:温度梯度、降温速率、坩埚形状和尺寸是影响BaY2F8晶体生长的重要因素。温度梯度为6℃/mm,降温速率小于6℃/h,用相对较小的坩埚圆锥角度,可以获得质量较好的BaY2F8单晶体。X射线定向分析表明:温度梯度法生长的BaY2F8晶体的生长轴平行于[001]方向。结合晶体结构图分析,可认为晶体的[001]方向为结构的强键延展方向,是晶体生长的优势方向。

提拉法与温梯法Yb∶YAG晶体性能的比较

采用提拉法和温梯法生长出掺杂浓度为 5 %原子分数的Yb∶YAG激光晶体 ,比较了两种不同生长方式的晶体在晶胞参数、Yb离子纵向分布以及吸收光谱上的差异 ,发现温梯法生长对晶体晶胞结构影响较少 ,但是Yb离子纵向分布相差较大。指出提拉法生长的晶体在 2 5 6nm处的弱吸收是由于Fe3 + 引起的。

温度梯度法生长氟化钙晶体

用温度梯度法成功生长了直径75mm、完整、透明的氟化钙晶体,对晶体进行了TG-DTA测试分析,确定了其熔点为1413.5℃,并测试了晶体从190nm的紫外波段到40000nm的红外波段的透过率,发现从中紫外波段到红外波段氟化钙晶体的透过率已经能满足各种应用的要求,但在远紫外波段和真空紫外波段(246nm以下)氟化钙晶体的透过率需要进一步提高。

导模法和温度梯度法生长r面蓝宝石(英文)

r面(0112)蓝宝石晶体可用作制备非极性GaN薄膜的衬底。采用温度梯度法(temperature gradient technique,TGT)和导模法(edge-defined film-fed crystal growth,EFG)生长了质量良好的r面蓝宝石晶体。利用双晶衍射、光学显微镜、光谱仪观察和分析了晶体的结构和缺陷。结果表明:TGT法生长的r蓝宝石晶体的双晶摇摆曲线对称性好,半高宽值仅为18 rad.s,位错密度为4×103 cm-2,透过率达83%,晶体质量好。与TGT法相比,EFG法生长的r面蓝宝石晶体的结构完整性较差,位错密度为5×105 cm-2,透过率仅为75%。但是EFG法具有晶体生长速度快,后期加工成本低的优点。

温梯法白宝石晶体的表面形貌研究

本文采用导向温梯法 (TGT)生长 [0 0 0 1 ]方向的白宝石晶体 ,利用气相传输平衡 (VTE)技术对晶体表面进行处理 ,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂 (Li2 O蒸气 )气氛发生反应 ,表面生成一层γ LiAlO2 ,随着VTE反应温度从 75 0℃下降到 730℃ ,γ LiAlO2 晶核的颗粒也随着减小 ,在 730℃时已在 1 μm以下 ,经稀盐酸 (HCl)腐蚀后形成多孔的表面 。

掺杂钨酸铅闪烁晶体的闪烁光学性质研究

利用多坩埚温度梯度法生长了PbWO4和BaF2：PbWO4晶体,研究了PbWO4、退火PbWO4和BaF2：PbWO4晶体的透过光谱和X射线激发光谱,结果发现这些光谱性质与晶体的组成和生长工艺密切相关,其中退火的影响较复杂.高温退火的PbWO4晶体的透过光谱在360nm以上波段有较好的透过率,但是在320-360nm波段透过率反而略有降低 380nm以上波段的X射线激发光谱光谱强度较高,320-380nm波段光谱强度却略有降低.掺杂的离子改善了晶体的透过率和X射线激发发光光谱强度.利用晶体的生长工艺和组成与缺陷以及晶体光学性质之间的关系解释了这些现象产生的原因．BaF2：PbWO4掺杂晶体的X射线激发光谱的波形和发光峰强度均发生了很大程度的改变，与F^-离子掺杂引发晶体[WO4]^2-四面体基团畸变而产生的新的发光中心有关．

温梯法Al_2O_3晶体位错形貌分析

用温度梯度法（ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｇｒａｄｉｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ，简称温梯法或 Ｔ Ｇ Ｔ 法） ，定向籽晶［０００１］ 方向，生长出１１０ｍｍ ×８０ｍ ｍ Ａｌ２ Ｏ３ 单晶，晶体完整、透明。采用硼酸钠玻璃液作为 Ａｌ２ Ｏ３ 晶体的化学抛光和化学腐蚀剂，观察了晶体不同部位处（０００１） 、（１１２０） 晶片的化学腐蚀形貌相，（０００１） 切片的位错腐蚀坑呈三角形，位错密度为２ ×１０３ ～３ ×１０３／ｃｍ２ ；（１１２０） 切片位错腐蚀坑呈菱形，位错密度为７×１０３ ～８ ×１０３／ｃｍ２ ；而且等径生长部位的完整性比放肩处高。利用同步辐射 Ｘ 射线白光衍射实验分析了（０００１） 晶片的（２０２１） ，（１１０１） 和（０２２１） 衍射面内的位错组态。确定了两组位错线的 Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量，温梯法生长的 Ａｌ２ Ｏ３ 晶体中的位错主要是刃型位错。